LTC3830/LTC3830-1
应用S我FOR ATIO
滤波电容。 100Ω和4.7μF通常提供AD-
等同滤波V
CC
。为了获得最佳性能，连接
4.7μF的旁路电容尽量靠近LTC3830 V
CC
引脚
可能。
栅极驱动器的顶部的N沟道MOSFET Q1被供给
从PV
CC1
。该电源必须高于V
IN
（主
功率至少一个功率MOSFET V电源输入）
GS （ ON）
对于高效的运行。内部电平转换器允许PV
CC1
在电压高于V操作
CC
和V
IN
，高达14V的马克西 -
妈妈。这个较高的电压可以用一个单独的供给
供给，或者也可以使用电荷泵来产生。
栅极驱动的底部MOSFET Q2是通过提供
PV
CC2
对于16引脚LTC3830或V
CC
/ PV
CC2
对于
LTC3830-1和8引脚LTC3830 。仅此供应
需要将上述功率MOSFET V
GS （ ON）
高效
操作。 PV
CC2
也可以从同一个电源来驱动/
电荷泵为光伏
CC1
或者它可以连接到一个
较低的电源，以提高工作效率。
图8示出了三倍的电荷泵电路，它可以是
用于提供2V
IN
和3V
IN
栅极驱动器的外部
顶部和底部分别的MOSFET 。这些都应该充分
增强的MOSFET与5V逻辑电平阈值。这
电路提供3V
IN
– 3V
F
光伏
CC1
当Q1导通和
2V
IN
– 2V
F
光伏
CC2
其中，V
F
是的正向电压
肖特基二极管。该电路需要使用肖特基
二极管，以最大限度地降低二极管的正向压降
启动。的两倍电荷泵电路可以纠正任何
D
Z
12V
1N5242
1N5817
1N5817
0.1F
0.1F
Q1
L
O
V
OUT
G2
V
IN
1N5817
10F
PV
CC2
PV
CC1
G1
Q2
LTC3830
图8.两倍电荷泵
12
U
振铃在Q2的漏极和比3V提供更
IN
at
PV
CC1
;一个12V的齐纳二极管应该包括从光伏
CC1
到PGND防止瞬变损坏电路
在PV
CC1
或Q1的栅极。
注意不要使用电荷泵电源时，应采取
PV
CC1
与低V应用
CC
电源电压（少
大于4V）或高开关频率。电荷泵
电容刷新当G2脚变为高电平，
开关节点拉低第二季度。导通时间的G2的变
缩小时， LTC3830工作在最大占空比
（典型值为95％ ），这可能发生在输入电压上升
较软启动电容器或输入更慢
负载瞬变期间的压降。如果G2的导通时间
交换机节点失败，完全拉得这么窄
到地面，电荷泵电压可以折叠或不
启动，造成过度耗散在外部MOSFET
Q1。这是最有可能与低V
CC
电压和高
开关频率，再加上大量的外部
其中的MOSFET减缓G2和开关节点转换速率。
解决方法包括：
增加了软启动电容，以限制占空比
在初创
使用较小的MOSFET具有更低的栅极电容
（在可能的情况），以减少G2的上升/下降时间和
开关节点转换速率
使用一个外部高电压电源供电的光伏
CC1
（如果可用）
另一种方法是添加一个外部电路，以限制
占空比时PV
CC1
低时，如图9b所示。如果
电荷泵没有运行，光伏
CC1
将小于或
等于V
CC
和在软启动引脚的电压将
关于（V
CC
/6 + V
BE
） 。这是一个关于1.2V与V
CC
3.3V的，
这限制了占空比约50％ ，并允许
充泵启动。一旦光伏
CC1
上升高于
(V
CC
+ V
TQ3
）所示，在软启动引脚上的电压变高，并
对占空比的限制被去除。
对于一个5V或更高V应用
IN
电源，光伏
CC2
可以
连接到V
IN
如果一个逻辑电平的MOSFET被使用。 PV
CC1
可以
使用倍增电荷泵供给，如图
9A 。该电路提供2V
IN
– V
F
光伏
CC1
而Q1为ON 。
sn3830 3830fs
W
U U
+
C
OUT
3830 F08
