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M27V160
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 3.3V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F =为8MHz ，V
CC
≤
3.6V
电源电流
E = V
IL
，G = V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F = 5MHz时，V
CC
≤
3.6V
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V, V
CC
≤
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.3
0.7V
CC
20
1
60
10
0.2V
CC
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
民
最大
±1
±10
30
单位
A
A
mA
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流，有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿的大小
瞬态电流的峰值是依赖于钙
该装置的pacitive和感性负载输出
放。相关的瞬态电压峰值可
通过与两线相符能够抑制输出
把控制和正确选择脱钩
电容器。建议在一个0.1μF ceram-
IC电容器用于V之间的每一个设备上
CC
和V
SS
。这应该是一个高频率型
低固有电感与应尽可能地
关闭尽可能到设备。此外，一个
4.7μF的电解电容，应使用BE-
吐温V
CC
和V
SS
每八个设备。这
电容应安装在靠近电源支持
帘布层的连接点。该电容的目的
是克服造成在 - 的电压降
的PCB走线导电的作用。
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