74HC595
8位串行输入/串行或
并行输出移位
与锁存注册
三态输出
高性能硅栅CMOS
74HC595中包含一个8位的移位寄存器和一个8位的D型
锁存器与三态并行输出。移位寄存器接收串行
数据，并提供一个串行输出。移位寄存器还提供了
并行数据，以8位锁存器。移位寄存器和锁存器有
独立的时钟输入。此装置还具有异步复位
对于移位寄存器。
在HC595与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
HC
595
ALYW
G
G
HC595G
AWLYWW
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
提高传输延时
50 ％更低的静态功耗
改进的输入噪声和闭锁免疫
这些无铅器件
HC595 =器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HC595/D
74HC595
逻辑图
串行
数据
输入
A
14
15
1
2
3
移
注册
4
LATCH
5
6
7
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
并行
数据
输出
引脚分配
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q
A
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQ
H
9
SQ
H
串行
数据
产量
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
订购信息
设备
74HC595DR2G
74HC595DTR2G
包
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
74HC595
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±35
±75
500
450
- 65至+ 150
260
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（ SOIC和TSSOP封装）
SOIC封装
TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
http://onsemi.com
3
74HC595
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
1.9
4.4
5.9
2.98
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
±0.25
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
±2.5
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±1.0
±2.5
mA
mA
V
V
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压，Q
A
Q
H
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压，Q
A
Q
H
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OH
最小高电平输出
电压， SQ
H
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压， SQ
H
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
OZ
最大输入漏
当前
最大的三态
泄漏
目前，Q
A
Q
H
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
l
OUT
= 0
mA
I
CC
6.0
4.0
40
40
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
4
74HC595
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
- 55 25_C
6.0
15
30
35
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
150
100
30
26
135
90
27
23
60
23
12
10
75
27
15
13
10
15
v
85_C
4.8
10
24
28
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
190
125
38
33
170
110
34
29
75
27
15
13
95
32
19
16
10
15
v
125_C
4.0
8.0
20
24
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
225
150
45
38
205
130
41
35
90
31
18
15
110
36
22
19
10
15
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，移位时钟，以SQ
H
（图1和7）
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到SQ
H
（图2和7）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟锁存到Q
A
Q
H
（图3和7）
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，Q
A
Q
H
（图3和7）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间， SQ
H
（图1和7）
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ，Q
A
Q
H
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
2
F +我
CC
300
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
8位串行输入/串行或
并行输出移位寄存器
带有锁存三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC595A在引出线的LS595是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位D型锁存器的
三态并行输出。移位寄存器接收串行数据，并
提供一个串行输出。该移位寄存器也提供并行数据到
