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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第705页 > BC847AW
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW ， BW ， CW
BC848AW ， BW ， CW
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
非常适合自动插入
对于开关和AF放大器应用
： BASE
：辐射源
-collector
SOT-323
A
集热器
L
3
3
记号
BC846AW=1A;BC846BW=1B;
BC847AW=1E;BC847BW=1F;BC847CW=1G;
BC848AW=1J;BC848BW=1K;BC848CW=1L
顶视图
1
2
C B
1
2
BASE
K
E
D
辐射源
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.10
1.20
1.40
0.20
0.40
H
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
J
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
BC846W
集电极 - 基极电压
BC847W
BC848W
BC846W
集电极到发射极电压
BC847W
BC848W
BC846W
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
BC847W
BC848W
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
V
EBO
V
首席执行官
V
CBO
符号
评级
80
50
30
65
45
30
6
6
5
0.1
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
A
mW
℃
24 -MAR- 2010版本A
第1页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW ， BW ， CW
BC848AW ， BW ， CW
NPN塑料封装晶体管
电气特性（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
BC846W
集电极基极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
集电极到发射极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
直流电流增益
BC847CW,BC848CW
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
h
FE(1)
符号
V
CBO
分钟。
80
50
30
65
典型值。马克斯。单位
-
-
V
测试条件
I
C
= 10微安，我
E
= 0
V
首席执行官
45
30
6
-
-
V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
BC847W
BC848W
V
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
6
5
-
-
-
-
-
580
-
-
110
-
-
-
-
0.7
0.9
660
-
90
150
270
-
15
0.25
0.6
-
-
700
770
-
220
V
nA
V
V
mV
I
E
= 1
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
μA
h
FE(2)
200
420
-
450
800
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
跃迁频率
集电极输出电容
BC846AW,BC847AW,BC848AW
f
T
C
Ob
NF
100
-
-
-
-
-
-
4.5
-
10
4
兆赫
pF
dB
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100MHZ
V
CB
= 10 V ， F = 1MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.2毫安，
F = 1kHz时，R
S
= 2 K,
BW = 200Hz的
噪声系数
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
24 -MAR- 2010版本A
第2页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW ， BW ， CW
BC848AW ， BW ， CW
NPN塑料封装晶体管
特性曲线
24 -MAR- 2010版本A
第3页4
公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW ， BW ， CW
BC848AW ， BW ， CW
NPN塑料封装晶体管
特性曲线
24 -MAR- 2010版本A
第4页4
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
通用晶体管
NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
集热器
3
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
最大额定值
(T
A
= 25°C Unlesso therwise说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
I
C
V
mA
集电极电流连续
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
TA=25°C
减免上述25℃
热阻， Junctionto环境（注1 ）
Junctionand温度范围
存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
150
2.4
833
+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
器件标识
BC846AW = 1A ; BC846BW = 1B ; BC847AW = 1E ; BC847BW = 1F
BC847CW = 1G ; BC848AW = 1J ; BC848BW = 1K ; BC848CW = 1L
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
我们ITR 0：N
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=10mA)
集电极 - 发射极击穿电压
(IC=10μA,VEB=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10μA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=1.0μA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=30V)
(V
CB
= 30V ，T
A
=150°C)
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
BC846A系列
BC847A系列
BC848A系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
nA
mA
I
CBO
基本特征
直流电流增益
(I
C
=为10uA ，V
CE
=5.0V)
(I
C
= 2.0毫安，V
CE
=5.0V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C ，
h
FE
-
-
-
110
200
420
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
-
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
(IC=10mA,IB=0.5mA)
(IC=100mA,IB=5.0mA)
基射极电压上
(IC=2.0mA,VCE=5.0V)
(IC=10mA,VCE=5.0V)
V
CE （ SAT ）
V
V
BE （ SAT ）
V
V
BE（上）
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0V ，卢比= 2.0K
Ω
