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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第365页 > BC848CW
MCC
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
NPN
通用
晶体管
SOT-323
A
D
特点
完成/符合RoHS ( "P"后缀候
无铅
符合RoHS 。参见订购信息)
低电流(最大100毫安)
低电压(最大65V )
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
最大额定值
工作温度: -65至+150
存储温度: -65至+150
从结点到环境的热阻* : 625K / W
标记: BC846AW --- 1A ; BC846BW --- 1B
BC847AW --- 1E ; BC847BW --- 1F ; BC847CW --- 1G
BC848AW --- 1JS / 1J ; BC848BW --- 1KS / 1K ; BC848CW --- 1LS / 1L
C
B
C
电气特性@ 25
符号
参数
除非另有说明
最大
单位
B
F
E
E
开关特性
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10uAdc ,我
E
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1μAdc ,我
C
=0)
BC846AW / BW , BC847AW / BW / CW
BC848AW/BW/CW
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
VDC
G
H
J
---
---
---
80
50
30
VDC
K
尺寸
英寸
最大
.071
.087
.045
.053
.079
.087
0.026名义
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
V
( BR ) CEO
---
---
---
65
45
30
VDC
V
( BR ) EBO
I
C
I
CM
I
BM
---
---
---
---
---
6
5
100
200
200
MADC
MADC
MADC
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
*晶体管安装在一FR4印刷电路板
建议焊料
焊盘布局
0.70
0.90
1.90
英寸
mm
0.65
0.65
修订版:A
www.mccsemi.com
1作者:
5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
基本特征
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
(I
CE
=0, V
CB
=30Vdc)
(I
CE
=0, V
CB
= 30V直流,T
j
=150 )
发射极 - 基极截止电流
(I
C
=0, V
EB
=5Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0.5mAdc)
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=5mAdc*)
基射极饱和电压
(I
C
=10mAdc,I
B
=0.5mAdc)
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=5mAdc*)
直流电流增益(I
C
= 10μA ; V
CE
=5V)
BC846AW ; BC847AW ; BC848AW
BC846BW ; BC847BW ; BC848BW
BC847CW;BC848CW
直流电流增益(I
C
= 2毫安; V
CE
=5V)
BC846AW ; BC847AW ; BC848AW
BC846BW ; BC847BW ; BC848BW
BC847CW;BC848CW
V
BE
基射极电压
(I
C
=2mAdc,V
CE
=5V)
(I
C
=10mAdc,V
CE
=5V)
集电极电容(V
CB
= 10V ;我
E
=I
e
= 0; F = 1MHz的)
过渡频率(V
CE
= 5V ;我
C
= 10毫安; F = 100MHz时)
噪声系数(V
CE
= 5V ;我
C
= 200μA ; F = 1KHz的; B = 200Hz的;
S
=2K)
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值
---
---
---
90
200
700
900
90
150
270
最大
15
5
100
250
600
---
---
---
---
---
单位
nA
A
nA
MVDC
MVDC
MVDC
MVDC
I
首席执行官
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
110
200
420
580
---
---
100
---
180
290
520
660
---
---
---
---
220
450
800
700
770
4.5
---
10
MVDC
MVDC
pF
兆赫
dB
Cc
f
T
F
*脉冲测试:吨
P
300s;
0.02
修订版:A
www.mccsemi.com
2
5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
典型特征
846AW , BW ; BC847AW , BW , CW ; BC848AW , BW , CW
www.mccsemi.com
修订版:A
3
of
5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
www.mccsemi.com
修订版:A
4
of
5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版:A
5
2011/01/01
3
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
通用晶体管
NPN硅
P B
铅(Pb ) - 免费
1
BASE
集热器
3
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
最大额定值
(T
A
= 25°C Unlesso therwise说明)
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
I
C
V
mA
集电极电流连续
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
TA=25°C
减免上述25℃
热阻, Junctionto环境(注1 )
Junctionand温度范围
存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
150
2.4
833
+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
器件标识
BC846AW = 1A ; BC846BW = 1B ; BC847AW = 1E ; BC847BW = 1F
BC847CW = 1G ; BC848AW = 1J ; BC848BW = 1K ; BC848CW = 1L
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
我们ITR 0:N
H T T P上: / / W W瓦特宽E I T ,R 0 。 C 0米。 TW
1/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
符号
典型值
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=10mA)
集电极 - 发射极击穿电压
(IC=10μA,VEB=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10μA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=1.0μA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=30V)
(V
CB
= 30V ,T
A
=150°C)
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
V
( BR ) CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
( BR ) CES
V
V
( BR ) CBO
V
V
( BR ) EBO
