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4兆位闪存+ 1兆或256 Kbit的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A / SST31LF043 / SST31LF043A
数据表
设备
速度
-
Suffix1
XX
-
Suffix2
XX
包修改
H = 32引线
I = 40引线
数字=模具修改
套餐类型
W = TSOP （采用8mm x 14毫米 - 32引脚封装）
（ 10毫米x10 14毫米 - 40引脚封装）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
E =扩展= -20 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
70 = 70纳秒
300 = 300纳秒
VERSION
A = 32引脚TSOP封装
密度
041 / 041A = 4兆位闪存+ 1兆位的SRAM
043 / 043A = 4兆位闪存+ 256 Kbit的SRAM
电压
L = 3.0-3.6V
器件系列
31 =单片ComboMemory
SST31LF04xx - XXX
SST31LF041有效组合
SST31LF041-70-4C-WI
SST31LF041-70-4E-WI
SST31LF041A有效组合
SST31LF041A-300-4C-WH
SST31LF041A-300-4E-WH
SST31LF043有效组合
SST31LF043-70-4C-WI
SST31LF043-70-4E-WI
SST31LF043A有效组合
SST31LF043A-300-4C-WH
SST31LF043A-300-4E-WH
例如：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2001硅存储技术公司
S71107-03-000 5/01
349
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