*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
（输入TR = TF = 6.0纳秒）
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
符号
tTLH ，
TTHL
CPD
COUT
TREC
TR ， TF
CIN
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
功率耗散电容（每包） *
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图6）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小恢复时间，复位无效到移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入A
（图5）
最小建立时间，移位时钟锁存时钟
（图6）
最小建立时间，串行数据输入A的移位时钟
（图5）
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
参数
参数
http://onsemi.com
MC74HC595A
4
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
25
_
C到
– 55
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
60
45
12
10
75
60
15
13
15
10
75
27
15
13
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
1000
800
500
400
300
5.0
5.0
5.0
5.0
65
50
13
11
65
50
13
11
75
60
15
13
65
50
13
11
95
70
19
16
65
50
13
11
15
10
95
32
19
16
1000
800
500
400
110
80
22
19
110
36
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
75
60
15
13
90
70
18
15
75
60
15
13
75
60
15
13
15
10
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