中，f = 1.0kHz ， BW = 200Hz时）
BC846A ，B BC847A ，B BC848A ，B
BC847C ， BC848C
f
T
C
敖包
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
NF
-
-
-
-
10
4.0
dB
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
2/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
BC847 & BC848系列
1.0
VCE = 1 0 V
TA = 2 5℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
VCE
（S AT）
@ IC / B C = 1 0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 2 5℃
VBE
（S AT）
@ IC / B C = 1 0
VBE
（上）
@ VCE = 1 0 V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
5 -5 ℃ 1 2 5℃
TA = 2 5℃
1.6
IC = 2 0 0毫安
1.2
IC 。
1 0毫安
集成电路= 1 0 0毫安
0.8
IC = -5 0毫安
IC = 2 0毫安
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 2 5℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=1 0 V
T
A
= 2 5 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
3/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
WEITRON
BC846系列
1.0
TA = 2 5℃
0.8
VBE （S AT） @ IC / IB = 1 0
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE （S AT） @ IC / IB = 1 0
0
VBE @ VCE = -5 0.0 V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE = 5 V
TA = 2 5℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 2 5℃
1.6
2 0毫安
5 0毫安
1 0 0毫安
2 0 0毫安
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
Q VB的VBE
5 -5 ℃ 1 2 5℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
1 0毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 2 5℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE = 5 0.0 V
TA = 2 5℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
4/4
Rev.B的12日-12月06
BC846AW - BC848CW
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
非常适合自动插入
互补PNP类型可用（ BC856W - BC858W ）
对于开关和AF放大器应用
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
B
A
C
SOT-323
暗淡
A
B C
E
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
B
C
D
F
G
M
机械数据
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料，
注5. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
引脚连接：见图
标识代码（见下表&图第3页）
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.006克（近似值）
标识代码（注2 ）
记号
TYPE
K1Q
BC847CW
K1R
BC848AW
K1E ， K1Q
BC848BW
K1F ， K1R
BC848CW
K
G
H
0.65标称
H
J
K
J
D
F
L
L
M
0°
8°
α
尺寸：mm
TYPE
BC846AW
BC846BW
BC847AW
BC847BW
记号
K1M
K1J ， K1E ， K1Q
K1K ， K1F ， K1R
K1L ， K1M
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
BC846 ， BC847
BC848
V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
6.0
5.0
100
200
200
200
625
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.电流增益小组“C”不适用于BC846W 。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0627 （ 2006年27周， ）和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0627顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30250牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
BC846AW - BC848CW
Diodes公司
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
民
80
50
30
65
45
30
6
5
110
200
420
—
—
580
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
180
290
520
90
200
700
900
660
—
—
—
300
3.0
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
220
450
800
250
600
—
700
770
15
5.0
—
4.5
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10μA ，我
B
= 0
特征
集电极 - 基极击穿电压（注6 ）
BC846
BC847
BC848
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ） BC846
BC847
BC848
发射极 - 基极击穿电压
BC846 ， BC847
（注6 ）
BC848
直流电流增益
电流增益A组
B
（注6 ）C
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
基射极饱和电压（注6 ）
基射极电压（注6 ）
集电极截止电流（注6 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项：
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A,
R
S
= 2.0kΩ,
F = 1.0kHz ，
Δf
= 200Hz的
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
300
0.4
I
C
I
B
= 20
P
D
，功耗（毫瓦）
250
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
0.3
200
150
0.2
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
100
0.1
T
A
= -50°C
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗对比
环境温度
200
0
0.1
1
10
1,000
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
DS30250牧师9 - 2
2 3
www.diodes.com
BC846AW - BC848CW
Diodes公司
1,000
