【MMBT2369LT1,MMBT2369ALT1MMBT2369ALT1是首选设备开关晶体管NPN硅】,IC型号MMBT2369ALT1,MMBT2369ALT1 PDF资料,MMBT2369ALT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT2369LT1,

MMBT2369ALT1

MMBT2369ALT1是首选设备

开关晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

符号

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

15

40

4.5

200

单位

VDC

MADC

1

2

1

BASE

2

辐射源

3

SOT23

CASE 318

类型6

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板，（注2 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

225

1.8

R

qJA

P

D

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

XXX M

G

556

mW

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

标记DIAGRAMS

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

XXX = M1J或1JA

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

设备

MMBT2369LT1

MMBT2369LT1G

MMBT2369ALT1

MMBT2369ALT1G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年1月 - 修订版5

出版订单号：

MMBT2369LT1/D

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

集电极发射极击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

V

BE

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0, T

A

= 150°C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 20伏，V

BE

= 0)

基本特征

DC电流增益（注3）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏，T

A

= 55°C)

(I

C

= 30 MADC ，V

CE

= 0.4伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

集电极发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= +125°C)

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 10 MADC ）

基地发射极饱和电压（注3）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= 55°C)

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 10 MADC ）

小信号特性

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

小信号电流增益

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

开关特性

贮存时间

(I

B1

= I

B2

= I

C

= 10 MADC ）

开启时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ）

关断时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ，我

B2

= 1.5 MADC ）

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

t

s

t

on

t

关闭

10

18

8.0

12

ns

5.0

13

ns

C

敖包

h

fe

5.0

4.0

pF

h

FE

MMBT2369

MMBT2369A

MMBT2369

MMBT2369A

V

CE （ SAT ）

MMBT2369

MMBT2369A

V

BE （ SAT ）

MMBT2369A

0.7

0.85

1.02

1.15

1.60

0.25

0.20

0.30

0.25

0.50

VDC

40

20

30

20

120

VDC

MMBT2369A

V

（ BR ） CEO

15

V

（ BR ） CES

40

V

（ BR ） CBO

40

V

（ BR ） EBO

4.5

I

CBO

I

CES

0.4

30

MADC

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

+10.6 V

0

1.5 V

t

1

3V

270

W

+10.75 V

0

9.15 V

t

1

270

W

＆ LT ; 1纳秒

3.3 k

C

s

* < 4 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

3.3 k

C

s

* < 4 pF的

*测试夹具和连接器的总的并联电容。

图1吨

on

电路 - 10毫安

图2吨

关闭

电路 - 10毫安

+10.8 V

2 V

0

t

1

10 V

95

W

+11.4 V

0

8.6 V

t

1

10 V

95

W

＆ LT ; 1纳秒

1k

C

s

* < 12 pF的

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（T

1

）之间

10和500

ms

占空比= 2 ％

1k

1N916

C

s

* < 12 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

*测试夹具和连接器的总的并联电容。

图3吨

on

电路 - 百毫安

图4吨

关闭

电路 - 百毫安

开启波形

V

in

0

V

OUT

t

on

10%

90%

V

in

3.3千瓦

3.3 k

0.0023

mF

0.005

mF

V

BB

+

0.1

mF

50

W

0.0023

mF

0.005

mF

0.1

mF

+V =3V

CC

220

W

0.1

mF

V

OUT

到示波器

输入阻抗= 50

W

上升时间= 1纳秒

关断波形

0

V

in

V

OUT

t

关闭

10%

90%

V

BB

= +12 V

V

in

= 15 V

脉冲发生器

V

in

上升时间< 1纳秒

源阻抗= 50

W

PW

≥

300纳秒

占空比< 2 ％

50

W

图5.导通和关断时间测试电路

http://onsemi.com

3

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

6

5

4

电容（pF）

3

C

ib

C

ob

T

J

= 25°C

100

极限

典型

开关时间（纳秒）

50

t

r

(V

CC

= 3 V)