V
nA
mA
I
CBO
基本特征
直流电流增益
(I
C
=为10uA ,V
CE
=5.0V)
(I
C
= 2.0毫安,V
CE
=5.0V)
BC846A , BC847A , BC848A
BC846B , BC847B , BC848B
BC847C , BC848C
BC846A , BC847A , BC848A
BC846B , BC847B , BC848B
BC847C , BC848C ,
h
FE
-
-
-
110
200
420
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
-
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10毫安, IB = 0.5mA)即可
( IC = 100mA时IB = 5.0毫安)
基射极饱和电压
(IC=10mA,IB=0.5mA)
(IC=100mA,IB=5.0mA)
基射极电压上
(IC=2.0mA,VCE=5.0V)
(IC=10mA,VCE=5.0V)
V
CE ( SAT )
V
V
BE ( SAT )
V
V
BE(上)
V
小信号特性
电流增益带宽积
( IC = 10毫安, VCE = 5.0V , F = 100MHz时)
输出电容
( VCB = 10V , F = 1.0MHz的)
噪声系数
( IC = 0.2毫安, VCE = 5.0V ,卢比= 2.0K
Ω
中,f = 1.0kHz , BW = 200Hz时)
BC846A ,B BC847A ,B BC848A ,B
BC847C , BC848C
f
T
C
敖包
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
NF
-
-
-
-
10
4.0
dB
宽E IT R 0
H T T P上: / / W W瓦特宽E I T ,R 0 。 C 0米。 TW
2/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
BC847 & BC848系列
1.0
VCE = 1 0 V
TA = 2 5℃
0.9
V,电压(V )
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
VCE
(S AT)
@ IC / B C = 1 0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 2 5℃
VBE
(S AT)
@ IC / B C = 1 0
VBE
(上)
@ VCE = 1 0 V
的hFE ,规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
IC ,集电极电流( MADC )
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ,集电极电流( MADC )
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ,温度系数(毫伏/ C)
VCE ,集电极 - 发射极电压( V)
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
5 -5 ℃ 1 2 5℃
TA = 2 5℃
1.6
IC = 2 0 0毫安
1.2
IC 。
1 0毫安
集成电路= 1 0 0毫安
0.8
IC = -5 0毫安
IC = 2 0毫安
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ,基极电流(毫安)
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ,集电极电流(毫安)
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C,电容(pF )
5.0
兴业银行
TA = 2 5℃
尺,电流增益带宽积(兆赫)
400
300
200
V
CE
=1 0 V
T
A
= 2 5 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ,反向电压(伏)
图5的电容
IC ,集电极电流( MADC )
图6.电流GAIN-带宽积
宽E IT R 0
H T T P上: / / W W瓦特宽E I T ,R 0 。 C 0米。 TW
3/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
BC846系列
1.0
TA = 2 5℃
0.8
VBE (S AT) @ IC / IB = 1 0
V,电压(V )
0.6
0.4
0.2
VCE (S AT) @ IC / IB = 1 0
0
VBE @ VCE = -5 0.0 V
的hFE , DC电流增益( NORAMALIZED )
VCE = 5 V
TA = 2 5℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ,集电极电流(毫安)
100
200
图8. "On"电压
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
TA = 2 5℃
1.6
2 0毫安
5 0毫安
1 0 0毫安
2 0 0毫安
QVB温度系数(毫伏/ C)
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
Q VB的VBE
5 -5 ℃ 1 2 5℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
1 0毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ,基极电流(毫安)
IC ,集电极电流(毫安)
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 2 5℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺,电流增益带宽积
500
VCE = 5 0.0 V
TA = 2 5℃
C. CAPACTIANCE (PF )
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ,反向电压(伏)
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ,集电极电流(毫安)
宽E IT R 0
H T T P上: / / W W瓦特宽E I T ,R 0 。 C 0米。 TW
4/4
Rev.B的12日-12月06
MCC
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
NPN
通用
晶体管
SOT-323
A
D
特点
低电流(最大100毫安)
低电压(最大65V )
外壳材料:模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
和MSL等级1
最大额定值
工作温度: -65至+150
存储温度: -65至+150
从结点到环境的热阻* : 625K / W
标记: BC846AW --- 1A ; BC846BW --- 1B
BC847AW --- 1E ; BC847BW --- 1F ; BC847CW --- 1G
BC848AW --- 1JS / 1J ; BC848BW --- 1KS / 1K ; BC848CW --- 1LS / 1L
C
B
C
电气特性@ 25
符号
参数
除非另有说明
最大
单位
B
F
E
E
开关特性
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10uAdc ,我
E
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1μAdc ,我
C
=0)
BC846AW / BW , BC847AW / BW / CW
BC848AW/BW/CW
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
VDC
G
H
J
---
---
---
80
50
30
VDC
K
尺寸
英寸
最大
.071
.087
.045
.053
.079
.087
0.026名义
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
V
( BR ) CEO
---
---
---
65
45
30
VDC
V
( BR ) EBO
I
C
I
CM
I
BM
---
---
---
---
---
6
5
100
200
200
MADC
MADC
MADC
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
*晶体管安装在一FR4印刷电路板