8位锁存器。移位寄存器和锁存器具有独立的时钟输入。这
装置还具有用于移位寄存器的异步复位。
该HC595A与摩托罗拉SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
MC54/74HC595A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
16
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
逻辑图
串行
数据
输入
14
15
1
2
引脚分配
QB
QA
QB
并行
数据
输出
QC
QD
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQH
A
移
注册
LATCH
QC
3
QD
4
QE
5
QF
6
QG
7
QH
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
9
SQH
串行
数据
产量
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 6
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC595A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
VOL
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最大低电平输出
电压， QA - QH
最小高电平输出
电压， QA - QH
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 1.5 VCC + 1.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
0
0
0
0
±
75
±
35
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.26
0.26
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.33
0.33
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
v
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
V
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（续）
符号
符号
VOH
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
的TPH1
FMAX
CPD
COUT
ICC
IOZ
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态泄漏
目前， QA - QH
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压， SQH
最小高电平输出
电压， SQH
功率耗散电容（每包） *
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
最大输出转换时间， QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQH
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟来SQH
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VCC或GND
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL IIoutI
IIoutI
v
v
测试条件
3
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
3.98
5.48
135
27
23
150
30
26
140
28
24
145
29
25
140
28
24
6.0
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
75
15
13
60
12
10
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
3.84
5.34
170
34
29
190
38
33
175
35
30
180
36
31
175
35
30
300
4.8
24
28
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
95
19
16
75
15
13
40
MC54/74HC595A
±
1.0
±
10
205
41
35
225
45
38
210
42
36
220
44
38
210
42
36
160
110
22
19
4.0
20
24
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
15
10
90
18
15
摩托罗拉
兆赫
单位
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
MC54/74HC595A
引脚说明
输入
A（引脚14 ）
串行数据输入。在这个引脚上的数据移入
8位的串行移位寄存器。
控制输入
移位时钟（引脚11 ）
移位寄存器时钟输入。关于这方面的一个低到高的转变
输入导致的串行输入引脚上的数据被移入
8位的移位寄存器。
复位（引脚10 ）
低电平有效，异步，移位寄存器复位输入。一
低该引脚复位该设备的移位寄存器部分
只。 8位锁存器不受影响。
锁存时钟（引脚12 ）
存储锁存时钟输入。在这个由低到高的转变
输入锁存器，移位寄存器的内容
输出使能（引脚13 ）
低电平有效输出使能。在此输入低使
从锁存器的数据被呈现在输出端。高
在此输入强制输出（ QA - QH ）到高
阻抗状态。串行输出不受此
控制单元。
输出
QA - QH （引脚15 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，7）
求反，三态，锁存器输出。
SQH （引脚9 ）
反的，串行数据输出。这是的输出
8位的移位寄存器的第八阶段。此输出不
具有三态功能。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
M54HC595
M74HC595
具有输出锁存8位移位寄存器（ 3态）
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
f
最大
= 55 MHz（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
