SN75374
翻两番MOSFET驱动器
SLRS028 - 1988年9月
典型特征
传播延迟时间
由低到高层次的输出
vs
负载电容
250
225
ttPLH - 传播延迟时间，
PLH
由低到高级别输出 - NS
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
1000
2000
3000
4000
CL - 负载电容 - pF的
RD = 24
RD = 10
RD = 0
VCC1 = 5 V
VCC2 = 20 V
VCC3 = 24 V
TA = 25°C
见图1
250
225
ttPLH - 传播延迟时间，
PHL
高到低级别的输出 - NS
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
1000
2000
3000
4000
CL - 负载电容 - pF的
RD = 24
RD = 10
RD = 0
VCC1 = 5 V
VCC2 = 20 V
VCC3 = 24 V
TA = 25°C
见图1
传播延迟时间
高到低级别的输出
vs
负载电容
图10
功耗（所有驱动器）
vs
频率
VCC1 = 5 V
VCC2 = 20 V
VCC3 = 24 V
输入： 3 -V方波
（50 ％占空比）
TA = 25°C
CL = 600 pF的
CL = 1000 pF的
CL = 2000 pF的
CL = 4000 pF的
CL = 400 pF的
图11
PT - 功耗 - 毫瓦
PD
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
20
40
70 100
200
的F - 频率 - 千赫
400
1000
图12
注：对于RD = 0 ，操作CL > 2000 pF的侵犯绝对最大额定电流。
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