建议焊料
焊盘布局
0.70
0.90
1.90
0.65
0.65
修订: 6
www.mccsemi.com
1作者:
5
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
基本特征
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
(I
CE
=0, V
CB
=30Vdc)
(I
CE
=0, V
CB
= 30V直流,T
j
=150 )
发射极 - 基极截止电流
(I
C
=0, V
EB
=5Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0.5mAdc)
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=5mAdc*)
基射极饱和电压
(I
C
=10mAdc,I
B
=0.5mAdc)
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=5mAdc*)
直流电流增益(I
C
= 10μA ; V
CE
=5V)
BC846AW ; BC847AW ; BC848AW
BC846BW ; BC847BW ; BC848BW
BC847CW;BC848CW
直流电流增益(I
C
= 2毫安; V
CE
=5V)
BC846AW ; BC847AW ; BC848AW
BC846BW ; BC847BW ; BC848BW
BC847CW;BC848CW
V
BE
基射极电压
(I
C
=2mAdc,V
CE
=5V)
(I
C
=10mAdc,V
CE
=5V)
集电极电容(V
CB
= 10V ;我
E
=I
e
= 0; F = 1MHz的)
过渡频率(V
CE
= 5V ;我
C
= 10毫安; F = 100MHz时)
噪声系数(V
CE
= 5V ;我
C
= 200μA ; F = 1KHz的; B = 200Hz的;
S
=2K)
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值
---
---
---
90
200
700
900
90
150
270
最大
15
5
100
250
600
---
---
---
---
---
单位
nA
A
nA
MVDC
MVDC
MVDC
MVDC
I
首席执行官
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
110
200
420
580
---
---
100
---
180
290
520
660
---
---
---
---
220
450
800
700
770
4.5
---
10
MVDC
MVDC
pF
兆赫
dB
Cc
f
T
F
*脉冲测试:吨
P
300s;
0.02
修订: 6
www.mccsemi.com
2
5
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
典型特征
846AW , BW ; BC847AW , BW , CW ; BC848AW , BW , CW
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修订: 6
3
of
5
2008/01/01
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微型商业组件
TM
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修订: 6
4
of
5
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
(品名) -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
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修订: 6
5
2008/01/01
BC846AW - BC848CW
NPN表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
可提供互补PNP类型
(BC856W-BC858W)
对于开关和AF放大器应用
案例: SOT- 323 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
引脚连接:见图
标识代码(见下表&图
第2页)
订购&日期代码信息:参见第2页
约。重量: 0.006克
SOT-323
A
C
B C
B
G
H
K
M
E
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
机械数据
0.65标称
J
D
F
L
尺寸:mm
标识代码(注2 )
TYPE
BC846AW
BC846BW
BC847AW
BC847BW
记号
K1Q
K1R
K1E , K1Q
K1F , K1R
TYPE
BC847CW
BC848AW
BC848BW
BC848CW
记号
K1M
K1J , K1E , K1Q
K1K , K1F , K1R
K1L , K1M
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
BC846 , BC847
BC848
V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
6.0
5.0
100
200
200
200
625
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,可以在ourwebsite找到在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.电流增益小组“C”不适用于BC846W 。
DS30250修订版3 - 2
1 2
BC846AW - BC848CW
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847 V
( BR ) CBO
BC848
80
50
30
65
45
30
6
5
110
200
420
580
100
典型值
180
290
520
90
200
700
900
660
300
3.0
最大
220
450
800
250
600
700
770
15
5.0
4.5
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压(注3 )
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) BC846
BC847 V
( BR ) CEO
BC848
发射极 - 基极击穿电压
(注3)
直流电流增益
BC846 , BC847 V
BC848
( BR ) EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ,T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 200A,
R
S
= 2.0KW ,
F = 1.0kHz ,
Df
= 200Hz的
电流增益A组
B
(注3 )C
集电极 - 发射极饱和电压(注3 )
基射极饱和电压(注3 )
基射极电压(注3 )
集电极截止电流(注3 )
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
订购信息
(注4 )
设备
BC84xxW-7*
注意事项:
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间脉冲测试,以尽量减少自热效应。
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
* XX =设备类型,例如BC846AW -7。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码(见第1页) ,例如: K1Q = BC846AW
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS30250修订版3 - 2
YM
2 2
BC846AW - BC848CW
NPN硅晶体管自动对焦
公元前846 W ......公元前850 W
特点
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
为30Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型:公元前856 W,公元前857 W,
公元前858 W,公元前859 W,
公元前860 W( PNP )
TYPE
公元前846 AW
公元前846 BW
公元前847 AW
公元前847 BW
公元前847 CW