1,000
T
A
= 150°C
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
100
T
A
= -50°C
f
T
，增益带宽积（兆赫）
h
FE
，直流电流增益
100
10
10
1
1
10
1,000
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益与集电极电流
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，增益带宽积与集电极电流
1
1
订购信息
设备
BC84xxW-7-F*
* XX =设备类型，例如BC846AW -7。
注意事项：
（注5 & 7 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如： K1Q = BC846AW
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
YM
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30250牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
BC846AW - BC848CW
Diodes公司
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
牧师07 - 2008年12月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用NPN晶体管在小塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
-
JEDEC
TO-236AB
BC857
BC857A
BC857B
-
BC857C
SOT23
SOT323
SC-70
-
BC857W
BC857AW
BC857BW
-
BC857CW
SOT416
SC-75
-
BC857T
BC857AT
-
BC857BT
BC857CT
SOT883
SC-101
-
BC857AM
BC857BM
BC857CM
SOT54
SC-43A
TO-92
BC557
[2]
BC557B
[2]
BC557C
[2]
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
1.2产品特点
I
低电流
I
低电压
I
三种不同的增益选择
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
110
110
200
420
典型值
-
-
-
180
290
520
最大
45
100
800
220
450
800
单位
V
mA
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
SOT23 ， SOT323 ， SOT416
3
1
2
sym021
3
SOT883
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym021
3
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
钉扎
- 续
描述
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab347
表3中。
针
SOT54
1
2
3
简化的轮廓
图形符号
3
2
1
sym026
SOT54A
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab348
3
2
1
sym026
SOT54变种
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab447
3
2
1
sym026
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
SC-70
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
订购信息
- 续
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SC-75
表4 。
类型编号
[1]
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
SC-101
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
SOT883
SC-43A
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
SOT54
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[2]
1H*
1E*
1F*
* BC
1G*
1H*
1E*
1F*
G9*
1G*
1N
类型编号
[1]
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
BC547B
BC547C
-
标识代码
[2]
1E
B5
1F
1G
D4
D5
D6
C547
C547B
C547C
-
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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4 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
250
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
5 15
SMD型
NPN通用晶体管
BC846W,BC847W,BC848W
晶体管
IC
特点
低电流（最大100 mA时） 。
低电压（最大65V）时。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
储存温度
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
AMB
R
日J-一
BC846W
80
65
6
BC847W
50
45
6
100
200
200
200
150
-65到+150
-65到+150
625
K / W
BC848W
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BC846W,BC847W,BC848W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC846W
BC847W,BC848W
直流电流增益
BC846AW,BC847AW
BC846BW,BC847BW
BC847CW
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
*脉冲测试： TP
300s,
0.02.
V
BE
C
C
f
T
NF
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V ;我
E
= IE = 0 ; F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安; F = 100 MHz的
I
C
= 200 μA ; V
CE
= 5 V ; R
S
= 2 KU ; F =
1千赫; B = 200赫兹
h
FE
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0;环境温度为150
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
晶体管
IC
民
典型值
最大
15
5
100
单位
nA
ìA
nA
110
110
110
200
420
180
290
520
90
200
700
900
580
660
450
800
220
450
800
250
600
mV
mV
mV
mV
700
770
3
mV
mV
pF
兆赫
10
dB
100
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BC846W
1D
BC847W
1H
BC848W
1M
BC846AW
1A
BC847AW
1E
BC846BW
1B
BC847BW
1F
BC847CW
1G
2
www.kexin.com.cn
数据表
BC846W ， BC847W ， BC848W ， BC849W ， BC850W系列
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延，平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.004(.10)MIN.
