百毫安/ 50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTC114TM / DTC114TE / DTC114TUA / DTC114TKA
z
应用
逆变器，接口，驱动器
z
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构没有连接外部输入电阻器（见
等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的负偏置。他们还
具有几乎完全消除了寄生效应的优点。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
z
结构
NPN型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
z
尺寸
（单位：毫米）
DTC114TM
0.2
DTC114TE
1.2
0.32
(3)
1.6
0.3
( 3)
0.7
0.55
0.8
( 2)
(1)
0.4 0.4
0.13
0.5
0.2
0.2
0.5 0.5
ROHM ： VMT3
0.8
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.15
0.1Min.
0.2
0.22
(1)(2)
0.8
1.2
1.6
ROHM ： EMT3
1.0
缩写符号： 04
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号： 04
DTC114TUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTC114TKA
2.9
0.4
(3)
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.3Min.
0.65 0.65
0.1Min.
(2)
(1)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
1.3
0.15
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
1.6
2.8
0.95 0.95
0.15
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 04
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
1.9
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 04
z
内部电路
C
B
R
1
E
B：基本
C：收藏家
E：发射器
R
1
=10kΩ
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c
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1/2
2009.06 - Rev.C
DTC114TM / DTC114TE / DTC114TUA / DTC114TKA
z
包装规格
包
套餐类型
CODE
基本订购
单位（件）
数据表
VMT3
TAPING
EMT3
TAPING
UMT3
TAPING
SMT3
TAPING
T2L
8000
TL
3000
T106
3000
T146
3000
产品型号
DTC114TM
DTC114TE
DTC114TUA
DTC114TKA
z
绝对最大额定值
(Ta=25qC)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTA114TM DTA114TE DTA114TUA DTA114TKA
50
50
5
100
200
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
z
电气特性
(Ta=25qC)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
内置的晶体管的特性
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
10
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
μA
μA
V
kΩ
兆赫
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
z
电气特性曲线
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
直流电流增益：H
FE
V
CE
=
5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100μ 200μ
500μ 1m
2m
Ta=100°C
25°C
40°C
l
C
/l
B
=10
200
100
50
20
10
5
2
1
100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m
50m 100m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
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2/2
2009.06 - Rev.C
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"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
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示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
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信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
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R0039A
DTC114TE/DTC114TUA/DTC114TKA
DTC114TCA/TC114TSA
公司Bauelemente
NPN数字晶体管（内置电阻）
特点
*内置偏置电阻实现的配置
不连接的输入电阻器的逆变器电路
*仅在开/关confitions需要对操作进行设置，
使装置的设计容易。
*薄膜电阻，偏置电阻consis
竞争隔离允许的负偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTC114TE
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
缩写符号： 04
SOT-323
缩写符号： 04
DTC114TUA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-523
DTC114TKA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
DTC114TCA
DTA114ECA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-23-3L
缩写符号： 04
SOT-23
缩写符号： 04
DTC114TSA
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
TO-92S
http://www.SeCoSGmbH.com
l
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第1页2
公司Bauelemente
DTC114TE/DTC114TUA/DTC114TKA
DTC114TCA/TC114TSA
NPN数字晶体管（内置电阻）
最大额定值*
T
A
=25
℃
除非另有说明
符号
参数
E
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
结温和存储温度
150
LIMITS(DTC114T□)
UA
KA
50
50
5
100
200
300
CA
SA
V
V
V
mA
mW
℃
℃
单位
Tj
T
J
, T
英镑
150
-55~+150
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开关输入电阻
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
R1
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
50
50
5
0.5
0.5
100
300
600
0.3
250
7
10
13
V
兆赫
kΩ
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
IC 。
50
A，I
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
50
A，I
C
=0
V
CB
=
50
V，I
E
=0
V
EB
=
4
V，I
C
=0
V
CE
=
5
V，I
C
=
1
mA
I
C
=10mA,I
B
=1mA
V
CE
=
10
V，I
E
=-
5
毫安， F =
100
兆赫
典型特征
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第2页2
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC114TE / DTC114TUA / DTC114TKA
DTC114TCA / DTC114TSA
FFeatures
1 ）内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的负偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FStructure
NPN数字晶体管
（对于单建于电阻）
FEquivalent
电路
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-311-C114T)
396
晶体管
DTC114TE/DTC114TUA/DTC114TKA/DTC114TCA/DTC114TSA
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
397
晶体管
DTC114TE/DTC114TUA/DTC114TKA/DTC114TCA/DTC114TSA
FElectrical
特性曲线
398
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过DTC114TE / D
初步数据表
偏置电阻晶体管
DTC114TE
3
2
1
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管被设计来取代单一的
设备及其外部电阻偏置网络。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该DTC114TE
被容纳在SOT -416 / SC- 90封装，非常适合于低功率表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
在（1）
R1
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
OUT （3）
R1 = 10 kΩ的
GND （2）
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
器件标识
DTC114TE = 94
热特性
功率耗散@ TA = 25° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
结温
PD
TJ ， TSTG
TJ
*125
- 55 + 150
150
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 50
μAdc ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 50
μAdc ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50伏）
发射基截止电流（ VEB = 4.0伏）
直流电流增益（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
输入阻抗
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
的hFE
VCE （ SAT ）
R1
民
50
50
5.0
—
—
100
—
7.0
典型值
—
—
—
—
—
300
—
10
最大
—
—
—
500
500
600
0.3
13