公元前848 AW
公元前848 BW
公元前848 CW
公元前849 BW
公元前849 CW
公元前850 BW
公元前850 CW
记号
1作为
1 BS
1居
1 Fs的
1个GS
1的js
1 Ks的
1 LS
2民宿
2 CS
2 FS
2 Gs的
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2319
Q62702-C2279
Q62702-C2304
Q62702-C2305
Q62702-C2306
Q62702-C2307
Q62702-C2308
Q62702-C2309
Q62702-C2310
Q62702-C2311
Q62702-C2312
Q62702-C2313
引脚配置
1
2
3
B
E
C
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
SOT 323
半导体集团
1
04.96
BC 846W ... BC 850W
最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗,
T
S
= 115 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
240
105
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
BC846W公元前847 W
公元前849 W公元前848 W
公元前840 W
65
80
80
6
45
50
50
6
100
200
250
150
-65到150
30
30
30
5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
K / W
K / W
1)
安装在环氧树脂PCB 40毫米
×
40 mm
×
1.5毫米/ 1厘米
2
铜。
半导体集团
2
BC 846W ... BC 850W
特征
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
描述
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安
公元前846 W
公元前847 W,公元前850 W
公元前848 W,公元前849 W
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
1)
I
C
= 100
A
公元前846 W
公元前847 W,公元前850 W
公元前848 W,公元前849 W
V
( BR ) CBO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
公元前846 W
公元前847 W,公元前850 W
公元前848 W,公元前849 W
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
公元前846 W,公元前847 W
公元前848 W,公元前849 W
公元前850
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
I
CBO
110
200
420
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
580
660
700
770
700
900
mV
90
900
250
650
mV
140
250
480
180
290
520
15
5
220
450
800
mV
nA
A
V
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6
5
V
V
V
评级
典型值。
马克斯。
单位
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V公元前846 AW ...公元前848 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
公元前846 AW ...公元前848 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5毫安
1)
脉冲
测试:
t
300
s,
D=
2 %.
半导体集团
3
BC 846W ... BC 850W
特征
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
描述
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
C
IBO
10
k
2.7
4.5
8.7
10
–4
1.5
2.0
3.0
-
200
330
600
S
18
30
60
1.4
1.4
1.2
1.0
dB
V
n
公元前850 W
0.135
4
3
4
4
V
2
pF
250
pF
兆赫
评级
典型值。
马克斯。
单位
短路输入阻抗
h
11e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
开路反向电压传输比
h
12e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
短路正向电流传输比
h
21e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
开路输出导纳
h
22e
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846 AW ...公元前849 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
F = 30 Hz的... 15千赫
F = 1千赫
f
= 200赫兹
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
F = 10 Hz的... 50赫兹
曲线看到公元前846 ...公元前840
半导体集团
4
F
公元前849 W
公元前850 W
公元前849 W
公元前850 W
BC 846W ... BC 850W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
5
BC 846W ... BC 850W
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
BC 846W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
6V
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 847W
BC 850W
45 V
50 V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 848W
BC 849W
30 V
30 V
5V
特性(T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V,I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
H-参数在V
CE
= 5V ,我
C
= 2毫安, F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
B组
(典型值) 。 150
200...450
(典型值) 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
(典型值) 。 2 * 10
-4
C组
(典型值) 。 270
420...800
(典型值) 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
(典型值) 。 3 * 10
-4
h
FE
h
FE
(典型值) 。 90
110...220
(典型值) 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
h
ie
h
oe
h
re
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
12
01.11.2003
通用晶体管
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V,I
C
= i
c
= 0中,f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V,I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 1 kHz时,
)
F = 200赫兹
V
CE
= 5 V,I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 1 kHz时,
F = 30 ... 15000赫兹
BC 846W ...
