LTC1778/LTC1778-1
应用S我FOR ATIO
纹波。在低中获得最高的EF网络运营效率
频率小的纹波电流。然而，实现
这需要大的电感器。之间有一个折衷
组件尺寸，英法fi效率和工作频率。
一个合理的出发点是要选择纹波电流
也就是约40％的余
输出（最大）
。最大纹波电流
发生在最高V
IN
。为了保证纹波电流
指定的最大不超过时，电感
应根据被选择：
V
OUT
V
OUT
L
=
1
f
I
L（ MAX）的
V
IN （MAX）
一旦为L的值是已知的，电感器的类型必须
被选择。高英法fi转换效率一般不能
得到低成本的铁粉中发现的磁心损耗
内核，强制使用更昂贵的铁素体， molyper-
马洛伊或库尔Mμ
内核。各种感应器的设计
对于高电流，低电压的应用是可用的
从厂商如墨田，松下，卷材
TRONICS ， Coilcraft公司和东光。
肖特基二极管D1的选择
肖特基二极管D1在图1所示过程中进行
电源的导通之间的死区时间
MOSFET开关。它的目的是防止体二极管
从接通和存储电荷的底部MOSFET的
在死区时间，这可能会导致适度（约
1％）的效率损失。该二极管可在额定为约1
一半的满载电流的五分之一，因为它是对仅
在工作周期的一小部分。为了使该二极管是
有效的，它与底部之间的电感MOS-
场效应管必须尽可能地小，强制这些
组件被放置相邻。该二极管可以omit-
泰德如果效率损失是可以容忍的。
C
IN
和C
OUT
选择
输入电容C
IN
需要过滤的方
波电流在高端MOSFET的漏极。使用低
ESR的电容大小，以处理RMS电流的最大值。
I
RMS
I
输出（最大）
V
OUT
V
IN
V
IN
–1
V
OUT
U
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，其中，
I
RMS
= I
输出（最大）
/ 2这个简单的最坏情况是
常用的设计，因为即使是显着的
偏差不会提供多少援助。需要注意的是纹波
从电容器制造商的额定电流往往
基于只有两千小时的寿命，这使得它最好
以减免的电容。
C的选择
OUT
主要是由ESR测定
尽量减少电压纹波和负载阶跃要求
瞬变。输出纹波
V
OUT
大约
北临：
W
U U
1
V
OUT
≤
I
L
ESR
+
8 FC
OUT
自
I
L
随着输入电压增加，输出波纹是
最高时的最大输入电压。典型地，一旦血沉
条件被满足时，该电容是足够的
过滤并具有必需的RMS电流额定值。
平行放置的多个电容器，可能需要
满足ESR和RMS电流处理要求。
干钽电容，特殊聚合物，铝电解和
陶瓷电容都可以在表面贴装
包。特种聚合物电容提供非常低的ESR
但具有更低的电容密度比其他类型。
钽电容具有最高的容量密度
但重要的是要对已浪涌仅利用类型
经测试可用于开关电源的使用。铝
电解电容有显著高于ESR ，但
可以在提供对成本敏感的应用中使用
考虑到额定纹波电流和长
长期可靠性。陶瓷电容具有优良的低
ESR特性，但可以有一个高电压系数
可听压电效应。陶瓷的高Q值
与走线电感电容也可导致显
着振荡。当输入电容使用时，必须注意
注意确保从浪涌电流振铃并
切换不会对过电压危害的
电源开关和控制器。为了抑制输入电压
瞬变，添加一个小5μF到50μF铝电解
电容器具有在0.5Ω到2Ω范围内的ESR 。高
性能的通孔电容器也可以使用，
库尔Mμ是磁，Inc.的注册商标。
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