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2SK3177
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-745A ( Z)
第2位。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 90毫欧(典型值) 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO–220FM
D
G
1 2
S
1.门
2.漏
3.源
3
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