F
BC 848W
BC 849W ...
F
BC 850W
BC 849W
BC 850W
F
F
R
THA
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
I
EB0
I
CB0
I
CB0
V
BEON
V
BEON
580毫伏
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
BC 846W ... BC 850W
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
马克斯。
250毫伏
600毫伏
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
2分贝
1.2分贝
1.4分贝
1.4分贝
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
BC 846AW = 1A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 847AW = 1E
BC 848AW = 1J
BC 856W ... BC 860W
BC 846BW = 1B
BC 847BW = 1F
BC 848BW = 1K
BC 849BW = 2B
BC 850BW = 2F
BC 847CW = 1G
BC 848CW = 1L
BC 849CW = 2C
BC 850CW = 2G
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
1
2
13
BC846W...BC850W
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型:
BC856W , BC857W , BC858W
BC859W , BC860W ( PNP )
3
TYPE
BC846AW
BC846BW
BC847AW
BC847BW
BC847CW
BC848AW
BC848BW
BC848CW
BC849BW
BC849CW
BC850BW
BC850CW





2
1
VSO05561
记号
1As
1Bs
1Es
1Fs
1Gs
1Js
1Ks
1Ls
2Bs
2Cs
2Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
1
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
总功耗,
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
BC846W BC847W BC848W
单位
BC850W BC849W
65
80
80
6
45
50
50
6
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mW
°C
30
30
30
5
mA
mA
V
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

105
K / W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
单位
马克斯。
典型值。
V
( BR ) CEO
V
65
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
V
( BR ) CBO
80
50
30
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
单位
马克斯。
V
典型值。
V
( BR ) CES
80
50
30
V
( BR ) EBO
BC846/847W
BC848-850W
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5
nA
A
-
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
直流电流增益1 )
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1 )脉冲测试:吨
≤=
300
S,D = 2 %
6
5
I
CBO
I
CBO
h
FE
-
-
-
h
FE
110
200
420
V
CESAT
-
-
V
BESAT
-
-
V
BE(上)
580
-
-
-
140
250
480
180
290
520
90
200
700
900
660
-
-
-
-
220
450
800
mV
250
600
-
-
700
770
3
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
h
12e
-
-
-
h
21e
-
-
-
h
22e
-
-
-
-
18
30
60
-
-
-
-
10
200
330
600
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
-
-
-
250
2
10
-
3
15
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
F
BC848W
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
等效噪声电压
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 10 ... 50赫兹
F
BC849W
BC850W
V
n
BC850W
-
-
-
1.2
1
-
4
4
0.135 V
4
Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
BC846W
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
BC847W
10
-4
-
dB

S
k





BC846W...BC850W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
(V
EBO
)
公元前846 ... 850
EHP00361
300
mW
C
CB0
(
C
EB0
)
12
pF
10
P
合计
200
8
C
EB
150
6
100
4
C
CB
50
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
10
-1
5
10
0
V
V
CB0
T
S
10
1
(
V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
T
EHP00362
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
EHP00363
f
T
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA
10
2
Ι
C
5
Dec-11-2001
数据表
BC846W , BC847W , BC848W , BC849W , BC850W系列
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延,平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.004(.10)MIN.
