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通过DTC114TE / D
初步数据表
偏置电阻晶体管
DTC114TE
3
2
1
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管被设计来取代单一的
设备及其外部电阻偏置网络。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该DTC114TE
被容纳在SOT -416 / SC- 90封装，非常适合于低功率表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
在（1）
R1
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
OUT （3）
R1 = 10 kΩ的
GND （2）
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
器件标识
DTC114TE = 94
热特性
功率耗散@ TA = 25° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
结温
PD
TJ ， TSTG
TJ
*125
- 55 + 150
150
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 50
μAdc ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 50
μAdc ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50伏）
发射基截止电流（ VEB = 4.0伏）
直流电流增益（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
输入阻抗
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
的hFE
VCE （ SAT ）
R1
民
50
50
5.0
—
—
100
—
7.0
典型值
—
—
—
—
—
300
—
10
最大
—
—
—
500
500
600
0.3
13
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
—
VDC
千欧
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
*典型电特性曲线不是此时可用。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
