ADP3510
1.2
1.0
功耗 - W
（ ML614 ， ML621 ，或ML1220 ），三洋。该ML621有
小的物理尺寸（6.8毫米直径） ，并给许多小时
备份时间。
该ADP3510提供电流都用于充电的纽扣电池
并为RTC模块。额定充电电压为2.85伏，
确保了长寿命的细胞中超过90 ％的同时，获得
标称容量。此外，它具有非常低的quies-
因为这百分之LDO电流运行所有的时间，即使在
话筒是关闭的。它也具有反向电流保护
低泄漏，这是必要的，当主电池是
除去硬币电池供给RTC的模块。
IO LDO （ VIO ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–20
0
20
40
60
环境温度 - C
80
100
图4.功耗与温度的关系
在IO的LDO生成所需的外围设备的电压
基带处理器的子系统，包括GPIO ，显示，
和串行接口。它的额定电源电流25 mA，对
由ADP3510的上电延时块的控制。
参考输出（ REFOUT ）
然而，高的电池电压，通常只有当电池发生
正在充电的手机是不是在通话模式。在
此模式中，有一个相对轻的负载上的LDO稳压器。一个完全
充电锂离子电池为4.245 V，其中， ADP3510可以提供
最大功率（0.52瓦）到85∞C环境温度。
低压降稳压器（LDO ）
参考输出是一款低噪声，高精度基准
1.65 ％，保证温度测量的精确性。参考
可以与基带转换器被使用，如果在转换器自身的
参考是不准确的。这可显著降低校准
所需要的生产过程中，基带转换器和灰时间。
电源开/ O FF
该ADP3510高性能LDO是优化自己的
通过平衡的静态电流，低压差给出的函数，
法规，纹波抑制和输出噪声。 2.2
mF
钽电容或
MLCC陶瓷电容，建议使用的核心，
内存， IO和模拟的LDO 。 0.22
mF
电容是中建议
谁料为TCXO LDO 。
数字内核LDO （ VCORE ）
该ADP3510处理有关接通电源的所有问题和
关的听筒。因此能够打开ADP3510在
四种不同的方法：
∑
拉PWRONKEY低
∑
拉PWRONIN高
∑
拉警报高
∑
CHRIN超过CHRDET门槛
拉PWRONKEY低是开启的正常方式
听筒。这将打开所有的LDO ，只要PWRONKEY
保持低电平。当VIO LDO进入监管， RESET
计时器被启动。超时后， RESET引脚变为高电平，使
基带处理器启动。与基带处理器
运行时，它可以轮询ADP3510的ROWX脚确定
如果PWRONKEY已被按下并拉PWRONIN
高。一旦PWRONIN取高， PWRONKEY可
释放。需要注意的是通过监测ROWX销，所述基带
处理器可检测第二PWRONKEY按下并转动
LDO的关有序。在这种方式中， PWRONKEY
可用于开/关控制。
拉警报引脚为高电平是如何在实时报警
时钟模块将打开手机上。主张报警
转芯，IO，存储器和模拟的LDO上，启动
基带处理器。
施加外部充电器也可以打开手机上。这
将打开所有的LDO ，再次启动的基带处理器。
请注意，如果电池电压低于欠压锁定
阈值时，应用适配器将无法启动的LDO 。
数字内核LDO提供基带电路中
手持机（基带处理器和基带转换器） 。该LDO
经过优化，非常低的静态电流在轻负载
因为这LDO是在任何时候都。
MEMORY LDO （ VMEM ）
存储器LDO为基带亲的存储器
处理器。内存LDO能够提供的60毫安
当前和也经过优化的低静态电流
并且将在同一时间为核心的LDO电。
模拟LDO （ VAN ）
该LDO具有相同的功能为核心的LDO 。它有further-
更多经过优化，良好的低频纹波抑制比为
基带转换器部分，以便拒绝使用
波纹从RF功率放大器的到来。 VAN的额定
75毫安负载，这是足以提供了完整的模拟
基带转换器的部分。模拟LDO控制
由ADP3510的上电延时块。
TCXO LDO （ VTCXO ）
该TCXO LDO旨在为温度的供应compen-
心满意足的晶体振荡器，它需要自己的超低噪声电源。
VTCXO的额定输出电流为10mA和接通
当TCXOEN是断言。
RTC LDO （ VRTC ）
该RTC LDO收取了可充电锂类型的硬币
电池来运行实时时钟模块。它被设计为
充锂锰电池，如ML系列
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