15输入通道载荷的质量保证TO QH
10输入通道负载FOR QH “
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN 。）对于QA TO QH
|I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN 。）对于QH “
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
与LSTTL 54 / 74LS595
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HC595F1R
M74HC595M1R
M74HC595B1R
M74HC595C1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
描述
在M54 / 74HC595是一款高速CMOS 8位
移位寄存器/输出锁存器（ 3-
2
STATE ）制造的硅 MOS技术。它
具有输入通道的相同的高速性能
结合真正的CMOS低功耗。
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
馈送一个8位D型存储稳压移位寄存器
存器。存储寄存器有8个3态输出。
提供两种换挡独立的时钟稳压
存器和存储寄存器。
移位寄存器有直接压倒一切的清晰，串行
输入和串行输出（标准）引脚用于级联
ING 。两个移位寄存器和存储寄存器的使用
正边沿触发的时钟。如果两个时钟
连接在一起的，该移位寄存器的状态将AL-
方式提前存储稳压的一个时钟脉冲
存器。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1993年4月
NC =
无内部
连接
1/13
M54/M74HC595
引脚说明
针无
1, 2, 3, 4, 5,
6, 7, 15
9
10
11
13
14
12
8
16
符号
QA到QH
QH “
SCLR
SCK
G
SI
RCK
GND
V
CC
名称和功能
数据输出
串行数据输出
移位寄存器清除
输入
移位寄存器的时钟
输入
输出使能输入
串行数据输入
存储寄存器时钟
输入
地（ 0V ）
正电源电压
IEC逻辑符号
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流每路输出引脚QA- QH
直流输出电流每路输出引脚QH “
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
25
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
o
C
o
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
C
o
C
ns
o
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
4/13
HD74HC595
8位移位寄存器/锁存（ 3态输出）
描述
此装置的每个中包含一个8位的串行输入，并行输出移位馈送一个8位D型存储寄存器
注册。存储寄存器有平行的三态输出。提供了用于两个单独的移位时钟
寄存器和存储寄存器。移位寄存器有直接压倒一切的清澈，串行输入和串行
输出引脚级联。
两个移位寄存器和存储寄存器的时钟是正边沿触发。如果用户希望连接
两个时钟一起，移位寄存器的状态将总是一个时钟脉冲超前的存储寄存器中。
特点
高速运行：吨
pd
（ RCK到Q） = 17 ns的典型值（C
L
= 50 pF的）
高输出电流： 15输入通道负载扇出（Q
A
以Q
H
输出）
宽工作电压： V
CC
= 2至6 V
低输入电流：最大1μA
低静态电源电流：I
CC
（静态） = 4 μA最大值（ TA = 25 ° C）
功能表
RCK
X
X
X
X
SCK
X
X
SCLR
X
L
H
H
G
H
X
X
X
功能
Q
A
以Q
H
高阻抗
移位寄存器清零q
H
’ = L
移位寄存器时钟Q
n
= Q
n – 1
, Q
A
= SER
移位寄存器的内容传送到输出锁存
MC74HC595A
8位串行输入/串行或
并行输出移位
与锁存注册
三态输出
高性能硅栅CMOS
该MC74HC595A由一个8位的移位寄存器和一个8位的
D型锁存器与三态并行输出。移位寄存器
接收的串行数据，并提供一个串行输出。移位寄存器还
提供并行数据，以8位锁存器。移位寄存器和锁存
有独立的时钟输入。本装置还具有一个异步
重置的移位寄存器。
该HC595A与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC595AN
AWLYYWW
1
16
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
- 改进的输入噪声和闭锁免疫
逻辑图
串行
数据
输入
A
14
15
QA
1
QB
2
QC
3
QD
4
QE
5
QF
6
QG
7
QH
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC595A
AWLYWW
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
HC
595A
ALYW
16
1
引脚分配
QB
QC
QD
并行
数据
输出
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQH
移
注册
LATCH
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
9
SQH
串行
数据
产量
订购信息
设备
MC74HC595AN
MC74HC595AD
MC74HC595ADR2
MC74HC595ADT
MC74HC595ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
VCC = 16 PIN
GND = 8 PIN
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC595A/D
MC74HC595A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
VIN，VOUT
TA
VCC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压， QA - QH
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
v
2.4毫安
v
6.0毫安
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压， QA - QH
