STK11C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQV
h
(V
CC
= 5.0V + 10%)
b
STK11C68-20
STK11C68-25
民
最大
25
25
22
8
5
5
7
0
7
0
25
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
10
5
5
13
0
15
35
35
15
5
5
15
STK11C68-35
民
最大
35
45
45
20
STK11C68-45
单位
民
最大
20
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLe ，女
注克：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
数据有效
8
活跃
I
CC
待机
1999年6月
4-23
