LT1161
应用信息
低电压/宽电源电压范围工作
当供应<12V时， LT1161电荷泵办
不能产生足够的栅极电压，以全面提升标
准的N沟道MOSFET 。对于这些应用，逻辑电
电平MOSFET ，可用于扩展操作下来
8V 。如果MOSFET具有最大V
GS
的15V额定值或
更大，那么它也可以用至60V （绝对
该LT1161的最高）的评级。 MOSFET的可
来自摩托罗拉和Siliconix公司满足这些
标准。
防止电源瞬变
该LT1161是100 ％经过测试，保证安全
从具有60V的伤害V的应用
+
和地面
销。然而，当该电压被超过时，即使是
几微秒，其结果可能是灾难性的失败。
为此原因
这是必须的LT1161不
暴露在提供上述60V瞬变。
对于正确的电流检测操作时， V
+
引脚重
引入来被连接到排水管的正侧
检测电阻（见漏感的配置） 。 There-
脱颖而出，以防止电源瞬变的最好办法是确保
该供给充分分离的点处
在V
+
引脚和漏极感应电阻满足。几个
百微法，可能需要具有高电流
开关。
当工作电压接近60V绝对马克西
该LT1161的妈妈的评价，当地的电源去耦BE-
补间的V
+
销（ 11 ，20）和接地引脚（1 ，10）是高度
推荐使用。供应之间的一个小铁氧体磁珠
连接和本地的电容器也可以有效地
瞬态抑制。但是请注意，电阻
不应在系列中加入与V
+
引脚，因为它
会引起电流检测阈值的误差。
故障反馈
两种方法都可以用于推导的开关状态。首先，
定时器引脚电压可以被监视，以指示何时
在开关被关断，由于电流限制。在正常
操作（ON或OFF ），则定时器的电压为3.5V ，并仅
在电流限制不低于3V的电压降。
1F
8
U
W
U
U
在图8所示的第二种方法是使用一个四元
异非门，以指示何时的输出
开关不听从命令的输入（即输出低电平
当它应该是高的，或反之亦然） 。除了当前
限，这给出了一个故障指示如果开关短路或
如果负载是开放的。
24V
V
+
V
+
DS
R
OL
添加
负载开路
发现
+
R
S
LT1161
输入
故障
1/4 MM74HC266A
100k
IN
G
负载
1161 F08
图8.故障反馈使用异或非门
低边驱动
虽然LT1161的主要目标是高端
（接地负荷）开关的应用中，也可以使用
为低侧（供应连接的负载） ，或混合的高和
低边开关应用。图9a和9b示出了
LT1161切换信道驱动低侧功率MOSFET。
因为LT1161电荷泵试图泵栅
所述N沟道MOSFET的
以上
供给，钳位齐纳二极管是
为了防止在V所需
GS
的（绝对值最大）的
超出的MOSFET。该LT1161的栅极驱动器
电流限制为这个目的，使得没有阻力是
GATE引脚和齐纳二极管的需要。
12V至48V
V
+
V
+
T
DS
4A
负载
G
15V
1N4744
1161 F09a
+
100F
R
S
0.01
（ PTC ）
LT1161
IRFZ44
图9a。与负载电流感应的低侧驱动器
