LTC1778/LTC1778-1
应用S我FOR ATIO
高端MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
但额外的陶瓷电容并联是中建议
谁料，以减少他们的引线电感的影响。
外部自举电容C
B
连接到升压
销提供栅极驱动电压为顶侧的MOSFET 。
该电容通过二极管D充电
B
从INTV
CC
当交换结点是低的。当顶部MOSFET关
上，所述开关的节点上升到V
IN
和BOOST引脚上升
大约V
IN
+ INTV
CC
。自举电容的需求
存储大约100倍所需的栅极电荷
高端MOSFET 。在大多数应用中0.1μF至0.47μF ， X5R或
X7R电介质电容就足够了。
不连续模式操作和FCB引脚
该FCB引脚决定是否底部MOSFET
仍当电流反向的电感上。绑
高于0.8V的阈值该引脚允许断续
操作，其中底部MOSFET关断时，
电感电流反转。负载电流在其中
目前的挫折和不连续操作DE-开始
暂时搁置于电感纹波电流的幅度和
将随变化为V
IN
。绑下面的FCB引脚
0.8V阈值的势力不断同步操作，
允许电流反向在轻负载和维护
高频操作。
除了提供一个逻辑输入端，迫使连续
应用，FCB引脚提供维持的装置
反激式，当主在经营绕组输出
不连续模式。次级输出电压V
OUT2
属于正常
马利设置为通过的匝数比N ，如图6所示
V
IN
C
IN
1N4148
可选
EXTV
CC
连接
5V < V
OUT2
< 7V
+
V
IN
TG
LTC1778
SW
EXTV
CC
R4
FCB
R3
SGND
BG
保护地
+
T1
1:N
+
图6.辅助输出回路和EXTV
CC
连接
14
U
变压器。然而，如果控制器进入断开
连续的模式和停止开关，由于光的主
负载电流，则V
OUT2
会下垂。外部电阻
从V分频器
OUT2
到FCB引脚设置一个最低电压
V
OUT2(MIN)
下面这连续操作被强制
直到V
OUT2
已升至高于其最低限度。
W
U U
R4
V
OUT 2（ MIN）的
=
0.8V
1
+
R3
故障条件：电流限制和折返
最大电感电流本身限制在一个
由最大检测电压的电流模式控制器。在
的LTC1778 ，最大检测电压被控制
在V的电压
RNG
引脚。与谷值电流控制，
最大感应电压和感应电阻
确定最大允许电感谷值电流。
相应的输出电流限制为：
I
极限
=
V
SNS （MAX）中
R
DS （ ON）
1
+
I
L
ρ
T
2
电流限制值应进行检查，以确保
I
限制（最小）
＆ GT ;我
输出（最大）
。限流的最小值
一般发生具有最大V
IN
在最高的雄心
耳鼻喉科的温度，导致最大功率条件
损失中的转换器。需要注意的是它以检查是很重要的
假定MOSFET之间连接处自洽
温度和所得到的值的余
极限
其中加热
MOSFET的开关。
设置电流限制时，应谨慎使用
基于第r
DS （ ON）
内的MOSFET 。最大
电流限制是由最小的MOSFET导通确定
性。数据表通常指定名义和
最大值的R
DS （ ON）
的，但不是最小。一
合理的假设是，最小
DS （ ON）
谎
相同的量低于典型值作为最大
位于其上方。咨询MOSFET制造商进一步
指导方针。
进一步限制电流在短路事件
地面上， LTC1778包括折返电流限制。如果
输出下降了25％以上，则最大
感测电压逐渐降低到大约六分之一
它的全部价值。
1778fa
V
OUT2
C
OUT2
1F
V
OUT1
C
OUT
1778 F06