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
http://onsemi.com
2
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
符号
VOH
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
VOL
的TPH1
FMAX
ICC
IOZ
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大的三态
泄漏
目前， QA - QH
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压， SQH
最小高电平输出
电压， SQH
最大输出转换时间， QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到QA - QH
（图4和8）的
最大传输延迟，时钟锁存到QA - QH
（图3和7）
最大传输延迟，复位到SQH
（图2和7）
最大传输延迟，移位时钟来SQH
（图1和7）
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
参数
参数
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VIH或VIL
IIoutI
20
A
VIN = VCC或GND
糊涂人= 0
A
VIN = VCC或GND
VIN = VIH或VIL |电流输出|
IIoutI
IIoutI
VIN = VIH或VIL |电流输出|
IIoutI
IIoutI
v
v
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC595A
3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
±
0.5
±
0.1
0.26
0.26
0.26
2.98
3.98
5.48
135
90
27
23
150
100
30
26
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
6.0
15
30
35
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
60
23
12
10
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
5.0
±
1.0
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
170
110
34
29
190
125
38
33
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
4.8
10
24
28
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
40
75
27
15
13
±
1.0
±
10
205
130
41
35
225
150
45
38
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
160
4.0
8.0
20
24
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
2.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
90
31
18
15
兆赫
单位
单位
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
时序要求
（输入TR = TF = 6.0纳秒）
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
符号
tTLH ，
TTHL
CPD
COUT
TREC
TR ， TF
CIN
TSU
TSU
tw
tw
tw
th
功率耗散电容（每包） *
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，锁存时钟
（图6）
最小脉冲宽度，移位时钟
（图1）
最小脉冲宽度，复位
（图2）
最小恢复时间，复位无效到移位时钟
（图2）
最小保持时间，移位时钟为串行数据输入A
（图5）
最小建立时间，移位时钟锁存时钟
（图6）
最小建立时间，串行数据输入A的移位时钟
（图5）
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ， QA - QH
最大输入电容
最大输出转换时间， SQH
（图1和7）
参数
参数
http://onsemi.com
MC74HC595A
4
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
—
25
_
C到
– 55
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
1000
800
500
400
5.0
5.0
5.0
5.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
50
40
10
9.0
60
45
12
10
75
60
15
13
15
10
75
27
15
13
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
1000
800
500
400
300
5.0
5.0
5.0
5.0
65
50
13
11
65
50
13
11
75
60
15
13
65
50
13
11
95
70
19
16
65
50
13
11
15
10
95
32
19
16
1000
800
500
400
110
80
22
19
110
36
22
19
5.0
5.0
5.0
5.0
75
60
15
13
75
60
15
13
90
70
18
15
75
60
15
13
75
60
15
13
15
10
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC595A
功能表
输入
串行
输入
A
X
D
X
X
移
时钟
X
↑
L，H，
↓
L，H，
↓
LATCH
时钟
L，H，
↓
L，H，
↓
L，H，
↓
↑
产量
启用
L
L
L
L
D
SRN
移
注册
目录
L
SRA ;
SRN+1
U
U
SRN
得到的函数
LATCH
注册
目录
U
U
U
LRN
串行
产量
SQH
L
SRG
U
U
SRH
并行
输出
QA - QH
U
U
U
SRN
手术
复位移位寄存器
将数据移入移位
注册
移位寄存器遗体
不变
发送移位寄存器
内容锁存
注册
锁存器遗骸
不变
启用并行输出
