初步数据表
硅晶体管
2SC5336
NPN外延硅晶体管
高频低失真放大器
特点
包装尺寸
（单位：毫米）
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
高增益
2
| S
21
| = 12 dB典型值， @f = 1千兆赫，V
CE
= 10 V ， IC = 20毫安
一个4针型新电源小型模具包版本
对2SC3357增益提高
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Note1
P
T
等级
20
12
3.0
100
1.2
150
-65到+150
单位
0.8MIN.
C
E
B
E
V
V
V
mA
W
°C
°C
0.42
±0.06
1.5
3.0
0.46
±0.06
0.42
±0.06
3.95±0.25
2.45±0.1
0.25±0.02
T
j
T
英镑
注： 1 。
0.7 mm
×
16厘米双面陶瓷基体（镀铜）
电气特性（T
A
= 25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
噪声系数
符号
I
CB0
I
EB0
h
FE
f
T
C
re
| S
21e
|
NF
NF
2
引脚连接
E：发射器
C：收藏家
B：基本
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
Note3
Note2
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
单位
A
A
50
120
6.5
0.5
12.0
1.1
1.8
250
GHz的
0.8
pF
dB
dB
3.0
dB
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 40 mA时， F = 1.0 GHz的
注2 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
3.
由一个三端桥Mesured 。发射器和外壳应连接到保护终端。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
RH
RH
50至100
RF
RF
80至160
RE
RE
125
250
一号文件P10938EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
