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初步数据表
硅晶体管
2SC5336
NPN外延硅晶体管
高频低失真放大器
特点
包装尺寸
(单位:毫米)
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
高增益
2
| S
21
| = 12 dB典型值, @f = 1千兆赫,V
CE
= 10 V , IC = 20毫安
一个4针型新电源小型模具包版本
对2SC3357增益提高
绝对最大额定值(T
A
= 25 °C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Note1
P
T
等级
20
12
3.0
100
1.2
150
-65到+150
单位
0.8MIN.
C
E
B
E
V
V
V
mA
W
°C
°C
0.42
±0.06
1.5
3.0
0.46
±0.06
0.42
±0.06
3.95±0.25
2.45±0.1
0.25±0.02
T
j
T
英镑
注: 1 。
0.7 mm
×
16厘米双面陶瓷基体(镀铜)
电气特性(T
A
= 25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
噪声系数
符号
I
CB0
I
EB0
h
FE
f
T
C
re
| S
21e
|
NF
NF
2
引脚连接
E:发射器
C:收藏家
B:基本
测试条件
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
Note3
Note2
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
单位
A
A
50
120
6.5
0.5
12.0
1.1
1.8
250
GHz的
0.8
pF
dB
dB
3.0
dB
V
CE
= 10 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 7 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 40 mA时, F = 1.0 GHz的
注2 。
脉搏测量: PW
350
S,占空比
2 %
3.
由一个三端桥Mesured 。发射器和外壳应连接到保护终端。
h
FE
分类
记号
h
FE
RH
RH
50至100
RF
RF
80至160
RE
RE
125
250
一号文件P10938EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
2SC5336
典型特征(T
A
= 25
°
C)
总功耗对比
环境温度
5.0
F = 1.0 MH
Z
C
re
- 反馈电容 - pF的
P
T
- 总功耗 - W
FEED BACK电容与
集电极 - 基极电压
2.0
陶瓷基板
16厘米
2
×
0.7 mm
1.0
自由的空气
R
号(j -a)的
312.5 C / W
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
1
3
5
10
20
30
0
50
100
150
T
A
- 环境温度 - C
V
CB
- 集电极基极电压 - V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
15
V
CE
= 10 V
S
21e 2
- 插入功率增益 - 分贝
插入增益与
集电极电流
V
CE
= 10 V
F = 1 GH
Z
h
FE
- 直流电流增益
100
10
50
5
20
10
0.5
1
5
10
50
0
1
3
5
10
20 30
50
100
I
C
- 集电极电流 - 毫安
I
C
- 集电极电流 - 毫安
10
f
T
- 增益带宽积 - GH
Z
S
21e 2
- 插入功率增益 - 分贝
MAG - 最大可用功率增益 - 分贝
增益带宽积VS.
集电极电流
插入增益。最大增益与
频率
S
21e 2
MAG
5
3
2
1
20
10
0.5
0.3
V
CE
= 10 V
F = 1 GH
Z
1
3
5
10
20
30 50
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.4
2.0
I
C
- 集电极电流 - 毫安
的F - 频 - GH
Z
2
2SC5336
噪声系数与集电极电流
7
6
V
CE
= 10 V
F = 1 GH
Z
互调失真主场迎战
集电极电流
IM
2
- Intermoduration失真 - 分贝
–80
–70
–60
IM
3
NF - 噪声系数 - 分贝
5
4
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50
IM
2
V
CE
= 10 V
at
½
V
O
= 100分贝
V/50
R
g
= R
e
= 50
IM
2
F = 90 + 100 MH
Z
IM
3
f = 2
×
200 - 190 MH
Z
20
30
40
50
60
70
I
C
- 集电极电流 - 毫安
–50
–40
–30
I
C
- 集电极电流 - 毫安
3
2SC5336
S参数
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
S
11
F(兆赫)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
MAG
.519
.413
.413
.345
.331
.320
.302
.296
.283
.285
.265
.260
.263
.242
.252
.253
.253
.257
.262
.273
74.5
112.9
133.4
145.7
153.8
159.6
166.8
169.2
173.2
179.8
175.2
174.1
166.0
163.0
160.1
154.0
149.9
147.2
143.0
141.5
MAG
30.931
18.965
13.324
10.164
8.177
6.834
5.832
5.107
4.600
4.200
3.930
3.979
3.741
3.115
2.844
2.595
2.420
2.305
2.171
2.049
S
21
131.9
111.5
101.9
95.9
91.8
89.1
86.7
84.3
