晶体管
2SD1992A
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
补充2SB1321A
I
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
让供应与径向编带
0.45
0.05
+0.1
6.9±0.1
0.15
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
0.65最大。
1.0
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
1
500
600
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
1
2
3
0.45
0.05
2.5±0.5
2.5±0.5
+0.1
注）除
所示引线型
上图，
如示出的类型
在下图中
也可用。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT1类型封装
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+
0.1
0.05
2.5±0.1
（ HW型）
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
*1
跃迁频率
集电极输出电容
注）* 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
无秩
85至340
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1 * 2
h
FE2 * 1
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
20 V，I
B
=
0
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
10毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
500毫安
I
C
=
300毫安，我
B
=
30毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 10
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 0,
f
=
1兆赫
60
50
7
85
40
90
0.35
200
6
15
0.6
V
兆赫
pF
340
民
典型值
最大
0.1
1
单位
A
A
V
V
V
无等级的产品不分类网络版，并没有任何迹象的排名。
14.5±0.5
0.85
3.5±0.1
0.8
1
