SN75374
翻两番MOSFET驱动器
SLRS028 - 1988年9月
应用信息
功率MOSFET驱动器必须能够提供高峰值电流，以实现快速开关速度为
由等式所示
I
PK
+
VC
tr
其中C是电容性负载，和叔
r
是所希望的上升时间。 V是该电容被充电的电压
要。在图14的（a ）所示的电路中， V由下式找到
V = V
OH
– V
OL
所需的峰值电流，从而保持100ns的上升时间，在图14的电路（a）是
I
*
0)4(10
+
(3 100(10
**
) 9)
+
120毫安
PK
9
电路的电容可以被忽略，因为它相对于IRF151的输入电容是很小的。
与V
CC
为5V，假设最坏的情况下，栅极驱动电压是3V。
对于应用中V的全电压
CC2
必须提供给MOSFET的栅极，V
CC3
应至少
比V 3 V高
CC2
.
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达拉斯，德克萨斯州75265
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