t

f

t

r

V

CC

= 10 V

β

F

= 10

V

CC

= 10 V

V

OB

= 2 V

20

10

5

2

t

s

t

d

1

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

反向偏置（伏）

5.0

10

2

1

2

5

10

20

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

图6.结电容的变化

图7.典型的开关时间

<

选择

C

选择

时间

C=0

+6 V

0

4 V

t

1

10 V

980

＆ LT ; 1纳秒

500

C

s

* < 3 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

图8.关断波形

图9.存储时间等效测试电路

http://onsemi.com

4

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

VCE ，最大集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

I

C

= 3毫安

0.6

I

C

= 10毫安

I

C

= 30毫安

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

0.8

0.4

0.2

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

I

B

，基极电流（毫安）

2

5

10

20

图10.最大集电极饱和电压特性

200

的hFE ，最小直流电流增益

T

J

= 125°C

100

75°C

25°C

15°C

50

55°C

V

CE

= 1 V

T

J

= 25 ° C和75°C的

20

1

2

5

10

I

C

，集电极电流（毫安）

20

50

100

图11.最小电流增益特性

1.4

V （SAT），饱和电压（伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

MAX V

CE （ SAT ）

1

2

5

10

20

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

β

F

= 10

T

J

= 25°C

MAX V

BE （ SAT ）

闵V

BE （ SAT ）

图12.饱和电压限制

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MMBT2369LT1 / D

开关晶体管

NPN硅

1

BASE

集热器

3

MMBT2369LT1

MMBT2369ALT1*

*摩托罗拉的首选设备

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

VCEO

VCES

VCBO

VEBO

IC

价值

15

40

4.5

200

2

辐射源

单位

VDC

MADC

1

2

3

CASE 318 - 08 ，类型6

SOT- 23 （ TO - 236AB ）

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局（ 1 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（ 2 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

PD

最大

225

1.8

R

q

JA

PD

556

300

2.4

R

q

JA

TJ ， TSTG

417

- 55 + 150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

MMBT2369LT1 = M1J ; MMBT2369ALT1 = 1JA

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 10

μAdc ，

VBE = 0）的

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

m

的adc ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 10

m

ADC ， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）

（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ， TA = 150 ° C）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， VBE = 0 ）

1， FR- 5 = 1.0

0.75 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%.

热复合是贝格斯公司的一个注册商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

V（ BR ） CEO

15

V（ BR ） CES

40

V（ BR ） CBO

40

V（ BR ） EBO

4.5

ICBO

—

冰

MMBT2369A

—

0.4

—

0.4

30

—

VDC

μAdc

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

电气特性

（续）（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

DC电流增益（3）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 0.35伏）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 0.35伏， TA = -55°C ）

（ IC = 30 MADC ， VCE = 0.4 V直流）

（ IC = 100 MADC ， VCE = 2.0 V直流）

（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ， TA = + 125 ° C）

（ IC = 30 MADC ， IB = 3.0 MADC ）

（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）

基地 - 发射极饱和电压（ 3 ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ， TA = -55°C ）

（ IC = 30 MADC ， IB = 3.0 MADC ）

（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）

的hFE

MMBT2369

MMBT2369A

MMBT2369

MMBT2369A

VCE （ SAT ）

MMBT2369

MMBT2369A

VBE （ SAT ）

MMBT2369A

0.7

—

0.85

1.02

1.15

1.60

—

0.25

0.20

0.30

0.25

0.50

VDC

40

—

40

20

30

20

—

120

—

VDC

—

小信号特性

输出电容

（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

小信号CurrentGain

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）

科博

—

的hFE

5.0

—

4.0

—

pF

开关特性

贮存时间

（ IB1 = IB2 = IC = 10 MADC ）

开启时间

（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ， IB1 = 3.0 MADC ）

关断时间

（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ， IB1 = 3.0 MADC ， IB2 = 1.5 MADC ）

3.脉冲测试：脉冲宽度

ts

—

吨

—

花花公子

—

10

18

8.0

12

ns

5.0

13

ns

v

300

m

S，占空比

v

2.0%.

