2SD1992A
P
C
T
a
800
晶体管
I
C
V
CE
800
700
T
a
=
25°C
I
B
=
10毫安9毫安
8毫安
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
400
300
200
100
0
3毫安
2毫安
1毫安
800
700
I
C
I
B
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
700
集电极电流I
C
（MA ）
600
500
400
300
200
100
0
600
500
集电极电流
I
C
（MA ）
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
环境温度T
a
(
°C
)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
a
=
75°C
25°C
25°C
V
BE （ SAT ）
I
C
100
h
FE
I
C
300
V
CE
=
10 V
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/
I
B
=
10
I
C
/
I
B
=
10
30
正向电流传输比H
FE
250
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
10
3
25°C
1 T
a
=
75°C
25°C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
150
100
50
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
240
12
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
集电极到发射极电压V
CER
(V)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25°C
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
120
V
CER
R
BE
I
C
=
2毫安
T
a
=
25°C
100
过渡频率f
T
（兆赫）
200
10
160
8
80
120
6
60
80
4
40
40
2
20
0
1
2 3 5
10
2030 50 100
0
0
1
2
3
5
10
20 30 50
100
1
3
10
30
100
300
1000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
