【2SK3177硅N沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-745A （ Z）第2位。版19】,IC型号2SK3177,2SK3177 PDF资料,2SK3177经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SK3177

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-745A （ Z）

第2位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

R

DS

= 90毫欧（典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

概要

TO–220FM

D

G

1 2

S

1.门

2.漏

3.源

3

2SK3177

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注3 AP

E

AR注3

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±20

15

60

15

15

15

35

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

°C

°C

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

50

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

200

±20

—

—

1.0

—

—

16

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

90

95

20

1600

510

250

20

120

400

170

0.85

100

最大

—

—

±10

10

2.5

115

125

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

I

F

= 15 A，V

GS

= 0

I

F

= 15 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 8 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 8 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V

R

L

= 3.75

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2

2SK3177

主要特点

功率与温度降额

40

100

最高安全工作区

10

PW

DC

Op

ERA

P沟（W）的

I

D

(A)

30

10

3

1

30

=1

0

TIO

n(

ms

Tc

=

1m

(1s

h

25

10

0

s

s

s

散热通道

20

漏电流

OT ）

10

操作

0.3这个区域是

0.1限制由R

DS （ ON）

0.03

0.01

TA = 25℃

1

2

5

°C

)

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

10 20

50 100 200 500

V

DS

(V)

外壳温度

漏源极电压

典型的输出特性

50

脉冲测试

10 V

6V

4V

3.5 V

30

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

I

D

漏电流

(A)

3V

40

16

12

漏电流

20

8

TC = 75℃

–25°C

25°C

10

V

GS

=2.5 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

4

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

5

V

GS

(V)

3

2SK3177

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

V

DS （上

) (V)

脉冲测试

4

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m )

5

200

V

GS

= 4 V

100

10 V

50

3

2

I

D

= 15 A

1

10 A

5A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

20

10

1

2

50

10 20

5

漏电流I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

( m)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

500

脉冲测试

400

5, 10 A

15 A

200

V

GS

= 4 V

5, 10 A

100

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

案例温度T

c

(°C)

15 A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

25 °C

20

TC = -25°C

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

漏电流I

D

(A)

100

75 °C

300

4

2SK3177

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

10000

的di / dt = 50A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

5000

典型的电容比。

漏源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

500

2000

1000

500

200

100

50

西塞

200

100

50

科斯

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

20

10

0.1

20

10

0.3

1

3

10

30

100

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

开关特性

V

DS

(V)

V

GS

(V)

200

V

GS

V

DS

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

20

500

300

吨D（关闭）

tf

开关时间t（ NS ）

160

16

100

30

10

漏源极电压

120

12

栅极至源极电压

tr

吨D（上）

80

I

D

= 15 A

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

40

80

120

160

栅极电荷Qg （ NC ）

8

40

4

0

200

3

1

0.1

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

PW = 5微秒，占空比< 1 ％

0.3

3

1

漏电流

10

I

D

(A)

30 100

0

5

2SK3177

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1089-0300

（上一个： ADE- 208-745A ）

Rev.3.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

R

DS

= 90mΩ （典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AD -A

（包名称： TO- 220FM ）

D

G

1.门

2.漏

3.源

1

2 3

S

Rev.3.00 2005年9月7日第1页7

2SK3177

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

3.价值在总胆固醇= 25

°

C， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注3 AP

E

AR注3

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±20

15

60

15

15

15

35

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

200

±20

—

—

1.0

—

—

16

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

90

95

20

1600

510

250

20

120

400

170

0.85

100

最大

—

—

±10

10

2.5

115

125

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 8 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 8 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 3.75

I

F

= 15 A，V

GS

= 0

I

F

= 15 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

Rev.3.00 2005年9月7日第2 7

2SK3177

主要特点

功率与温度降额

40

100

30

PW

DC

Op

ERA

最高安全工作区

10

10

=1

TIO

通道耗散P沟（W）的

s

漏电流I

D

(A)

30

10

3

1

0m

Tc

1m

s(

1s

0

s

t)

s

20

n(

ho

=2

10

操作

0.3这个区域是

0.1限制由R

DS （ ON）

0.03

5

°

C)

0

0.01

50

100

150

200

1

TA = 25°C

2

5

10 20

50 100 200 500

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

脉冲测试

10 V

6V

4V

3.5 V

30

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

40

16

12

20

3V

8

TC = 75℃

–25°C

25°C

10

V

GS

=2.5 V

4

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

5

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

500

脉冲测试

4

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

200

V

GS

= 4 V

3

100

10 V

50

2

I

D

= 15 A

1

10 A

5A

0

4

8

12

16

20

20

10

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.3.00 2005年9月7日第3页7

2SK3177

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

500

脉冲测试

400

5, 10 A

15 A

200

V

GS

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳

与漏电流

50

25°C

20

TC = -25°C

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

75°C

300

5, 10 A

100

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

15 A

0.3

1

3

10

30

100

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

10000

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

5000

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

2000

1000

500

200

100

50

20

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

200

100

50

科斯

CRSS

20

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

200

V

GS

开关特性

20

500

300

TD （关闭）

tf

160

V

DS

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

16

开关时间t（ NS ）

100

30

10

120

12

tr

TD （上）

80

I

D

= 15 A

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

8

40

4

0

200

3

1

0.1

V

GS

= 10 V,

V

DD

= 30 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

0

40

80

120

160

0.3

1

3

10

30 100

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.3.00 2005年9月7日第4 7

2SK3177

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

(A)

20

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

20

I

AP

= 15 A

V

DD

= 50 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

反向漏电流I

DR

16

10 V

12

16

12

8

V

GS

= 0, –5 V

8

4

5V

脉冲测试

4

0

25

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（ t）的

θ

CH - C

θ

CH - C = 3.57 ° C / W ，TC = 25°C

PDM

D=

PW

T

0.03

0.02

1

0.0

PW

T

0.01

10

1s

ho

u

tp

LSE

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

雪崩测试电路

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

E

AR

=

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

V

DS

I

D

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.3.00 2005年9月7日第5 7

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