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

切换时间相等的测试电路是否2N2369 ， 2N3227

+10.6 V

0

–1.5 V

t1

3V

270

+10.75 V

0

–9.15 V

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（ t1）的= 300纳秒

占空比= 2 ％

t1

270

＆ LT ; 1纳秒

3.3 k

CS * < 4 pF的

3.3 k

CS * < 4 pF的

脉冲宽度（ t1）的= 300纳秒

占空比= 2 ％

图1吨电路 - 10毫安

图3.花花公子电路 - 10毫安

+10.8 V

–2 V

0

t1

10 V

95

+11.4 V

0

–8.6 V

t1

10 V

95

＆ LT ; 1纳秒

1k

CS * < 12 pF的

脉冲宽度（ t1）的= 300纳秒

占空比= 2 ％

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（ T1）之间

10和500

s

占空比= 2 ％

1k

1N916

CS * < 12 pF的

图2吨电路 - 百毫安

图4.花花公子电路 - 百毫安

*测试夹具和连接器的总的并联电容。

开启波形

VIN

0

吨

10%

VOUT

90%

VIN

3.3 k

0.0023

F

0.005

F

VBB +

–

0.1

F

50

0.0023

F

0.005

F

0.1

F

+V =3V

– CC

220

0.1

F

VOUT

0

到示波器

输入阻抗= 50

上升时间= 1纳秒

关断波形

VIN

VOUT

花花公子

10%

90%

VBB = + 12V

VIN = -15 V

脉冲发生器

VIN上升时间< 1纳秒

源阻抗= 50

PW

≥

300纳秒

占空比< 2 ％

50

图5.导通和关断时间测试电路

6

5

4

电容（pF）

3

兴业银行

COB

TJ = 25°C

极限

典型

开关时间（纳秒）

100

50

TR （ VCC = 3V）

tf

tr

10

5

ts

VCC = 10 V

β

F = 10

VCC = 10 V

VOB = 2 V

20

2

td

1

0.1

2

0.2

0.5

1.0

2.0

反向偏置（伏）

5.0

10

1

2

5

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

图6.结电容的变化

图7.典型的开关时间

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

500

VCC = 10 V

25°C

100°C

QT ，

β

F = 10

QT ，

β

F = 40

+5 V

100

0

50

QA ， VCC = 10 V

20

10

1

2

5

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

QA ， VCC = 3 V

V

＆ LT ; 1纳秒

4.3 k

270

值是指

IC = 10 mA测试

200

CHARGE （ PC）

t1

3V

10 pF的最大

CS * < 4 pF的

脉冲宽度（ t1）的= 5

s

占空比= 2 ％

图9. QT测试电路

图8.最大充电数据

< COPT

C

COPT

时间

C=0

+6 V

0

–4 V

t1

10 V

980

＆ LT ; 1纳秒

500

CS * < 3 pF的

脉冲宽度（ t1）的= 300纳秒

占空比= 2 ％

图10.关断波形

VCE ，最大集电极 - 发射极电压（伏）

图11.存储时间等效测试电路

1.0

TJ = 25°C

IC = 3毫安

0.6

IC = 10毫安

IC = 30毫安

IC = 50毫安

IC = 100毫安

0.8

0.4

0.2

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

IB ，基极电流（毫安）

2

5

10

20

图12.最大集电极饱和电压特性

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

200

的hFE ，最小直流电流增益

TJ = 125°C

100

75°C

25°C

–15°C

50

–55°C

VCE = 1V

TJ = 25° C和75°C的

20

1

2

5

10

IC ，集电极电流（毫安）

20

50

100

图13.最小电流增益特性

1.4

V （SAT），饱和电压（伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

β

F = 10

TJ = 25°C

系数（MV /

°

C)

MAX VBE （SAT）

1.0

0.5

0

–0.5

–1.0

–1.5

θ

VB的VBE （SAT）

MAX VCE （SAT）

1

2

5

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

–2.0

–2.5

0

10

20

30

40

50

60

70

IC ，集电极电流（毫安）

80

90

100

θ

VC

θ

VB

θ

VC的VCE （SAT）

近似偏差

从名义

-55℃ + 25℃

±0.15

毫伏/°C的

±0.4

毫伏/°C的

25 ° C至125°C

±0.15

毫伏/°C的

±0.3

毫伏/°C的

（ 25 ° C至125°C ）

（ -55°C至+ 25 ° C）

MIN VBE （SAT）

（ -55°C至+ 25 ° C）

（ 25 ° C至125°C ）

图14.饱和电压限制

图15.典型温度系数

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

乐山无线电公司， LTD 。

开关晶体管

NPN硅

1

BASE

3

集热器

MMBT2369LT1

MMBT2369ALT1

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

2

辐射源

价值

15

40

4.5

200

单位

VDC

MADC

1

2

CASE 318-08 ，风格6

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

I

C

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局，（ 1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（2）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

R

θJA

P

D

556

300

2.4

417

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

T

J

, T

英镑

器件标识

MMBT2369LT1 = M1J ， MMBT2369ALT1 = 1JA

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 10

μAdc ，

V

BE

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

μAdc ，

I

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 10

μAdc ，

I

C

= 0)

集电极截止电流（V

CB

= 20VDC ，我

E

= 0)

