飞思卡尔半导体公司
低压降线性稳压器
的低压降线性调节器由V供给
CC2
。如果V
CC2
超过15.0 V时，输出被限制在14.5 V（典型值） 。
低压降线性稳压器提供5.0 V的逻辑
驾驶员的部分中，在V
gs_ls
缓冲在LR_OUT ，并且
14.5 V的电荷泵，其产生的CP_OUT
低压降线性稳压器提供4.0毫安平均电流
每个驱动器级。
在情况下，全桥，这意味着大约16 mA数 -
8.0毫安的高侧和8.0毫安偏低。
注意：
所需的平均电流的栅极与开关
100kHz的频率为：
外部电容的选择
上电荷泵和线性外部电容
调节器是必要的，以提供高的峰值电流吸收
期间切换。
图7
表示高压侧栅极的简化电路
驱动程序。晶体管TOSC1和TOSC2是振荡器切换
的MOSFET。当TOSC1开启时，振荡器处于低电平。
当TOSC2是，振荡器在较高的水平。电容器
C
CP_OUT
提供峰值电流到高侧MOSFET
通过HSS中开启（ 3 ） 。
V
LR_OUT
V
LR -OUT
Tosc2
Tosc2
CCP
C
CP
C1
C1
Tosc1
Tosc1
C2
C2
CP_OUT
CP_OUT
D1
D1
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I
CP
= Q
g
* f
PWM
= 80 NC * 100千赫= 8.0毫安
在全桥应用程序只有一个高压侧和低压侧
开关同时打开或关闭。
C
CP_OUT
Ccp_out
D2
D2
电荷泵
电荷泵产生的高边驱动器电源
电压（ CP_OUT ） ，缓冲位于C
CP_OUT
.
图6
显示
电荷泵无负载的基本电路。
VCC
V
CC
(2)
V
LR_OUT
V
LR_OUT
D1
D1
V
CP_OUT
CP_OUT
T1
HSS
(3)
GATE_HS
GATE_HS
CCP
C
CP
C1
LSS
OSC 。
OSC 。
A
C2
Ccp_out
C
CP_OUT
T2
Rg
Rg
高边
MOSFET
HS
MOSFET
D2
D2
(1)
SRC_HS
SRC_HS
VBAT
V
CC
图6.电荷泵电路的基本
当振荡器处于低状态时[ （1）
图6]
C
CP
is
直到电压达到V通过D2充电
CC
- V
D2
。当
振荡器处于高状态（ 2 ） ，C
CP
排出尽管D1
在C
CP_OUT ，
和电荷泵， Ⅴ的最终电压
CP_OUT
，是
V
cc
+ V
LR_OUT
- 2V
D
。在33883振荡器的频率是
约330千赫。
码头
引脚
低端
MOSFET
MOSFET
LS
图7.高边栅极驱动器
33883
12
摩托罗拉模拟
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