.087(2.2)
.078(2.0)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
SOT-323
单位：英寸（毫米）
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
码头：每MIL -STD- 202方法208
约。重量： 0.0052克
EVI ê M AR I G ：
c
kn
B C 846AW = 46A
B C 846B W = 46B
B C 847AW = 47A
B C 847B W = 47B
B C 847C W = 47C
B C 848AW = 48A
B C 848B W = 48B
B C 848C W = 48C
B C 849B W = 49B
B C 849C W = 49C
B C 850B W = 50B
B C 850 W = 50℃
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
.044(1.1)
.035(0.9)
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
PA R A M E TE
M AX P嗷嗷ERD我SI航标（ OT 1 ）
S·P我
否E
疗法ALR ESI吨NCE ， Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨R 5吨 GE TEM
oa
AUE
S YM BOL
P
给T
Rθ
JA
T
J
英镑
TI
瓦尔ê
u
150
833
- 5 t 150
5 o
- 5 t 150
5 o
ü NIS
t
mW
O
C/
W
O
C
C
O
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA RA M E TE
B C 8 4 6的W，B W
ollector - é米特B reakdown V oltage公元前8 4 7 AW / BW / CW ，公元前8 5 0 BW / CW
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M IN 。
65
45
30
80
50
30
6 .0
6 .0
5 .0
-
-
牛逼YP 。
MA X 。
ü妮吨s
V
（ BR ）
权证 IC = 1 0米A， IB = 0
-
-
V
V
（ BR ）
C B IC = 1 0 U A， IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
（ BR ）
E B IE = 1 0 U A， IC = 0
-
-
V
ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币
D C C-UR 鄂西北G A I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
I
EBO
I
BO
V E B = 5
V C B = 3 0 V ， IE = 0
V C B = 3 0 V ， IE = 0 ，T
J
= 1 5 0
O
C
IC = 1 0 U A，V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
uA
-
h
F ê
-
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
IC = 2 。 0米A，V权证= 5 V
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 2m的，V权证= 5 。 0 V
IC = 1 0米A，V权证= 5 。 0 V
V C B = 1 0 V ， IE = 0 ， F = 1 M·H
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B一个发E - é英里TTE 武LTA克é
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
C
BO
V
V
V
pF
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
电气特性曲线（ BC846AW ， BC847AW ， BC848AW ）
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
I
CB0
，集电极电流（ NA）
250
T
J
=100 C
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
C
IB （ EB）的
800
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
电容C （PF ）
400
I
C
/I
B
=20
C
OB （ CB ）
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 3
电气特性曲线（ BC846BW ， BAC847BW ， BC848BW ， BC849BW ， BC850BW ）
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC （MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE（上）
（毫伏）
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB （ EB）的
T
J
= 25 C
600
电容C （ pF的
)
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
C
OB （ CB ）
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6 。
典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 4
电气特性曲线（ BAC847CW ， BC848CW ， BC849CW ， BC850CW ）
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC ， （毫安）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 150 C
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
C
IB （ EB）的
800
T
J
= 25 C
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C （ pF的
)
T
J
= 25 C
C
OB （ CB ）
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。五
数据表
BC846W ， BC847W ， BC848W ， BC849W ， BC850W系列
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延，平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.004(.10)MIN.
.087(2.2)
.078(2.0)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
SOT-323
单位：英寸（毫米）
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
码头：每MIL -STD- 202方法208
约。重量： 0.0052克
EVI ê M AR I G ：
c
kn
B C 846AW = 46A
B C 846B W = 46B
B C 847AW = 47A
B C 847B W = 47B
B C 847C W = 47C
B C 848AW = 48A
B C 848B W = 48B
B C 848C W = 48C
B C 849B W = 49B
B C 849C W = 49C
B C 850B W = 50B
B C 850 W = 50℃
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
.044(1.1)
.035(0.9)
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
PA R A M E TE
M AX P嗷嗷ERD我SI航标（ OT 1 ）
S·P我
否E
