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LTC1142/LTC1142L/LTC1142HV
应用S我FOR ATIO
图5示出的效率如何损失的一个部分
一个典型的LTC1142稳压器最终会被分摊。
栅极电荷损失负责，为广大的
效率在中间电流区域丢失。如果突发模式
操作是：未使用在低电流，栅极
电荷损失孤独会导致效率下降到
不可接受的水平。随着突发模式工作时，直流
电源电流表示独行（和不可避免的）损失
组件，它继续变得更高百分比
年龄作为输出电流减小。正如预期的，我
2
R
负占据优势，在高负载电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损失， MOSFET的开关损耗，传导肖特基
在死区时间和电感磁芯损耗的损失， gener-
同盟占小于2 ％的总的附加损耗。
100
I
2
R
栅极电荷
95
1/2 LTC1142我
Q
90
效率/损失（ ％ ）
85
80
0.01
0.03
0.3
1
0.1
输出电流（A ）
3
1142 F05
图5.效率损失
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 12V （标称值） ， 5V
节中，我
最大
= 2A和f = 200kHz的;
SENSE
, C
T
和L可以
立即进行计算：
R
SENSE
= 100mV的/ 2 = 0.05Ω
t
关闭
=（1 / 200kHz的）
×
[1 – (5/12)] = 2.92s
C
T5
= 2.92s/(1.3
×
10
4
） = 220PF
L2
民
= 5.1
×
10
5
×
0.05
×
220pF
×
5V = 28μH
假设MOSFET的耗散是被限定于
P
N
= P
P
= 250mW的。
如果T
A
= 50℃，每个MOSFET的热阻
50 ° C / W ，那么结温将63℃
14
U
和
δ
P
=
δ
N
= 0.007 （ 63 - 25 ） = 0.27 。在所需的R
DS （ ON）
对于每个MOSFET ，现在可以计算：
W
U U
P - ch R上
DS （ ON）
=
N - ch R上
DS （ ON）
=
12
(
0
.
25
)
5
(
2
) (
1
.
27
)
2
=
0
.
12
=
0
.
085
12
(
0
.
25
)
5
(
2
) (
1
.
27
)
2
P沟道要求可以通过一个Si9430DY得到满足，
而N型沟道需求超过由
Si9410DY 。需要注意的是在最严格的要求，
N沟道MOSFET是采用V
OUT
= 0 （即，短路）。
在一个连续的短路，最坏的情况
N沟道耗散上升到：
P
N
= I
SC(AVG)2
×
R
DS （ ON）
×
(1 +
δ
N
)
随着0.05Ω检测电阻，我
SC （ AVG ）
= 2A将导致，
增加0.085Ω N沟道耗散到为450mW ，在
73℃的模具温度。
C
IN
至少需要1A的RMS电流额定值
温度，和C
OUT
需要0.05Ω的ESR为
最佳效率。
现在让V
IN
下降到其最小值。在较低的输入
电压的工作频率将减少，并且
P沟道将进行大多数时间，导致其
功率耗散增加。在V
IN（分钟）
= 7V:
f
民
=（1 / 2.92μs ） [ 1 - （ 5V / 7V ） ] = 98kHz
5V
(
0
.
12
)(
2A
)
2
(
1
.
27
)
P
P
=
=
435mV
7V
类似的计算在3.3V的部分结果
在图14中所示的元件值。
LTC1142HV-ADJ/LTC1142L-ADJ
可调节的应用
当需要的输出电压低于3.3V或5V等，
的LTC1142可调版本用于与外部
从V电阻分压器
OUT
到V
FB
，引脚2 （ 16 ） 。该稳压
迟来的输出电压由下式确定：
R2
V
OUT
=
1
.
25
1
+
R1
