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ISL6140 ， ISL6150
浪涌电流
在图26的例子中，电源电压为48V ，并
负载电阻（RL ）是620Ω ，对于周围80毫安。负载
电容为100μF （ 100V ） 。检流电阻（ R1 ）是
（ ;以及在此之上时的浪涌电流2.5A跳变点） 0.02Ω 。
需要注意的是，负载电流从0开始（ FET关断） ;到达
850毫安峰作为栅极电压斜坡和开启
场效应管慢慢地，然后沉淀出来的80毫安，一旦CL是
完全充电到48V 。浪涌电流的宽度
脉冲为8ms宽。为了比较，具有相同的
条件，但没有门控场效应晶体管，电流
超过20A ，一个130μs的脉冲过程中。
浪涌电流
负载
当前
图27.电源上升
过电流2.3A时
在图28中，一个电子负载生成器被用来
坡道负载电流;无负载电阻器或电容器是
连接。检流电阻R1为0.02Ω ;应
使标称过流跳闸点2.5A 。
门高（钳位到13V左右） ，保持
FET导通，由于电流开始从零坡道;该
门开始变为低电平（关断FET），当负载
电流击中2.3A 。注意，只需要44μs的门
关断场效应晶体管（当负载电流为零） 。
请记住，检测电阻的容差（ 1 ％
在这里）和IC过电流跳闸电压（V
CB
）影响
触发点的精度;这就是为什么跳变点不
不一定等于2.5A的设计目标。
48V
门
PWRGD -BAR
图26.浪涌电流
电源斜坡
图27显示了电源电压（ VDD引脚，
相对于GND的VEE引脚）不断上升。在这
情况下，选择的值分别为R4 = 562K ; R5 = 5.9K ;
R6 = 13.3K ;那台周围38V紫外跳变点，并且
OV跳变点为54V 。注意，在GATE开始于0V，而
在那里等待直到紫外线跳闸点（ 38V ）的上限;那么它
斜坡（缓慢，根据所选择的外部部件）
高达约13V ，在那里它被夹持;它在那里等待直到
电源超过54V时的OV跳变点（ GATE
关断比的导通）要快得多。的总时间尺度
是2秒; VDD上升速度简直基础上，
所使用的特定电源的固有特性。
负载电流
2.3 A
R1 = 0.02
欧姆
48V
上不封顶
门
图28.过电流2.3A
图28.过电流2.3A
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