力输出到高
阻抗状态
RESET
L
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L，H，
↓
X
X
L
L
H
↑
=低到高
↓
=高到低
*
*
*
U
**
**
*
*
*
U
启用
Z
SR =移位寄存器的内容
LR =锁存寄存器的内容
D =数据（ L，H）的逻辑电平
U =不变
* =取决于复位和移位时钟输入
** =取决于锁存时钟输入
引脚说明
输入
A（引脚14 ）
输出使能（引脚13 ）
串行数据输入。在这个引脚上的数据移入
8位的串行移位寄存器。
控制输入
移位时钟（引脚11 ）
低电平有效输出使能。在此输入低使
从锁存器的数据被呈现在输出端。高
在此输入强制输出（ QA- QH）所述的入
高阻抗状态。串行输出不受
该控制单元。
输出
QA - QH （引脚15 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，7）
移位寄存器时钟输入。一个低到高的转变
这导致输入的串行输入引脚上的数据被移位
入8位的移位寄存器。
复位（引脚10 ）
求反，三态，锁存器输出。
SQH （引脚9 ）
低电平有效，异步，移位寄存器复位输入。一
低该引脚复位该设备的移位寄存器部分
只。 8位锁存器不受影响。
锁存时钟（引脚12 ）
反的，串行数据输出。这是的输出
8位的移位寄存器的第八阶段。此输出不
具有三态功能。
存储锁存时钟输入。在低到高的转变
这个输入锁存器，移位寄存器的内容
http://onsemi.com
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT595
8位串行输入/串行或并行输出
移位寄存器输出锁存器;
3-state
产品speci fi cation
取代1993年9月数据
在集成电路， IC06文件
1998年6月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入/串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
特点
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移出频率
输出能力：
- 并行输出;公交车司机
- 串行输出;标准
I
CC
类别： MSI 。
应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器。
描述
74HC/HCT595
该74HC / HCT595是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
的“ 595 ”是一个8级串行移位寄存器与存储
注册和三态输出。移位寄存器和存储
注册有独立的时钟。
数据被移上的正跳变
SH
CP
输入。在每个寄存器中的数据传送到
在ST的一个正向跳变存储寄存器
CP
输入。如果两个时钟被连接在一起，所述移
寄存器将总是超前于一个时钟脉冲
存储寄存器。
移位寄存器有一个串行输入（D
S
）和串行
标准输出（Q
7
'）进行级联。它也设置有
所有的8位移位寄存器异步复位（低电平有效）
阶段。存储寄存器有8位并行三态总线
驱动器输出。在存贮寄存器中的数据显示在
输出时，输出使能输入（OE）为LOW 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型值。
符号参数
t
PHL
/t
PLH
传播延迟
SH
CP
以Q
7
’
ST
CP
以Q
n
MR到Q
7
’
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
;对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
最大时钟频率SH
CP
， ST
CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
16
17
14
100
3.5
115
21
20
19
57
3.5
130
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1998年6月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入/串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
订购信息
包
类型编号
名字
74HC595N
74HC595D
74HC595DB
74HC595PW
74HCT595N
74HCT595D
钉扎
符号
Q
0
以Q
7
GND
Q
7
’
MR
SH
CP
ST
CP
OE
D
S
V
CC
针
15 ，为1 7
8
9
10
11
12
13
14
16
DIP16
SO16
SSOP16
TSSOP16
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
74HC/HCT595
VERSION
SOT38-1
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
SOT38-1
SOT109-1
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
描述
并行数据输出
接地（ 0 V ）
串行数据输出
主复位（低电平有效）
移位寄存器时钟输入
存储寄存器时钟输入
输出使能（低电平有效）
串行数据输入
正电源电压
手册， halfpage
11
12
9
15
1
2
3
4
5
6
7
手册， halfpage
Q1 1
Q2 2
Q3 3
Q4 4
Q5 5
Q6 6
Q7 7
GND 8
MLA001
16 VCC
15 Q0
14 DS
13 OE
SHCP STCP
Q7'
Q0
Q1
Q2
14
DS
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
MR
10
OE
13
MLA002
595
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7'
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
1998年6月04
3
74HC595
概述
8位移位寄存器当变送器锁存三态输出
74HC595
是制造高速硅
栅CMOS技术。它包含了一个8位
串行输入，串行或并行输出移位寄存器和一个
8比特D型存储寄存器并行三态
输出。移位和存储寄存器有
独立的时钟输入。两个移位寄存器
时钟（ SRCK ）和存储寄存器时钟（ RCK ）
是正边沿触发。
移位寄存器有直接压倒一切清晰
输入（ SRCL ），串行数据输入端（SER ）和串行
输出用于级联。当输出使能
（OE）输入为高电平时，输出在