.087(2.2)
.078(2.0)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
SOT-323
单位:英寸(毫米)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
约。重量: 0.0052克
EVI ê M AR I G :
c
kn
B C 846AW = 46A
B C 846B W = 46B
B C 847AW = 47A
B C 847B W = 47B
B C 847C W = 47C
B C 848AW = 48A
B C 848B W = 48B
B C 848C W = 48C
B C 849B W = 49B
B C 849C W = 49C
B C 850B W = 50B
B C 850 W = 50℃
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
.044(1.1)
.035(0.9)
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
PA R A M E TE
M AX P嗷嗷ERD我SI航标( OT 1 )
S·P我
否E
疗法ALR ESI吨NCE , Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨R 5吨 GE TEM
oa
AUE
S YM BOL
P
给T
JA
T
J
英镑
TI
瓦尔ê
u
150
833
- 5 t 150
5 o
- 5 t 150
5 o
ü NIS
t
mW
O
C/
W
O
C
C
O
注1 :晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA RA M E TE
B C 8 4 6的W,B W
ollector - é米特B reakdown V oltage公元前8 4 7 AW / BW / CW ,公元前8 5 0 BW / CW
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
B C 8 4 6的W,B W
B C 8 4 7的W / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6的W,B W
B C 8 4 7的W / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M IN 。
65
45
30
80
50
30
6 .0
6 .0
5 .0
-
-
牛逼YP 。
MA X 。
ü妮吨s
V
( BR )
权证 IC = 1 0米A, IB = 0
-
-
V
V
( BR )
C B IC = 1 0 U A, IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
( BR )
E B IE = 1 0 U A, IC = 0
-
-
V
ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币
D C C-UR 鄂西北G A I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
I
EBO
I
BO
V E B = 5
V C B = 3 0 V , IE = 0
V C B = 3 0 V , IE = 0 ,T
J
= 1 5 0
O
C
IC = 1 0 U A,V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
uA
-
h
F ê
-
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
IC = 2 。 0米A,V权证= 5 V
IC = 1 0米A, IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的, IB = 5 。 0米一
IC = 1 0米A, IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的, IB = 5 。 0米一
IC = 2m的,V权证= 5 。 0 V
IC = 1 0米A,V权证= 5 。 0 V
V C B = 1 0 V , IE = 0 , F = 1 M·H
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B一个发E - é英里TTE 武LTA克é
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
V
权证(SAT)
V
权证(SAT)
V
权证(SAT)
C
BO
V
V
V
pF
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
电气特性曲线( BC846AW , BC847AW , BC848AW )
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
I
CB0
,集电极电流( NA)
250
T
J
=100 C
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
C
IB ( EB)的
800
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
电容C (PF )
400
I
C
/I
B
=20
C
OB ( CB )
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 3
电气特性曲线( BC846BW , BAC847BW , BC848BW , BC849BW , BC850BW )
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC (MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE(上)
(毫伏)
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB ( EB)的
T
J
= 25 C
600
电容C ( pF的
)
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
C
OB ( CB )
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6 。
典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 4
电气特性曲线( BAC847CW , BC848CW , BC849CW , BC850CW )
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC , (毫安)
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 150 C
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
C
IB ( EB)的
800
T
J
= 25 C
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C ( pF的
)
T
J
= 25 C
C
OB ( CB )
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。五
数据表
BC846W , BC847W , BC848W , BC849W , BC850W系列
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延,平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.004(.10)MIN.
.087(2.2)
.078(2.0)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
SOT-323
单位:英寸(毫米)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
约。重量: 0.0052克
EVI ê M AR I G :
c
kn
B C 846AW = 46A
B C 846B W = 46B
B C 847AW = 47A
B C 847B W = 47B
B C 847C W = 47C
B C 848AW = 48A
B C 848B W = 48B
B C 848C W = 48C
B C 849B W = 49B
B C 849C W = 49C
B C 850B W = 50B
B C 850 W = 50℃
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
.044(1.1)
.035(0.9)
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
PA R A M E TE
M AX P嗷嗷ERD我SI航标( OT 1 )
S·P我
否E
疗法ALR ESI吨NCE , Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨R 5吨 GE TEM
oa
AUE
S YM BOL
P
给T
JA
T
J
英镑
TI
瓦尔ê
u
150
833
- 5 t 150
5 o
- 5 t 150
5 o
ü NIS
t
mW
O
C/
W
O
C
C
O
注1 :晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA RA M E TE
B C 8 4 6的W,B W
ollector - é米特B reakdown V oltage公元前8 4 7 AW / BW / CW ,公元前8 5 0 BW / CW
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
B C 8 4 6的W,B W
B C 8 4 7的W / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6的W,B W
