LTC3830/LTC3830-1
应用S我FOR ATIO
V
IN
可选
USE FOR V
IN
≥
7V
D
Z
12V
1N5242
PV
CC2
PV
CC1
G1
MBR0530T1
0.1F
Q1
L
O
V
OUT
G2
Q2
LTC3830
图9a。倍压电荷泵
图12示出了典型的5V至3.3V应用中，使用
倍增电荷泵来产生PV
CC1
.
功率MOSFET
两个N沟道功率MOSFET所需的最
LTC3830电路。这些应选择基
主要在阈值电压和导通电阻consid-
操作。热耗散往往是一个次级CON-
欧洲核子研究中心的高效率设计。所需的MOSFET
阈值应该基于可用来确定
电源电压和/或所述栅极的复杂性
驱动电荷泵方案。在3.3V输入设计中
辅助12V电源可用于光伏电源
CC1
和
PV
CC2
与R标准的MOSFET
DS （ ON）
在V指定
GS
= 5V或6V可用于具有良好的效果。趋势/涌流
从这个电源汲取随所用的MOSFET的
和LTC3830的工作频率，但一般是
比50毫安少。
使用5V或更低的V LTC3830的应用
IN
电压和
增加了一倍/两倍电荷泵来产生PV
CC1
和
PV
CC2
，不能提供足够的栅极驱动电压，以充分
提高标准功率MOSFET 。在这种条件下，
有效的MOSFET
DS （ ON）
可能会相当高，提高
耗散在FET和效率降低。逻辑
水平FET被推荐的选择5V或更低
U
V
IN
D2
D1
10F
PV
CC2
PV
CC1
G1
Q3
BSS284
SS
Q4
3906
G2
0.1F
Q1
L
O
V
OUT
W
U U
+
C
OUT
3830 F09a
R1
1M
R2
200k
+
Q2
C
OUT
3830 F09b
LTC3830
图9b。占空比钳位电路
电压系统。逻辑电平场效应管，可以充分提高
用倍频/三倍电荷泵和将在操作
最高的效率。
选择MOSFET的阈值电压后，选择
R
DS （ ON）
基于输入电压，输出电压，
允许功耗和最大输出电流。
在一个典型的LTC3830电路，在连续模式中操作，
平均电感器电流等于输出负载
电流。这个电流流经Q1或Q2与
功耗分裂根据占空比：
V
OUT
V
IN
V
V –V
DC(Q2)
=
1 –
OUT
=
IN OUT
V
IN
V
IN
DC(Q1)
=
第r
DS （ ON）
现在需要对一个给定的导通损耗可以
可以通过重新排列关系P计算值=我
2
R.
R
DS(ON)Q1
=
R
DS(ON)Q2
=
P
MAX(Q1)
DC （ Q1 ） （我
负载
)
2
P
MAX （ Q2 ）
DC （ Q2 ） （我
负载
)
2
=
=
V
IN
P
MAX(Q1)
V
OUT
(I
负载
)
2
V
IN
P
MAX （ Q2 ）
( V
IN
– V
OUT
) (I
负载
)
2
sn3830 3830fs
13