高阻抗状态。如果两个时钟
连接在一起的，该移位寄存器始终是
超前的存储寄存器中的一个时钟脉冲。
特点
8位串行入，并行出移位寄存器的内容与存储
移位寄存器可以直接清除
8位D型存储寄存器并行三态输出
对于移动和存储寄存器两个独立的时钟
宽工作电源电压2-6V
低输入电流1μA <
低功耗，最大。 80μA （ 74HC595 ）
输出驱动能力±6 mA的5V
典型传播延迟13nS
逻辑图
Q
1
15
Q
2
1
Q
3
2
Q
4
3
Q
5
4
Q
6
5
Q
7
6
Q
8
7
13
OE
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
3R
C3
3S
12
RCK
11
SRCK
14
SER
10
1D
C1
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
2S
2R
C2
R
9
Q
8’
SRCL
1
WS74HC595
绝对最大额定值
参数
价值
单位
直流电源电压Vcc的
- 0.5 ~ + 7.0
V
DC输入钳位电流IIK （ Vi<0或Vi>Vcc ）
±20
mA
直流输出钳位电流IOK （ Vo<0或Vo>Vcc ）
±20
mA
DC每个引脚的电流消耗，所有输出（I
OUT
)
±35
mA
直流电源电流， VCC或GND （ ICC）
±70
mA
存储温度（T
英镑
)
-65 ~ +150
℃
焊接温度（T
L
） （焊接， 10秒）
260
℃
注意：
1.绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。
推荐工作CONDITONS
参数
电源电压（VCC）
VCC=2.0V
分钟。
正常
马克斯。
单位
2
VCC=4.5V
5
6
V
V
IH
高位
输入电压
VCC=6.0V
1.5
3.15
4.2
V
VCC=2.0V
V
IL
低电平
输入电压
VCC=4.5V
VCC=6.0V
0.5
1.35
1.8
V
V
I
输入电压
V
O
输出电压
工作温度（Ta ）
74HC595
0
0
-40
VCC
VCC
85
V
V
℃
输入上升/下降时间（ TR ， TF ）
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
1000
500
400
ns
记
:
2.所有未使用的设备的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。
3.如果该装置被用于在阈值区域（从V
IL
MAX = 0.5 V到V
IH
分= 1.5 V）时，有一种
潜在进入错误的状态下诱导接地，造成双时钟。操作
与输入在t
t
= 1000纳秒和Vcc的= 2 V不损坏器件;然而，在功能上，该
CLK输入都不能保证，而在移位，计数或切换工作模式。
3
WS74HC595
DC电气特性
（整个温度范围内适用，除非另有规定）
TA = 25°
54HC595
典型值最大值最小值
1.998
1.9
4.499
4.4
5.999
5.9
4.3
3.84
5.8
5.34
0.002
0.1
0.001
0.1
0.001
0.1
0.17
0.26
0.15
0.26
±100
±0.1
±0.01 ±0.5
8
3
10
74HC595
最大
参数
测试条件
V
CC分钟
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
单位
V
OH
V
I
= V
IH
或V
IL
V
OL
V
I
= V
IH
或V
IL
I
I
V
I
= VCC或0
2 V
I
OH
= -20uA 4.5V
6 V
I
OH
= -6毫安4.5V
I
OH
= -7.8mA 6 V
2 V
I
OL
=20uA
4.5V
6 V
I
OL
= 6毫安
4.5V
I
OL
= 7.8毫安6 V
6 V
V
I
OZ
ICC
Ci
V
O
= Vcc的或0时，Q1 Q8
V
I
= VCC或0 I
O
= 0
6 V
6 V
2V ~ 6V
0.1
0.1
0.1
V
0.33
0.33
±1000
nA
±5
uA
80
uA
10
pF
时序REQUREMENTS OVER RECOMMENED操作自由空气的温度
范围内（除非另有说明）
参数
符号单位
保证限额
测试条件
时钟频率
f
时钟
兆赫
脉冲持续时间
t
w
ns
建立时间
t
su
ns
保持时间，
t
h
ns
TA=25℃
6
31
36
80
16
14
80
16
14
100
20
17
75
15
13
50
10
9
50
10
9
0
-40~+85
5
Vcc=2.0V
25
Vcc=4.5V
29
Vcc=6.0V
100
VCC = 2.0V SRCK LCK或高或低
20
Vcc=4.5V
17
Vcc=6.0V
100
Vcc=2.0V
SRCL低
20
Vcc=4.5V
17
Vcc=6.0V
125
Vcc=2.0V
25
SRCK ↑之前， VCC = 4.5V SER
21
Vcc=6.0V
94
Vcc=2.0V
19
VCC = 4.5V SRCK ↑ ↑ LCK前
（注4 ）
16
Vcc=6.0V
65
Vcc=2.0V
13
VCC = 4.5V SRCL低RCK ↑前
11
Vcc=6.0V
60
Vcc=2.0V
SRCL高（无效）
12
Vcc=4.5V
11
SRCK ↑前
Vcc=6.0V
0
Vcc=2~6V
SER SRCK之后↑
注意： 。 4.本安装时间允许的锁，从移位寄存器接收稳定的数据。该时钟可
被连接在一起，在这种情况下，移位寄存器是一个时钟脉冲超前的锁存器。
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入，串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
特点
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移频出
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器。
描述
74HC595 ; 74HCT595
该74HC / HCT595是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT595是一个8级串行移位寄存器用
存储寄存器和三态输出。移位寄存器和
存储寄存器有独立的时钟。
数据被移上的正跳变
SH_CP输入。在每个寄存器中的数据传送到
上的一个正向跃迁的存储寄存器
ST_CP输入。如果两个时钟被连接在一起，所述
移位寄存器将总是超前于一个时钟脉冲
存储寄存器。
移位寄存器有一个串行输入（ DS）和一个串行
标准输出（ Q7 '）进行级联。它也提供
与异步复位（低电平有效）的所有8位移
注册阶段。存储寄存器有8位并行三态