疗法ALR ESI吨NCE ， Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨R 5吨 GE TEM
oa
AUE
S YM BOL
P
给T
Rθ
JA
T
J
英镑
TI
瓦尔ê
u
150
833
- 5 t 150
5 o
- 5 t 150
5 o
ü NIS
t
mW
O
C/
W
O
C
C
O
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA RA M E TE
B C 8 4 6的W，B W
ollector - é米特B reakdown V oltage公元前8 4 7 AW / BW / CW ，公元前8 5 0 BW / CW
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M IN 。
65
45
30
80
50
30
6 .0
6 .0
5 .0
-
-
牛逼YP 。
MA X 。
ü妮吨s
V
（ BR ）
权证 IC = 1 0米A， IB = 0
-
-
V
V
（ BR ）
C B IC = 1 0 U A， IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
（ BR ）
E B IE = 1 0 U A， IC = 0
-
-
V
ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币
D C C-UR 鄂西北G A I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
I
EBO
I
BO
V E B = 5
V C B = 3 0 V ， IE = 0
V C B = 3 0 V ， IE = 0 ，T
J
= 1 5 0
O
C
IC = 1 0 U A，V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
uA
-
h
F ê
-
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
IC = 2 。 0米A，V权证= 5 V
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 2m的，V权证= 5 。 0 V
IC = 1 0米A，V权证= 5 。 0 V
V C B = 1 0 V ， IE = 0 ， F = 1 M·H
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B一个发E - é英里TTE 武LTA克é
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
C
BO
V
V
V
pF
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
电气特性曲线（ BC846AW ， BC847AW ， BC848AW ）
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
I
CB0
，集电极电流（ NA）
250
T
J
=100 C
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
C
IB （ EB）的
800
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
电容C （PF ）
400
I
C
/I
B
=20
C
OB （ CB ）
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 3
电气特性曲线（ BC846BW ， BAC847BW ， BC848BW ， BC849BW ， BC850BW ）
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC （MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE（上）
（毫伏）
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB （ EB）的
T
J
= 25 C
600
电容C （ pF的
)
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
C
OB （ CB ）
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6 。
典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 4
电气特性曲线（ BAC847CW ， BC848CW ， BC849CW ， BC850CW ）
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC ， （毫安）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 150 C
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
C
IB （ EB）的
800
T
J
= 25 C
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C （ pF的
)
T
J
= 25 C
C
OB （ CB ）
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。五
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
特点
非常适合自动插入。
产品规格
BC847AT/BT/CT
Pb
LEAD -FREE
对于开关和AF放大器应用。
应用
通用的开关和放大。
SOT-523
订购信息
型号
BC846AT/BT/CT
记号
1E/1F/1G
封装代码
SOT-523
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
价值
50
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
45
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
0.1
A
P
C
集电极耗散
150
mW
T
j,
T
英镑
结温和存储温度
-55~150
℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
符号测试条件
V
（ BR ） CBO
I
C
=10μA,I
E
=0
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA,I
B
=0
B
最小典型最大
50
45
6
0.1
110
200
420
220
450
800
0.25
0.6
0.7
0.9
100
4.5
10
4
单位
V
V
V
μA
V
（ BR ） EBO
I
E
=1μA,I
C
=0
I
CBO
BC847AT
BC847BT
FE
BC847CT
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
CB
=30V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,f=100KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
R
S
=2K,BW=200Hz
兆赫
Pf
dB
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
包装外形
塑料表面贴装封装
A
C
SOT-523
SOT-523
暗淡
A
民
1.5
0.75
0.6
0.15
0.9
0.02
最大
1.7
0.85
0.8
0.3
1.1
0.1
K
B
B
C
D
D
G
J
G
H
H
J
K
0.1Typical
1.45
1.75
尺寸：mm
包
设备
BC847AT/BT/CT
信息
包
SOT-523
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
数据表
BC846W ， BC847W ， BC848W ， BC849W ， BC850W系列
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延，平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.004(.10)MIN.
