BC 846W ... BC 850W
特征
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
描述
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安
公元前846 W
公元前847 W，公元前850 W
公元前848 W，公元前849 W
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
1)
I
C
= 100
A
公元前846 W
公元前847 W，公元前850 W
公元前848 W，公元前849 W
V
（ BR ） CBO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
公元前846 W
公元前847 W，公元前850 W
公元前848 W，公元前849 W
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
公元前846 W，公元前847 W
公元前848 W，公元前849 W
公元前850
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
I
CBO
–
–
–
–
–
110
200
420
V
CESAT
–
–
V
CESAT
–
–
V
CESAT
580
–
660
–
700
770
700
900
–
–
mV
90
900
250
650
mV
–
–
140
250
480
180
290
520
15
5
–
–
–
220
450
800
mV
nA
A
–
V
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
–
–
–
V
–
–
–
V
–
–
–
–
评级
典型值。
马克斯。
单位
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V公元前846 AW ...公元前848 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前846 AW ...公元前848 AW
公元前846 BW ......公元前850 BW
公元前847 CW ......公元前850 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
1)
I
C
= 2毫安，
V
CE
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5毫安
1)
脉冲
测试：
t
≤
300
s,
D=
2 %.
半导体集团
3
