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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲DIMM
DDR SDRAM
9.3 M381L6523BT （U ） （ 64M * 8 ） * 9 ， 512MB ECC模块]
(V
DD
= 2.7V ， T = 10 ° C）
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
CC(DDR400@CL=3)
1,485
1,665
45
270
225
500
855
1,800
2,160
2,385
45
27
3,870
B0(DDR333@CL=2.5)
1,130
1,350
45
270
230
270
450
1,490
1,710
2,250
45
27
3,600
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
笔记
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
9.4 M368L2923BT （U ） （ 64M * 8 ） * 16 ， 1GB ECC非模块]
(V
DD
= 2.7V ， T = 10 ° C）
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
CC(DDR400@CL=3)
2,080
2,240
80
480
400
880
1,520
2,360
2,680
2,880
80
48
4,200
B0(DDR333@CL=2.5)
1,400
1,600
80
480
400
480
800
1,720
1,920
2,400
80
48
3,600
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
笔记
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
修订版1.1 2005年6月
