ST72521M/R/AR
12.8 I / O端口引脚特性
12.8.1一般特征
除一般的工作条件V
DD
, f
OSC
和叔
A
除非另有规定ED 。
符号
V
IL
V
IH
V
HYS
V
IL
V
IH
V
HYS
ΣI
器INJ （PIN）， 3）
I
L
I
S
R
PU
C
IO
t
F（ IO ）出
t
R（ IO ）出
t
W（ IT）在
参数
输入低电平电压
1)
输入高电平电压
1)
施密特触发器电压迟滞
2)
输入低电平电压
1)
输入高电平电压
1)
施密特触发器电压迟滞
2)
条件
CMOS端口
民
0.7xV
DD
典型值
最大
0.3xV
DD
单位
0.7
0.8
TTL接口
2
1
±4
± 25
±1
200
50
120
5
25
25
1
250
V
I
INJ(PIN)3)
注入电流在I / O引脚
共注入所有的I / O V的电流（总和
DD
=5V
和控制引脚）
输入漏电流
静态电流消耗
弱上拉等效电阻
5)
I / O引脚的电容
输出高电平到低电平的下降时间
外部中断脉冲时间
6)
C
L
=50pF
1)
在10％和90％
输出低电平到高电平的上升时间
1)
mA
V
SS
≤
V
IN
≤
V
DD
浮动输入模式
4)
V
IN
=
V
SS
V
DD
=5V
A
k
pF
ns
t
中央处理器
图96.连接未使用的I / O引脚
V
DD
10k
图97.典型I
PU
与V
DD
随着V
IN
=V
SS
90
80
70
60
IP U（ UA）
50
40
30
TA = 1 40℃
TA = 9 5℃
ST72XXX
未使用的I / O端口
TA = 2 5℃
TA = -45°C
10k
未使用的I / O端口
20
10
ST72XXX
0
2
2.5
3
3 .5
4
4.5
Vdd的（V）的
5
5.5
6
注意事项：
根据表征结果1.数据，而不是在生产测试。
施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特性数据，未经测试。
3.当电流限制是不可能的，在V
IN
最大必须得到尊重，否则请参考我
INJ （ PIN）
规范
化。正注射诱导V
IN
＆ GT ; V
DD
而负注射诱导用V
IN
＆ LT ; V
SS
。请参阅
第12.2.2
155页
了解更多详情。
4.配置并不推荐，所有未使用的引脚必须保持在一个固定的电压：使用I / O的输出模式
例如或外部上拉或下拉电阻（见
图96）。
基于仿真的设计和/或技术数据
特性，而不是在生产测试。
5.第r
PU
拉等效电阻是基于电阻式晶体管（相当于我
PU
当前DE-特点
在划线
图97 ） 。
6.要产生外部中断，最小脉冲宽度对被配置成外部的I / O端口引脚要施加
中断源。
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