位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2578页 > M27V160-100XF6TR > M27V160-100XF6TR PDF资料 > M27V160-100XF6TR PDF资料2第10页

M27V160
板载编程
该M27V160可以直接编程的
应用电路。请参阅相关的应用
注AN620 。
电子签名
电子签名( ES )模式允许
从EPROM读出的二进制代码
将确定其制造商和型号。此模式
旨在用于通过编程设备
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。
在ES模式功能,在25℃
±
5 ℃,上午
亲时所需关环境温度范围
编程的M27V160 。要激活ES模式,
编程设备必须强制11.5V到
12.5V的M27V160的地址线A9 ,同
V
PP
= V
CC
= 5V.
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0器件输出
从V
IL
到V
IH
。所有其他地址线必须是
在V举行
IL
在电子签名方式。
字节0 ( A0 = V
IL
)表示的制造商
编码和字节1 ( A0 = V
IH
)设备identi连接器
代码。对于意法半导体M27V160 ,这些
2标识符字节列于表4 ,并且可以是
读出的输出Q7到Q0 。需要注意的是
M27V160和M27C160具有相同标识符
字节。
清除操作(适用于UV EPROM )
该M27V160的擦除特性
使得擦除开始时,细胞是EX-
所构成的光的波长比AP-短
近因4000埃。但是应当注意的是
阳光和某些类型的荧光灯都
波长在3000-4000的范围内。研究
表明,长期暴露于室内的水平fluo-
rescent照明可以在擦除一个典型的M27V160
约3年,而这将需要大约1
周以使擦除时直接暴露在
阳光下。如果M27V160是暴露于这些
类型的照明条件的长时间
时间,故建议不透明的标签放在过
在M27V160窗口,以防止意外era-
肯定。对于推荐的擦除程序
M27V160是暴露在短波紫外线
光,其具有2537埃的波长。在英特
磨碎的剂量(即紫外线强度X曝光时间)
擦除最小应为30的W-秒/厘米
2
.
擦除时间与该剂量是approximate-
使用紫外灯与光年30至40分钟
12000
μW /厘米
2
额定功率。该M27V160
灯应置于2.5厘米(1英寸)
擦除过程管。有些灯具有一个过滤器
他们管这前应去除
擦除。
10/15