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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
第一电流的占空比在百分之必须
计算：
％峰值占空比： X / 100 = 378μs / 4.61ms
％峰值占空比= 8.2 ％
该LDO稳压器将是100mA的电流下
为4.61ms周期和91.8 ％的500毫安
峰值出现的时间8.2 ％ 。接着，将
连续额定功耗为
100mA的电流应该确定，然后多
由占空比结束实际合股
功耗随着时间的推移。
P
D（最大）
= (V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
X我
GND
)
P
D(100mA)
= （ 4.2V - 3.3V ） 100毫安+ （ 4.2V X 150μA ）
P
D(100mA)
= 90.6mW
P
D(91.8%D/C)
= ％ DC X P
D(100mA)
P
D(91.8%D/C)
= 0.918 X 90.6mW
P
D(91.8%D/C)
= 83.2mW
功耗为100mA的电流产生的
占空比为91.8 ％将是83.2mW 。现在，
功耗的余下8.2 ％
占空比在500mA的负载电流可以计算出：
P
D（最大）
= (V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
X我
GND
)
P
D(500mA)
= （ 4.2V - 3.3V ） 500毫安+ （ 4.2V X 150μA ）
P
D(500mA)
= 450.6mW
P
D(8.2%D/C)
= ％ DC X P
D(500mA)
P
D(8.2%D/C)
= 0.082 X 450.6mW
P
D(8.2%D/C)
= 37MW
功耗为500mA的负载电流发生的
在工作周期的8.2％将是37MW 。最后，两个
功耗水平可归纳确定
在不同的负载下的真正的总功耗。
P
D（ TOTAL ）
= P
D(100mA)
+ P
D(500mA)
P
D（ TOTAL ）
= 83.2mW + 37MW
P
D（ TOTAL ）
= 120.2mW
最大功耗为AAT3236
在25 ℃的环境温度下操作是
526mW 。在本实施例的设备将具有一
120.2mW的总功耗。这是很好
内部热限制的安全运行
装置。
印刷电路板布局
建议
为了获得从最大性能
在AAT3236 LDO稳压器，非常小心注意
必须在考虑到印刷电路被认为是
电路板（ PCB）布局。如果接地连接
不恰当的做法，电源纹波抑制，
低输出自噪声和瞬态响应可以是
受到损害。
图18显示了一个共同的LDO稳压器的布局
方案。 LDO稳压器，外接电容
(C
IN
, C
OUT
和C
BYP
）和负载电路都
连接到公共的地平面。这类
布局简单应用工作哪里好
电源纹波抑制比，低自我噪音是
而不是设计问题。对于高性能应用程序
阳离子，不建议使用此方法。
V
IN
I
IN
I
负载
V
IN
EN
LDO
调节器
GND
I
GND
V
OUT
BYP
DC输入
C
IN
C
BYP
I
BYP
+噪声
C
BYP
GND
环
C
OUT
R
负载
I
纹波
GND
R
跟踪
R
跟踪
R
跟踪
R
跟踪
I
负载
返回+噪声和纹波
图18 ：常见的LDO稳压器布局用C
BYP
纹波反馈回路
12
3236.2001.11.0.9
