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MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1
200
的hFE ，最小直流电流增益
TJ = 125°C
100
75°C
25°C
–15°C
50
–55°C
VCE = 1V
TJ = 25° C和75°C的
20
1
2
5
10
IC ，集电极电流（毫安）
20
50
100
图13.最小电流增益特性
1.4
V （SAT） ，饱和电压（伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
β
F = 10
TJ = 25°C
系数（MV /
°
C)
MAX VBE （SAT）
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
θ
VB的VBE （SAT）
MAX VCE （SAT）
1
2
5
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
–2.0
–2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
80
90
100
θ
VC
θ
VB
θ
VC的VCE （SAT）
近似偏差
从名义
-55℃ + 25℃
±0.15
毫伏/°C的
±0.4
毫伏/°C的
25 ° C至125°C
±0.15
毫伏/°C的
±0.3
毫伏/°C的
（ 25 ° C至125°C ）
（ -55°C至+ 25 ° C）
MIN VBE （SAT）
（ -55°C至+ 25 ° C）
（ 25 ° C至125°C ）
图14.饱和电压限制
图15.典型温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
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