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SMBTA42/MMBTA42
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 )
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
V
BESAT
-
-
0.9
V
CESAT
h
FE
25
40
40
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
V
-
I
EBO
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
20
A
I
CBO
-
-
100
nA
V
( BR ) EBO
6
-
-
V
( BR ) CBO
300
-
-
V
( BR ) CEO
300
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 20 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
-
4
pF
f
T
50
-
-
兆赫
1 )脉冲测试:吨< 300秒; < 2 %

2
Feb-21-2003

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