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三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar'98
M5M4V64S30ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行2097152 -字×8位）同步DRAM
绝对最大额定值
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25℃
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
评级
-0.5 ~ 4.6
-0.5 ~ 4.6
-0.5 VDD + 0.5
-0.5 VDDQ + 0.5
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
范围
符号
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VIH
VIL
注意： *
参数
分钟。
电源电压
电源电压
电源电压输出
电源电压输出
高电平输入电压所有输入
低电平输入电压所有输入
3.0
0
3.0
0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
0
3.3
0
马克斯。
3.6
0
3.6
0
Vdd+0.3
0.8
V
V
V
V
V
V
单位
VIH （最大值） = VDD + 2.0V的AC脉冲width< = 3ns的可以接受的。
VIL （分钟） = -2V交流脉冲width< = 3ns的接受。
电容
（大= 0 70°C ， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
符号
CI （ A）
CI （ C）
CI （ K）
CI / O
参数
输入电容，地址引脚
输入电容，控制引脚
输入电容， CLK引脚
输入电容， I / O引脚
测试条件
VI = VSS
f=1MHz
Vi=25mVrms
分钟。
2.5
2.5
2.5
4
马克斯。
5
5
4
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
三菱电机
28