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
—
VDC
千欧
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
*典型电特性曲线不是此时可用。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
DTC114TE
推荐的最低足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算公式如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 125毫瓦
1000°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在1000℃ / W的假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的125毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
DTC114TE
包装尺寸
–A–
S
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
–––
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028
0.031
0.055
0.071
0.024
0.035
0.006
0.012
0.039 BSC
–––
0.004
0.004
0.010
0.057
0.069
0.004
0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
CASE 463-01
发出
SOT–416/SC–90
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
DTC114TE/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*DTC114TE/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过DTC114TE / D
初步数据表
偏置电阻晶体管
DTC114TE
3
2
1
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管被设计来取代单一的
设备及其外部电阻偏置网络。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该DTC114TE
被容纳在SOT -416 / SC- 90封装，非常适合于低功率表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
在（1）
R1
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
OUT （3）
R1 = 10 kΩ的
GND （2）
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
器件标识
DTC114TE = 94
热特性
功率耗散@ TA = 25° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
结温
PD
TJ ， TSTG
TJ
*125
- 55 + 150
150
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 50
μAdc ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 50
μAdc ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50伏）
发射基截止电流（ VEB = 4.0伏）
直流电流增益（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
输入阻抗
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
的hFE
VCE （ SAT ）
R1
民
50
50
5.0
—
—
100
—
7.0
典型值
—
—
—
—
—
300
—
10
最大
—
—
—
500
500
600
0.3
13
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
—
VDC
千欧
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
*典型电特性曲线不是此时可用。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
DTC114TE
推荐的最低足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算公式如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 125毫瓦
1000°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在1000℃ / W的假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的125毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
DTC114TE
包装尺寸
–A–
S
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
–––
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028
0.031
0.055
0.071
0.024
0.035
0.006
0.012
0.039 BSC
–––
0.004
0.004
0.010
0.057
0.069
0.004
0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
CASE 463-01
发出
SOT–416/SC–90
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
DTC114TE/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*DTC114TE/D*
DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
江苏长电科技股份有限公司
数字晶体管（内置电阻）
DTC114TE/DTC114TUA
DTC114TKA / DTC114TCA / DTC114TSA
数字晶体管（ NPN ）
特点
内置偏置电阻实现的配置
逆变电路，而无需连接extemal输入电阻。
薄膜电阻，偏置电阻conisit
完全隔离，无需连接extemal输入。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
只有通/断条件需要设置操作，
标记装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTC114TE
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
Addreviated符号： 04
SOT-323
Addreviated符号： 04
DTC114TUA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-523
DTC114TKA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
DTC114TCA
DTA114ECA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-23-3L
Addreviated符号： 04
SOT-23
Addreviated符号： 04
DTC114TSA
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
TO-92S
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
数字晶体管（内置电阻）
DTC114TE/DTC114TUA
DTC114TKA / DTC114TCA / DTC114TSA
数字晶体管（ NPN ）
特点
内置偏置电阻实现的配置
逆变电路，而无需连接extemal输入电阻。
薄膜电阻，偏置电阻conisit
完全隔离，无需连接extemal输入。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
只有通/断条件需要设置操作，
标记装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTC114TE
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
Addreviated符号： 04
SOT-323
Addreviated符号： 04
DTC114TUA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-523
DTC114TKA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
DTC114TCA
DTA114ECA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-23-3L
Addreviated符号： 04
SOT-23
Addreviated符号： 04
DTC114TSA
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
TO-92S
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTC114TE
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效电路）
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应
只有通/断条件需要设置操作，使得
装置的设计容易
NPN数字晶体管
SOT-523
A
D
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
50
50
5
100
150
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
G
3
1
B
2
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
H
J
K
电气特性
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
R
1
f
T
尺寸
参数
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50uA的，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1mA时，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50uA的，我
C
=0)
集电极截止电流
(V
CB
= 50V ，我
E
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= 4V ，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 5V ，我
C
=1mA)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10毫安，我
B
=1mA)
输入电阻
跃迁频率
(V
CE
= 10V ，我
C
= -5mA中，f = 100MHz时）
民
50
50
5
---
---
100
---
7
---
典型值
---
---
---
---
---
300
---
10
250
最大
---
---
---
0.5
0.5
600
0.3
13
---
单位
V
V
V
uA
uA
---
V
K
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
记
*标记： 04
www.mccsemi.com
修订版：A
1作者：
3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3
of
3
2011/01/01
3
DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
03
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
Rev.A的29 -JUL- 08
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
QQ：2881677436 复制