总线驱动器输出。在存储寄存器数据出现在
每当输出使能输入输出（OE）为LOW 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
SH_CP到Q7 “
SH_CP至Qn
MR到Q7 “
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC595的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT595的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003年6月25
2
最大时钟频率SH_CP和ST_CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
74HC
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
19
20
100
100
3.5
115
25
24
52
57
3.5
130
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
74HCT
单位
74HC595
与8位输出寄存器的8位移位寄存器
描述
该74HC595是一个高速CMOS器件。
从串行输入（ DS）的一个8位的移位寄存器accpets数据
在移位寄存器时钟（ STCP ）的每个正跳变。
零，是所有时钟indepent 。
从输入串行移位寄存器中的数据被放置在输出寄存器
一个上升脉冲对存储器时钟电阻（ SHCP ） 。
积极的和现在的日
所有寄存器捕捉上升沿数据和更改输出的
下降沿。
如果两个时钟输入移位地连接在一起
寄存器是永远领先于输出寄存器一个时钟周期。
与
输出使能（ OE低电平三态输出Q0- Q7成为
当
低电平复位功能（ MR）将所有移位寄存器的值
引脚分配
特点
宽电源电压范围从2.0V至6.0V
汇或来源8毫安在V
CC
= 4.5V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入
输入接受高达6.0V
每JESD 22 ESD保护测试
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
串行到并行数据的转换
捕捉并保持长时间的数据。
从单片机控制，因为允许简单的串行比特流
根据需要许多外围线。
的产品，如各种各样的：
电脑外设
家电
工业控制
闭锁超过每JESD 78 ， II类250毫安
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于卤素 - 和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
点击这里订购信息，位于数据表的末尾
74HC595
文件编号： DS35492修订版3 - 2
1 11
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74HC595
功能描述和时序图
控制
SHCP STCP
X
X
X
X
X
X
OE
L
L
H
L
MR
L
L
L
H
输入
DS
Q7S
L
L
L
Q6S
产量
Qn
NC
L
Z
NC
功能
低级别的认定上MR清除移位寄存器。
存储寄存器不变
空的移位寄存器传送到存储寄存器
移位寄存器仍然清晰;:所有Q OUPUTS在Z状态。
高被转移到了每一个移位寄存器的内容第一阶段
寄存器转移到下一个寄存器
Q6S的内容已经被移动到Q7S和现在出现在
器件的引脚Q7S
移位寄存器的内容复制到存储寄存器。与现在的输出
处于活动状态的存储电阻的内容出现在Q输出。
移位寄存器的内容复制到输出寄存器，然后移位寄存器
移位。
X
L
L
H
H
NC
Q6S
QNS
QNS
H =高电压状态
L =低电压状态
低
到高的转变
X =不在乎 - 高或低（非浮动）
NC =无变化
Z =高阻抗状态
74HC595
文件编号： DS35492修订版3 - 2
3 11
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74HC595
绝对最大额定值
（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
IK
I
OK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
输入钳位电流
输出钳位电流
输出钳位电流
V
I
< -0.5V
六> VCC + 0.5V
V
O
<-0.5V
V
O
＆ GT ; V
CC
+0.5V
Q7标准输出
QN总线驱动器输出
等级
2
1
200
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.3到V
CC
+0.5
-20
20
-20
20
±25
±35
70
-70
-40到+150
-65到+150
500
单位
kV
kV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
连续输出电流
连续电流通过VDD或GND。
连续电流通过VDD或GND。
工作结温
储存温度
总功耗
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注5）（ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
T
A
注意：
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
主动模式
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
条件
民
2.0
0
0
-40
最大
6.0
V
CC
V
CC
1000
500
400
+125
单位
V
V
V
NS / V
°C
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
74HC595
文件编号： DS35492修订版3 - 2
4 11
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出
锁存器;三态
启示录6 - 2011年12月12日
产品数据表
1.概述
该74HC595 ; 74HCT595是高速硅栅CMOS器件和引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC595 ; 74HCT595是8级串行移位寄存器与存储寄存器和
三态输出。该寄存器具有独立的时钟。
数据被移位的移位寄存器的时钟输入端（ SHCP ）的正向跳变。
在每个寄存器中的数据传送到存储寄存器上的正向
存储寄存器时钟输入（ STCP ）的过渡。如果两个时钟是连接在一起的，
