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LTC1142/LTC1142L/LTC1142HV
应用S我FOR ATIO
电流。当负载阶跃时，V
OUT
班由
相当于
I
负载
×
ESR ，其中ESR是
的C等效串联电阻
OUT
.
I
负载
也开始
充电或放电
OUT
直到稳压回路适应
到电流的变化，并返回V
OUT
其稳态
状态值。在这段恢复时间V
OUT
可以
监测的过冲或振铃这将预示
一个稳定性的问题。引脚27 （ 13 ）外部元件
在图1所示的电路将被证明足够的COM
补偿于大多数应用。
第二，更严重的瞬态是引起开关的
负荷大（ >1μF ）电源旁路电容器。该
出院旁路电容切实把并行
用C
OUT
，引起V中的快速下降
OUT
。没有可调节
提供足够的电流，以防止这个问题，如果负载
开关电阻低，它被迅速地驱动。唯一
解决方法是限制开关驱动以使上升时间
负荷上升时间被限制在约25
×
C
负载
.
因此，一个10μF电容将需要250μs的上升时间，
限制到200mA左右的充电电流。
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。 ％的效率可
表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L 1 ，L 2，等等，都是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。 （对于高效率的电路只有很小
正在发生的损失表示为百分比误差
输出功率）。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，三个主要来源通常占多数的
在LTC1142电路损失：
1.
2.
3.
LTC1142直流偏置电流
MOSFET的栅极充电电流
I
2
损失
1.直流供电电流流入电流
V
IN
（引脚24为一节3.3V ， 10脚为5V
U
部分）较小栅极电荷电流。对于V
IN
= 10V的
LTC1142直流供电电流的每个部分是160μA
无负载时，用负载向上增加成正比
到一个恒定1.6毫安后的LTC1142已进入
连续模式。由于直流偏置电流
从V画
IN
与输入造成的损失增加
电压。对于V
IN
= 10V的直流偏置的损失通常
超过30毫安负载电流小于1％ 。但是，在
非常低的负载电流中的直流偏置电流占
几乎丧失所有。
从开关2. MOSFET的栅极充电电流结果
功率MOSFET的栅极电容。每次
一个MOSFET栅极从低切换到高到低
再次，充电包dQ的从V移动
IN
到地面。
所得dQ的/ dt为一个电流输出Ⅴ的
IN
这是
通常比DC电源电流大得多。在
连续模式下，我
GATE （ CHG ）
= F （Q
N
+ Q
P
） 。典型的
为0.1Ω N沟道功率MOSFET的栅极电荷
25NC ，而对于P沟道大约两倍的值。这
结果我
GATE （ CHG ）
= 7.5毫安在100kHz的连续
操作时，为2％至3％的典型的中电流损耗
V
IN
= 10V.
注意，栅极电荷损耗直接增加了与
两个输入电压和工作频率。这是
主要的原因，最高的效率电路
工作在中等频率。此外， AR-
对使用较大的MOSFET比要gues
控制I
2
损失，因为矫枉过正可以成本效率
还有钱！
3. I
2
损失容易从直流电阻预测
的MOSFET ，电感器以及电流分流。在continu-
组织单位模式的平均输出电流流过电感
和R
SENSE
但在P沟道之间的“斩波”
和N沟道MOSFET 。如果两个MOSFET都
大致相同的R-
DS （ ON）
中，则电阻
一个MOSFET可以简单地用电阻求和
L和R的可用距离
SENSE
获得我
2
损失。为
例如，如果每个R
DS （ ON）
= 0.1, R
L
= 0.15Ω ，及
R
SENSE
= 0.05Ω ，则总电阻是0.3Ω 。这
导致的损失为3 ％至12％的输出
电流增大，从0.5A到2A 。我
2
损失造成的
效率，以在高输出电流滚下。
W
U U
13
