飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
re
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
反馈电容
跃迁频率
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 20 V;
F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 20 V;
F = 100 MHz的
25
40
40
50
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
MMBTA42
单位
K / W
马克斯。
100
100
单位
nA
nA
500
900
3
mV
mV
pF
兆赫
2000年04月11
3