.087(2.2)
.078(2.0)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
SOT-323
单位：英寸（毫米）
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
码头：每MIL -STD- 202方法208
约。重量： 0.0052克
EVI ê M AR I G ：
c
kn
B C 846AW = 46A
B C 846B W = 46B
B C 847AW = 47A
B C 847B W = 47B
B C 847C W = 47C
B C 848AW = 48A
B C 848B W = 48B
B C 848C W = 48C
B C 849B W = 49B
B C 849C W = 49C
B C 850B W = 50B
B C 850 W = 50℃
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
B C 846
BC847,BC850
BC848,BC849
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
.044(1.1)
.035(0.9)
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
PA R A M E TE
M AX P嗷嗷ERD我SI航标（ OT 1 ）
S·P我
否E
疗法ALR ESI吨NCE ， Juncton吨米双向新台币
m
sa
I O
e
每吨 Juncton TEM
i
AUE
每吨R 5吨 GE TEM
oa
AUE
S YM BOL
P
给T
Rθ
JA
T
J
英镑
TI
瓦尔ê
u
150
833
- 5 t 150
5 o
- 5 t 150
5 o
ü NIS
t
mW
O
C/
W
O
C
C
O
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA RA M E TE
B C 8 4 6的W，B W
ollector - é米特B reakdown V oltage公元前8 4 7 AW / BW / CW ，公元前8 5 0 BW / CW
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6的W，B W
B C 8 4 7的W / B W / C W， B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8的W / B W / C W， B C 8 4 9 B W / C宽
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M IN 。
65
45
30
80
50
30
6 .0
6 .0
5 .0
-
-
牛逼YP 。
MA X 。
ü妮吨s
V
（ BR ）
权证 IC = 1 0米A， IB = 0
-
-
V
V
（ BR ）
C B IC = 1 0 U A， IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
（ BR ）
E B IE = 1 0 U A， IC = 0
-
-
V
ê米I T T E的R - B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
ollector - B ASE UT关闭C-UR重新新台币
D C C-UR 鄂西北G A I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒用友修复" AW "
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S用友修复" BW "
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S用友修复" CW "
I
EBO
I
BO
V E B = 5
V C B = 3 0 V ， IE = 0
V C B = 3 0 V ， IE = 0 ，T
J
= 1 5 0
O
C
IC = 1 0 U A，V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
uA
-
h
F ê
-
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
IC = 2 。 0米A，V权证= 5 V
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 1 0米A， IB = 0 。 5m的
IC = 1 0 0为m的， IB = 5 。 0米一
IC = 2m的，V权证= 5 。 0 V
IC = 1 0米A，V权证= 5 。 0 V
V C B = 1 0 V ， IE = 0 ， F = 1 M·H
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B一个发E - é英里TTE 武LTA克é
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
V
权证（SAT）
C
BO
V
V
V
pF
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
电气特性曲线（ BC846AW ， BC847AW ， BC848AW ）
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
I
CB0
，集电极电流（ NA）
250
T
J
=100 C
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
C
IB （ EB）的
800
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
电容C （PF ）
400
I
C
/I
B
=20
C
OB （ CB ）
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 3
电气特性曲线（ BC846BW ， BAC847BW ， BC848BW ， BC849BW ， BC850BW ）
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC （MA ）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE（上）
（毫伏）
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB （ EB）的
T
J
= 25 C
600
电容C （ pF的
)
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
C
OB （ CB ）
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6 。
典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 4
电气特性曲线（ BAC847CW ， BC848CW ， BC849CW ， BC850CW ）
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
，集电极电流（ NA）
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温，T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC ， （毫安）
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 150 C
V
BE（上）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
BE（上）
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE （ SAT ）
与集电极电流
10
1000
C
IB （ EB）的
800
T
J
= 25 C
V
BE （ SAT ）
（毫伏）
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C （ pF的
)
T
J
= 25 C
C
OB （ CB ）
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
反向电压（ V）
图。 5.典型的V
BE （ SAT ）
与集电极电流
图。 6.典型的电容与反向电压
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。五
BC 846W ... BC 850W
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BC 846W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
6V
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC 847W
BC 850W
45 V
50 V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 848W
BC 849W
30 V
30 V
5V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
h
ie
h
oe
h
re
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
12
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
F = 30 ... 15000赫兹
BC 846W ...
F
BC 848W
BC 849W ...
F
BC 850W
BC 849W
BC 850W
F
F
–
–
R
THA
–
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
I
EB0
–
I
CB0
I
CB0
–
–
V
BEON
V
BEON
580毫伏
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
–
BC 846W ... BC 850W
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
–
–
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
–
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
2分贝
1.2分贝
1.4分贝
1.4分贝
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
BC 846AW = 1A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 847AW = 1E
BC 848AW = 1J
BC 856W ... BC 860W
BC 846BW = 1B
BC 847BW = 1F
BC 848BW = 1K
BC 849BW = 2B
BC 850BW = 2F
BC 847CW = 1G
BC 848CW = 1L
BC 849CW = 2C
BC 850CW = 2G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
13
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推荐型号
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B84143V0035R027
B82793C0225N265
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