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BC 846W ... BC 850W
特征
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
描述
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
C
IBO
10
k
2.7
4.5
8.7
10
–4
1.5
2.0
3.0
-
200
330
600
S
18
30
60
1.4
1.4
1.2
1.0
dB
V
n
公元前850 W
0.135
4
3
4
4
V
2
pF
250
pF
兆赫
评级
典型值。
马克斯。
单位
短路输入阻抗
h
11e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
开路反向电压传输比
h
12e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
短路正向电流传输比
h
21e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
开路输出导纳
h
22e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
F = 30 Hz的... 15千赫
F = 1千赫
f
= 200赫兹
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
F = 10 Hz的... 50赫兹
曲线看到公元前846 ...公元前840
半导体集团
4
F
公元前849 W
公元前850 W
公元前849 W
公元前850 W

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