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ISL6140 ， ISL6150
GND
GND
C2
VDD 8
R3
2 OV
R5
3 UV
4 VEE
R4
U1
D7
G6
S5
C1
S
-48V IN
R1
-48V输出
G
漏
FET
R2
R6
1 PG
图30.布局示例（不按比例）
图30显示了一个示例的元件贴装和
路由选择的是图31中所示的典型应用。
GND
R4
UV
R5
OV
R6
V
EE
SENSE
门
C1
R3
漏
C2
RL
-48V IN
R1
Q1
-48V输出
（ LOAD ）
CL
V
DD
PWRGD
GND
注意事项：
1.布局规模近似;路由线只是为了说明
用途;它们不一定符合正常的PCB
设计规则。大电流公交车更宽，平行所示
线。
上述布局2.大小约为1.6 ×0.6英寸;几乎
一半的面积仅仅是场效应晶体管（ D 2 PAK或类似的SMD -220
包） 。
3. R1检测电阻的大小为2512 ;显示所有其它R的和C的是
0805 ;他们都可能使用更小的空间，如果需要的话。
4. RL和CL上未示出的布局。
5. R4采用的是通过连接到GND在电路板的底部;所有
其他路由可以在顶层。 （它甚至有可能消除
通，对于所有顶层路径） 。
6. PWRGD信号不被用在这里。
7. BOM（材料清单）
R1 = 0.02 (5%)
R2 = 10 (5%)
R3 = 18kΩ时（5％）
R4 = 562kΩ （1％）
R5 = 9.09kΩ （1％）
R6 = 10kΩ的（1％）
C1 = 150nF （ 25V ）
C2 =为3.3nF （ 100V ）
Q1 = IRF530 （ 100V ， 17A ， 0.11Ω ）
ISL6140
R2
图31.典型应用
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