该移位寄存器将总是一个时钟脉冲超前的存储寄存器的。
移位寄存器有一个串行输入（ DS）和一个串行标准输出（ Q7S ），用于级联。
它也设置有异步复位（低电平有效）所有8个移位寄存器级。该
存储寄存器有8个平行的三态总线驱动器输出。在存贮寄存器中的数据
出现在每当输出使能输入端（OE）为低电平的输出。
2.特点和好处科幻TS
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移频出
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC595N
74HCT595N
74HC595D
74HCT595D
74HC595DB
74HCT595DB
74HC595PW
74HCT595PW
74HC595BQ
74HCT595BQ
40 C
+125
C
DHVQFN16
40 C
+125
C
TSSOP16
40 C
+125
C
SSOP16
40 C
+125
C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
塑料双列直插兼容的热增强型
非常薄四方扁平的封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
3.5
0.85 mm
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
SOT763-1
40 C
+125
C
名字
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
类型编号
5.功能图
14 DS
11 SHCP
10 MR
8级移位寄存器
Q7S
12 STCP
9
8位存储寄存器
13 OE
三态输出
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
15 1
2
3
4
5
6
7
mna554
图1 。
工作原理图
74HC_HCT595
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月12日
2 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
13
12
11
12
10
9
15
1
2
3
4
5
6
7
14
1D
11
R
C1/
SRG8
SHCP STCP
Q7S
Q0
Q1
Q2
14
DS
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
MR
10
OE
13
mna552
EN3
C2
2D
3
15
1
2
3
4
5
6
7
9
mna553
图2 。
逻辑符号
图3 。
IEC逻辑符号
0级
DS
D
FF0
CP
SHCP
R
Q
D
STAGES 1-6
Q
7级
D
FF7
CP
R
Q
Q7S
MR
D
Q
D
Q
LATCH
CP
STCP
OE
LATCH
CP
mna555
Q0
Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6
Q7
图4 。
逻辑图
74HC_HCT595
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月12日
3 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC595
74HCT595
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aao241
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7S
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aao242
74HC595
74HCT595
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7S
图5 。
引脚配置DIP16 ， SO16
图6 。
引脚配置SSOP16 ， TSSOP16
74HC595
74HCT595
1号航站楼
索引区
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
2
3
4
5
6
7
8
GND
Q7S
9
GND
(1)
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
Q1
1
001aao243
透明的顶视图
（ 1）这是不是电源引脚，基板使用导电管芯连接材料连接到该垫。没有电或
然而，机械的要求焊垫本，如果它被焊接在焊接区应保持浮动或连接到
GND 。
图7 。
对于DHVQFN16引脚配置
74HC_HCT595
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月12日
4 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
6.2引脚说明
表2中。
符号
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
Q7S
MR
SHCP
STCP
OE
DS
Q0
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
并行数据输出1
并行数据输出2
并行数据输出3
并行数据输出4
并行数据输出5
并行数据输出6
并行数据输出7
接地（ 0 V ）
串行数据输出
主复位（低电平有效）
移位寄存器时钟输入
存储寄存器时钟输入
输出使能输入（低电平有效）
串行数据输入
并行数据输出0
电源电压
7.功能描述
表3中。
控制
SHCP STCP OE
X
X
X
X
X
X
L
L
H
L
MR
L
L
L
H
功能表
[1]
输入
DS
X
X
X
H
产量
Q7S
L
L
L
Q6S
Qn
NC
L
Z
NC
在MR低级别只影响移位寄存器
空移位寄存器装入存储寄存器
移位寄存器明确;在高阻抗OFF态并行输出
逻辑高电平移入移位寄存器级都为0。内容
移位寄存器级移位通过，例如阶段6的前一状态
（内部Q6S ）出现在串行输出（ Q7S ） 。
的移位寄存器级的内容（内部QNS ）被转移到
存储寄存器和并行输出级
移位寄存器的内容通过转移;以前的内容
移位寄存器传送到存储器寄存器和并行
输出级
功能
X
L
L
H
H
X
X
NC
Q6S
QNS
QNS
[1]
H =高电压状态;
L =低电压状态;
=低到高的转变;
X =不关心;
NC =无变化;
Z =高阻关断状态。
74HC_HCT595
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月12日
5 24
QQ：2880707522 复制