( V

CB

= 20VDC ，我

E

= 0, T

A

=150 °C)

收藏家Cuto FF电流

( V

CE

= 20VDC ，V

BE

= 0)

MMBT2369A

1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％。

I

CES

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

15

40

4.5

—

0.4

30

0.4

VDC

μAdc

I

CBO

O6–1/5

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT2369LT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

h

FE

MMBT2369

MMBT2369A

MMBT2369

MMBT2369A

V

CE （ SAT ）

MMBT2369

MMBT2369A

V

MMBT2369A

BE （ SAT ）

MMBT2369ALT1

民

典型值

最大

单位

––

基本特征

DC电流增益（3）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏，T

A

= –55°C )

(I

C

= 30 MADC ，V

CE

= 0.4Vdc ）

(I

C

= 100mAdc ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 100mAdc ，V

CE

= 1.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= + 125°C )

(I

C

= 30mAdc ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100mAdc ，我

B

= 10 MADC ）

基射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= – 55°C)

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 10 MADC ）

40

––

40

20

30

20

––

0.7

––

120

––

VDC

0.25

0.20

0.30

0.25

0.50

VDC

0.85

1.02

1.15

1.60

小信号特性

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

小信号电流增益

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 10 MADC ， F = 100兆赫）

C

敖包

h

fe

––

5.0

––

—

4.0

—

pF

—

开关特性

贮存时间

(I

B1

= I

B2

= I

C

= 10 MADC ）

开启时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ）

关断时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ，我

B2

= 1.5 MADC ）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％。

t

s

t

on

t

关闭

—

5.0

8.0

10

13

12

18

ns

O6–2/5

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT2369LT1

MMBT2369ALT1

切换时间相等的测试电路是否2N2369 ， 2N3227

t

1

+10.6 V

0

–1.5 V

＆ LT ; 1纳秒

3V

270

+10.75V

0

3.3 k

（C S） * < 4 pF的

–9.15 V

t

1

270

3V

＆ LT ; 1纳秒

3.3 k

（C S） * < 4 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

图1吨

on

电路 - 10毫安

95

10V

+11.4 V

0

＆ LT ; 1纳秒

1k

（C S） * < 12 pF的

–8.6 V

图3吨

关闭

电路 - 10毫安

+10.8 V

0

–2 V

t

1

t

1

95

10V

1k

＆ LT ; 1纳秒

（C S） * < 12 pF的

1N916

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

脉冲宽度（T

1

）之间

10AND 500

s

占空比= 2 ％

图2吨

on

电路 - 百毫安

开启波形

0.1

F

图4吨

关闭

电路 - 百毫安

到示波器

输入阻抗= 50

上升时间= 1纳秒

V OUT

V

in

0

t

on

V

OUT

10%

3.3 k

90%

V

in

3.3 k

50

0.0023

F

0.005

F

0.1

F

V

BB

220

关断波形

0

50

0.0023

F

0.005

F

0.1

F

V

CC

= 3 V

V

in

V

OUT

10%

90%

脉冲发生器

V

in

上升时间< 1纳秒

源阻抗= 50

PW > 300纳秒

占空比< 2 ％

t

关闭

V

BB

= +12 V

V

in

= –15 V

图5.导通和关断时间测试电路

6

5

4

100

T

J

= 25°C

极限

典型

β

F

= 10

50

C

ib

开关时间（纳秒）

V

CC

= 10 V

V

OB

= 2 V

t

r

(V

CC

= 3 V)

