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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
应用信息
输入电容
通常，一个1μF或更大的电容是推荐使用
ED对C
IN
在大多数应用中。 A C
IN
电容
不需要基本的LDO稳压器的操作。
然而，如果AAT3236物理上位于更
比从输入电源6厘米，一
C
IN
电容器将用于稳定工作。
C
IN
应尽可能靠近器件V
IN
针
实际可能。
IN
值大于
1μF将提供优越的输入线路瞬态响应
并协助最大化尽可能高的
电源纹波抑制比。
陶瓷电容，钽电容和铝电解电容
器可以选择对C
IN
。没有具体的
电容的ESR要求对C
IN
。然而，对于
300毫安LDO稳压器的输出操作，陶瓷
电容器被推荐对C
IN
由于它们的
在钽电容器可承受的固有能力
站输入浪涌电流低阻抗
源，如电池的便携式设备。
旁路电容和低噪声
应用
旁路电容引脚提供增强
在AAT3236 LDO的低噪声特性
调节器。旁路电容是没有必要的
在AAT3236的操作。然而，对于最佳的器件
高性能，小型陶瓷电容应
放置之间的旁路端子（ BYP ）和设备
接地端子（GND ） 。 C的值
BYP
可能的范围
从470pF的至10nF 。对于最低噪声和最佳POS-
sible电源纹波抑制性能
10nF电容应该被使用。为了切实实现
最高的电源纹波抑制和最低
输出噪声性能，这是很关键的capac-
在BYP引脚和GND引脚之间itor连接是
直接和PCB走线应尽可能短， possi-
BLE 。请参考PCB布局建议
本文中的示例部分。
有旁通关系capac-
itor值和LDO稳压器导通时间。在
应用上的时间快的设备又是
的C所希望的，则该值
BYP
应减少。
在应用中的低噪声性能
和/或纹波抑制较少关注的，所述
旁路电容器可以省略。最快
在时间的设备又将实现在没有旁路
电容器。
该引脚上的直流泄漏会影响LDO稳压
器的输出噪声和电压调节perform-
ANCE 。出于这个原因，使用一个低的泄漏，
高品质陶瓷（ NPO或COG型）或薄膜
电容强烈推荐。
输出电容
对于适当的负载电压调节和操作
稳定性，需要销V之间的电容器
OUT
和GND 。了C
OUT
电容连接到
LDO稳压器的接地引脚应作为
作为指导实际可能的最大器件
性能。
该AAT3236是专门设计来
功能非常低ESR的陶瓷电容。
尽管该装置是为了与操作
这些低ESR的电容器，它是稳定的一个非常
多种电容的ESR ，因此它也将
具有较高的ESR的钽电容或铝电解
电容器。
但是，为了获得最佳性能，
建议使用陶瓷电容。
最大输出典型输出电容值
把目前的条件范围从1μF到10μF 。
利用极低的输出应用
噪声和最佳的电源纹波抑制
在AAT3236的特点应使用2.2μF或
更大的对C
OUT
。如果需要的话，C
OUT
可能是
增加无极限。
在低输出电流的应用场合输出
负荷是小于10毫安，为最小值
C
OUT
可低至0.47μF 。
电容特性
陶瓷电容组成的强烈建
谁料超过所有其他类型的电容器用
与AAT3236 。陶瓷电容器提供了许多
在他们的钽电容和铝elec-优势
trolytic同行。陶瓷电容器通常
具有非常低的ESR ，是成本低，具有更小的印刷电路板
足迹和是非偏振的。线路和负载转录
LDO稳压器的过性反应是由改善
使用低ESR的陶瓷电容。由于陶瓷
电容器是非偏振光，它们不容易出现
不正确的连接损坏。
等效串联电阻（ESR ） ：
ESR是一个非常
重要的特性选择时要考虑的
电容。 ESR是内部串联电阻阿索
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3236.2001.11.0.9