B C 8 4 7的W / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M IN 。
65
45
30
80
50
30
6 .0
6 .0
5 .0
-
-
牛逼YP 。
MA X 。
ü妮吨s
V
( BR )
权证 IC = 1 0米A, IB = 0
-
-
V
V
( BR )
C B IC = 1 0 U A, IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
( BR )
E B IE = 1 0 U A, IC = 0
-
-
V
ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币
D C C-UR 鄂西北G A I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
I
EBO
I
BO
V E B = 5
V C B = 3 0 V , IE = 0
V C B = 3 0 V , IE = 0 ,T
J
= 1 5 0
O
C
IC = 1 0 U A,V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
uA
-
h
F ê
-
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
IC = 2 。 0米A,V权证= 5 V
IC = 1 0米A, IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的, IB = 5 。 0米一
IC = 1 0米A, IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的, IB = 5 。 0米一
IC = 2m的,V权证= 5 。 0 V
IC = 1 0米A,V权证= 5 。 0 V
V C B = 1 0 V , IE = 0 , F = 1 M·H
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B一个发E - é英里TTE 武LTA克é
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
V
权证(SAT)
V
权证(SAT)
V
权证(SAT)
C
BO
V
V
V
pF
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
电气特性曲线( BC846AW , BC847AW , BC848AW )
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
I
CB0
,集电极电流( NA)
250
T
J
=100 C
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
C
IB ( EB)的
800
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
电容C (PF )
400
I
C
/I
B
=20
C
OB ( CB )
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 3
电气特性曲线( BC846BW , BAC847BW , BC848BW , BC849BW , BC850BW )
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC (MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE(上)
(毫伏)
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB ( EB)的
T
J
= 25 C
600
电容C ( pF的
)
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
C
OB ( CB )
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6 。
典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 4
电气特性曲线( BAC847CW , BC848CW , BC849CW , BC850CW )
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC , (毫安)
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 150 C
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
C
IB ( EB)的
800
T
J
= 25 C
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C ( pF的
)
T
J
= 25 C
C
OB ( CB )
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。五
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW , BW , CW
BC848AW , BW , CW
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
非常适合自动插入
对于开关和AF放大器应用
: BASE
:辐射源
-collector
SOT-323
A
集热器
L
3
3
记号
BC846AW=1A;BC846BW=1B;
BC847AW=1E;BC847BW=1F;BC847CW=1G;
BC848AW=1J;BC848BW=1K;BC848CW=1L
顶视图
1
2
C B
1
2
BASE
K
E
D
辐射源
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.10
1.20
1.40
0.20
0.40
H
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
J
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
BC846W
集电极 - 基极电压
BC847W
BC848W
BC846W
集电极到发射极电压
BC847W
BC848W
BC846W
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
BC847W
BC848W
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
V
EBO
V
首席执行官
V
CBO
符号
评级
80
50
30
65
45
30
6
6
5
0.1
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
A
mW
24 -MAR- 2010版本A
第1页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW , BW , CW
BC848AW , BW , CW
NPN塑料封装晶体管
电气特性(环境温度Tamb = 25° C除非另有说明)
参数
BC846W
集电极基极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
集电极到发射极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
直流电流增益
BC847CW,BC848CW
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
h
FE(1)
符号
V
CBO
分钟。
80
50
30
65
典型值。马克斯。单位
-
-
V
测试条件
I
C
= 10微安,我
E
= 0
V
首席执行官
45
30
6
-
-
V
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
BC847W
BC848W
V
EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
6
5
-
-
-
-
-
580
-
-
110
-
-
-
-
0.7
0.9
660
-
90
150
270
-
15
0.25
0.6
-
-
700
770
-
220
V
nA
V
V
mV
I
E
= 1
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10
μA
h
FE(2)
200
420
-
450
800
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
跃迁频率
集电极输出电容
BC846AW,BC847AW,BC848AW
f
T
C
Ob
NF
100
-
-
-
-
-
-
4.5
-
10
4
兆赫
pF
dB
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100MHZ
V
CB
= 10 V , F = 1MHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.2毫安,
F = 1kHz时,R
S
= 2 K,
BW = 200Hz的
噪声系数
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
24 -MAR- 2010版本A
第2页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW , BW , CW
BC848AW , BW , CW
NPN塑料封装晶体管
特性曲线
24 -MAR- 2010版本A
第3页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW , BW , CW
BC848AW , BW , CW
NPN塑料封装晶体管
特性曲线
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第4页4
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