t

f

V

CC

= 10 V

t

r

电容（pF）

3

C

ob

20

2

10

5

t

s

t

d

1

2

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

1

2

5

10

20

50

100

反向偏置（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.结电容的变化

图7.典型的开关时间

O6–3/5

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

500

V

CC

= 10 V

25°C

200

Q

T

,β

F

=10

Q

T

,β

F

=40

+5 V

V

0

＆ LT ; 1纳秒

（C S） * < 4 pF的

4.3 k

100°C

t

1

3V

10 pF的最大

270

值是指

I

C

= 10 mA测试

CHARGE （PF ）

100

50

Q

A

,V

CC

=10V

20

Q

A

,V

CC

=3 V

脉冲宽度（T

1

）= 5毫秒

占空比= 2 ％

图9. Q T测试电路

10

1

2

5

10

20

50

100

I

C

，集电极电流（毫安）

图8.最大充电数据

t

1

< OPT

C=0

C

选择

时间

+6 V

0

–4 V

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

10 V

980

500

（C S） * < 3 pF的

图10.关断波形

图11.存储时间等效测试电路

V

CE

最大集电极 - 发射

电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

0.8

I

C

=3mA

0.6

I

C

= 10毫安

I

C

=30mA

I

C

=50mA

I

C

=100mA

0.4

0.2

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

I

B

，基极电流（毫安）

图12.最大集电极饱和电压特性

O6–4/5

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1

h

FE

，最小直流电流增益

200

T

J

= 125°C

V

CE

= 1 V

100

75°C

25°C

T

J

= 25 ° C和75°C的

–15°C

50

–55°C

20

1

2

5

10

20

50

100

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.最小电流增益特性

1.4

1.0

V

（SAT）

，饱和电压（伏）

1.2

β

F

= 10

T

J

= 25°C

MAX V

BE （ SAT ）

系数（毫伏/ ℃）

0.5

0

–0.5

θ

VC

θ

VC

对于V

CE （ SAT ）

近似偏差

从名义

-55℃ + 25℃

± 0.15毫伏/°C的

± 0.4毫伏/°C的

θ

VB

25 ° C至125°C

± 0.15毫伏/°C的

± 0.3毫伏/°C的

（ 25 ° C至125°C ）

（ -55°C至+ 25 ° C）

1.0

0.8

闵V

BE （ SAT ）

–0.1

–1.5

（ -55°C至+ 25 ° C）

（ 25 ° C至125°C ）

0.6

0.4

θ

VB

对于V

BE （ SAT ）

–2.0

–2.5

MAX V

CE （ SAT ）

1

2

5

10

20

50

100

0.2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图14.饱和电压限制

图15.典型温度系数

O6–5/5

MMBT2369LT1,

MMBT2369ALT1

MMBT2369ALT1是首选设备

开关晶体管

NPN硅

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

15

40

4.5

200

单位

VDC

MADC

1

BASE

2

辐射源

集热器

3

http://onsemi.com

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗氧化铝

基板，（注2 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

R

qJA

P

D

556

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55

+150

单位

mW

3

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

2

SOT–23

CASE 318

类型6

标记DIAGRAMS

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

M1J X

1JA X

MMBT2369LT1

MMBT2369ALT1

M1J ， 1JA =具体设备守则

X

=日期代码

订购信息

设备

MMBT2369LT1

MMBT2369ALT1

包

SOT–23

航运

3000 /磁带&卷轴

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年5月 - 第3版

出版订单号：

MMBT2369LT1/D

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 10

μAdc ，

V

BE

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0, T

A

= 150°C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 20伏，V

BE

= 0)

MMBT2369A

V

（ BR ） CEO

15

V

（ BR ） CES

40

V

（ BR ） CBO

40

V

（ BR ） EBO

4.5

I

CBO

–

I

CES

–

0.4

–

0.4

30

μAdc

–

μAdc

–

VDC

–

VDC

–

VDC

基本特征

DC电流增益（注3）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 0.35伏，T

A

= –55°C)

(I

C

= 30 MADC ，V

CE

= 0.4伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= +125°C)

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 10 MADC ）

基射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ，T

A

= –55°C)

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 3.0 MADC ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 10 MADC ）

