ADP3510
为确保正常运行，最低VGS的ADP3510
可以提供必须足够，以接通FET 。可用
栅极驱动电压可以用下面的公式估算：
V
GS
=
V
适配器
(
民
)
-
V
SENSE
-
V
GATEDR
V
DS
=
V
适配器
(
民
)
-
V
二极管
-
V
SENSE
-
V
BAT
= 5 V – 0.5 V – 0.170 V – 4.2 V
= 130毫伏
R
DS
(
ON
)
=
= 153毫瓦
V
DS
I
CHR
(
最大
)
=
130
mV
850
mV
(15)
(11)
其中：
V
ADAPTER （ MIN ）
是最小适配器电压。
V
二极管
是充电器二极管D1的最大正向压降。
V
GATEDR
是的栅极驱动“低”电压0.5V。
V
SENSE
是最大的高电流限制阈值电压。
（Ⅴ适配器电压之间的差
适配器
）及
最后电池电压VBAT必须超过因电压降
阻塞二极管，检测电阻，以及导通电阻
在FET的最大充电电流。
V
DS
=
V
适配器
(
民
)
-
V
二极管
-
V
SENSE
-
V
BAT
(16)
P
DISS
=
V
适配器
(
最大
)
-
V
二极管
-
V
SENSE
-
UVLO
I
CHR
P
DISS
=
(
6.5
V
-
0.5
V
-
0.170
V
-
3.2
)
0 / 85
A
=
2.24
W
适当的PMOS FET是可从以下供应商：
Siliconix公司
IR
飞兆半导体
充电器二极管的选择
(
)
(12)
然后FET的RDS（ON）可以计算出来。
R
DS
(
ON
)
=
V
DS
I
CHR
(
最大
)
(13)
FET的热特性，必须考虑
下一个。最坏情况下的功耗可以用确定：
P
DISS
=
V
适配器
(
最大
)
-
V
二极管
-
V
SENSE
-
UVLO
I
CHR
但是应当指出的是，适配器电压既可以预调节
还是非管制。在预调节的情况下，之间的差
最大和最小电压适配器可能是不显
着的。在未调节的情况下，适配器电压可以有一个
大范围指定。然而，指定的最大电压是
通常与无负荷施加。因此，最坏情况下的功率耗散
计算往往会导致过度指定通设备。在
无论是哪种情况，最好是确定的负载特性
适配器来优化充电器设计。
例如：
V
ADAPTER （ MIN ）
= 5.0 V
V
ADAPTER （ MAX）
= 6.5 V
V
二极管
= 0.5 V时850毫安
V
GATEDR
= 0.5 V
V
SENSE
= 170毫伏
V
GS
= 5 V – 0.5 V – 0.170 V = 4.3 V.
因此，选择一个低阈值电压FET 。
(14)
(
)
在二极管D1 ，如图3所示，用于防止电池
从过PMOS “体二极管放电到充电的
内部偏置电路。肖特基二极管推荐
最小化从充电器上的电压差，以在电池
和功耗。选择一个额定电流的二极管
高到足以处理电池的充电电流，电压
等级大于VBAT和低漏电流。阻塞
二极管所需的锂和镍的电池类型。
印刷电路板布局考虑
请使用以下一般原则设计打印时
电路板：
1.将电池连接到的的VBAT和VBAT2销
ADP3510 。找到输入电容尽量靠近引脚
可能。
2. VAN和VTCXO电容应返回到AGND 。
3. VCORE ， VMEM和VIO电容应归还
DGND 。
4.拆分接地连接。使用单独的走线或面的
模拟，数字和功率地和他们绑在一起
在单个点，优选接近该电池的回报。
5.运行从BATSNS引脚单独走线，以电池
防止电压下降错误的MVBAT测量。
6.开尔文通过运行单独的连接充电器的检测电阻
追溯至CHRIN引脚和ISENSE引脚。确保
迹线被终止尽量靠近电阻器的体成为可能。
7.使用过程中的散热考虑最佳的行业实践
的ADP3510和充电器组件的布局。小心
使用铜的面积，重量和多层建筑的所有
有助于改善散热性能。
第0版
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