飞思卡尔半导体公司
静态电气特性（续）
特征条件下V注意
CC
= 12 V, V
CC2
= 12 V ，C
CP
= 33 nF的， G_EN = 4.5 V，除非另有说明。典型值
对于T
A
为T = 25 ℃，最大/最小值
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
电源电压
静态V
CC
电源电流
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 55 V
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 12 V
工作V
CC
电源电流（注5 ）
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
V
CC
= 12 V和V
CC2
= 12 V
IV
CCOP
–
–
IV
CCLOG
–
IV
CC2sleep
–
–
IV
CC2op
–
–
IV
CC2log
–
UV
UV2
OV
OV2
4.0
4.0
57
29.5
–
5.0
5.0
61
31
5.0
5.5
5.5
65
35
V
V
V
V
–
–
12
9.0
mA
–
–
5.0
5.0
mA
–
5.0
A
2.2
0.7
–
–
mA
IV
CCsleep
–
–
–
–
10
10
mA
A
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其他工作V
CC
电源电流为每个逻辑输入端子活跃
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V （注6 ）
静态V
CC2
电源电流
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 12 V
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 28 V
工作V
CC2
电源电流（注5 ）
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
V
CC
= 12 V和V
CC2
= 12 V
其他工作V
CC2
电源电流为每个逻辑输入端子
活跃
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V （注6 ）
欠压关断V
CC
欠压关断V
CC2
（注7 ）
过压关断V
CC
过压关断V
CC2
产量
输出灌电阻（关闭）
IDISCHARGE LSS = 50 mA时， V
SRC_HS
= 0 V （注8 ）
输出源电阻（打开）
ICHARGE HSS = 50 mA时， V
CP_OUT
= 20 V （注8 ）
外部高边MOSFET通过GATE_HSn的充电电流
终端（注8）
最大电压（V
GATE_HS
- V
SRC_HS
)
INH =逻辑1 ，我
S
最大= 5.0毫安
笔记
5.逻辑输入端处于非活动状态（高阻） 。
6.
7.
8.
高频PWM ，荷兰国际集团（
20千赫的逻辑输入） ，将导致在设备内更大的功耗。必须小心保持
在封装的功率处理的评级。
该设备可能会出现在4.0 V和5.5 V.预测行为
SEE
图3中，
第10页，对充电电流的描述。
I
HSS负责
VMAX
–
–
18
R
DS
–
–
22
mA
–
100
200
V
R
DS
–
–
22
33883
6
摩托罗拉模拟
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