h

FE

MMBT2369

MMBT2369A

MMBT2369

MMBT2369A

V

CE （ SAT ）

MMBT2369

MMBT2369A

V

BE （ SAT ）

MMBT2369A

0.7

–

0.85

1.02

1.15

1.60

–

0.25

0.20

0.30

0.25

0.50

VDC

40

–

40

20

30

20

–

120

–

VDC

–

小信号特性

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

小信号CurrentGain

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

C

敖包

–

h

fe

5.0

–

4.0

–

pF

开关特性

贮存时间

(I

B1

= I

B2

= I

C

= 10 MADC ）

开启时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ）

关断时间

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，我

B1

= 3.0 MADC ，我

B2

= 1.5 MADC ）

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

t

s

–

t

on

–

t

关闭

–

10

18

8.0

12

ns

5.0

13

ns

http://onsemi.com

2

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

切换时间相等的测试电路是否2N2369 ， 2N3227

+10.6 V

0

-1.5 V

t

1

3V

270

+10.75 V

C

s

* < 4 pF的

0

-9.15 V

t

1

270

＆ LT ; 1纳秒

3.3 k

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

＆ LT ; 1纳秒

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

3.3 k

C

s

* < 4 pF的

*测试夹具和连接器的总的并联电容。

图1吨

on

电路 - 10毫安

95

图3吨

关闭

电路 - 10毫安

t

1

95

+10.8 V

-2 V

0

t

1

10 V

+11.4 V

C

s

* < 12 pF的

0

-8.6 V

10 V

＆ LT ; 1纳秒

1k

＆ LT ; 1纳秒

1k

1N916

C

s

* < 12 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

脉冲宽度（T

1

）之间

10和500

s

占空比= 2 ％

*测试夹具和连接器的总的并联电容。

图2吨

on

电路 - 百毫安

图4吨

关闭

电路 - 百毫安

到示波器

输入阻抗= 50

上升时间= 1纳秒

V

OUT

0

关断波形

V

in

V

OUT

+V =3V

-

CC

t

关闭

10%

90%

V

BB

= +12 V

V

in

= -15 V

开启波形

V

in

0

t

on

10%

V

OUT

90%

V

in

3.3 k

0.0023

F

0.005

F

V

BB

+

-

0.1

F

0.0023

F

0.005

F

0.1

F

50

220

0.1

F

脉冲发生器

V

in

上升时间< 1纳秒

源阻抗= 50

PW

≥

300纳秒

占空比< 2 ％

50

图5.导通和关断时间测试电路

6

5

4

电容（pF）

3

C

ib

C

ob

100

50

开关时间（纳秒）

t

r

(V

CC

= 3 V)

t

f

t

r

T

J

= 25°C

极限

典型

β

F

= 10

V

CC

= 10 V

V

OB

= 2 V

V

CC

= 10 V

20

10

5

2

t

s

t

d

50

100

1

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

反向偏置（伏）

5.0

10

2

1

2

5

10

20

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.结电容的变化

图7.典型的开关时间

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3

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

500

V

CC

= 10 V

25°C

100°C

Q

T

,

β

F

= 10

Q

T

,

β

F

= 40

+5 V

100

0

50

Q

A

, V

CC

= 10 V

20

10

Q

A

, V

CC

= 3 V

V

＆ LT ; 1纳秒

270

值是指

I

C

= 10 mA测试

C

s

* < 4 pF的

200

CHARGE （ PC）

t

1

3V

10 pF的最大

脉冲宽度（T

1

) = 5

s

占空比= 2 ％

4.3 k

图9.问

T

测试电路

50

100

1

2

5

10

20

I

C

，集电极电流（毫安）

图8.最大充电数据

<

选择

C

选择

时间

C=0

+6 V

-4 V

t

1

0

＆ LT ; 1纳秒

10 V

980

500

C

s

* < 3 pF的

脉冲宽度（T

1

） = 300纳秒

占空比= 2 ％

图10.关断波形

VCE ，最大集电极 - 发射极电压（伏）

图11.存储时间等效测试电路

1.0

T

J

= 25°C

I

C

= 3毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 30毫安

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

0.8

0.6

0.4

0.2

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

I

B

，基极电流（毫安）

2

5

10

20

图12.最大集电极饱和电压特性

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4

MMBT2369LT1 ， MMBT2369ALT1

200

的hFE ，最小直流电流增益

T

J

= 125°C

100

75°C

25°C

-15°C

50

-55°C

V

CE

= 1 V

T

J

= 25 ° C和75°C的

20

1

2

5

10

I

C

，集电极电流（毫安）

20

50

100

图13.最小电流增益特性

1.4

V （SAT），饱和电压（伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

MAX V

CE （ SAT ）

1

2

5

10

20

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

β

F

= 10

T

J

= 25°C

系数（MV /

°

C)

MAX V

BE （ SAT ）

闵V

BE （ SAT ）

1.0

0.5

0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

0

10

θ

VB

对于V

BE （ SAT ）

θ

VC

θ

VB

θ

VC

对于V

CE （ SAT ）

近似偏差

从名义

-55 ° C至+ 25°C

±0.15

毫伏/°C的

±0.4

毫伏/°C的

25 ° C至125°C

±0.15

毫伏/°C的

±0.3

毫伏/°C的

（ 25 ° C至125°C ）

（ -55°C至+ 25 ° C）

（ 25 ° C至125°C ）

20

30

40

50

60

70

I

C

，集电极电流（毫安）

80

90

100

图14.饱和电压限制

图15.典型温度系数

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5