83.1
82.3
80.8
78.5
68.6
66.6
65.7
64.1
63.7
63.0
62.6
61.2
MAG
.017
.031
.038
.045
.055
.064
.074
.077
.088
.097
.100
.109
.114
.119
.133
.140
.158
.165
.172
.177
S
12
60.6
61.9
65.1
69.8
71.8
70.9
73.9
74.4
71.2
74.5
76.3
75.9
76.8
78.3
82.0
81.0
80.9
82.2
80.5
78.3
MAG
.752
.570
.465
.428
.436
.438
.434
.429
.436
.455
.467
.529
.551
.509
.510
.496
.515
.518
.536
.524
S
22
30.2
39.7
39.8
40.1
41.1
43.5
47.5
47.8
46.5
47.8
46.8
47.4
55.8
55.8
58.5
55.2
54.8
56.5
58.6
61.5
4
2SC5336
S参数
V
CE
= 10 V,I
C
= 40毫安
S
11
F(兆赫)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
MAG
.378
.317
.308
.299
.297
.288
.274
.261
.255
.260
.243
.239
.245
.216
.235
.243
.233
.242
.249
.260
97.1
131.8
150.1
158.7
165.5
169.2
173.7
177.3
178.9
173.0
169.4
169.3
160.3
157.8
155.3
148.8
146.0
144.6
141.9
140.4
MAG
32.908
18.819
12.955
9.775
7.899
6.586
5.607
4.879
4.435
4.024
3.801
3.827
3.587
2.980
2.726
2.537
2.348
2.200
2.073
1.986
S
21
123.3
106.0
97.5
93.1
89.8
87.6
85.2
83.5
82.2
81.4
80.6
78.2
68.4
66.0
66.1
64.0
64.2
63.5
63.3
61.7
MAG
.017
.027
.035
.042
.052
.061
.071
.081
.092
.095
.098
.109
.117
.125
.137
.143
.159
.163
.171
.184
S
12
71.1
71.2
71.8
78.1
78.5
79.1
77.4
76.4
76.5
77.6
77.1
78.3
78.0
80.3
86.5
80.6
81.2
80.4
81.7
77.5
MAG
.665
.487
.398
.393
.399
.407
.400
.415
.399
.440
.441
.494
.517
.486
.500
.474
.496
.491
.534
.535
S
22
34.7
38.7
38.5
36.9
37.6
39.9
44.6
47.4
46.2
44.3
45.2
46.2
55.4
54.5
59.0
53.7
56.8
53.6
58.0
61.3
5
为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
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瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
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电子产品。
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文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5336
NPN硅射频晶体管
高频率的低失真放大器
4 - Pin电源Minimold
特点
高增益:
S
21e
= 12 dB典型值。 @ V
CE
= 10 V,I
C
= 20 mA时, F = 1 GHz的
2
4针电源minimold包从2SC3357提高增益
订购信息
产品型号
2SC5336
2SC5336-T1
QUANTITY
25个(非卷轴)
1千件/卷
杂志案
12mm宽压纹带卷
集电极面对带的穿孔侧
供给方式
备注
如需订购样品评价,咨询公司销售代表。
样本股数量为25个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
20
12
3.0
100
1.2
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
T
j
T
英镑
2
安装在16厘米
×
0.7毫米(t)的陶瓷基板(镀铜)
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P10938EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2001年8月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1996, 2001
2SC5336
电气特性(T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图(1)
噪声图(2)
反向传输电容
f
T
S
21e
2
NF
NF
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
50
120
1.0
1.0
250
A
A
V
CE
= 10 V,I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 20 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
6.5
12
1.1
1.8
0.5
3.0
0.8
GHz的
dB
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
RH
RH
50至100
RF
RF
80至160
RE
RE
125至250
2
数据表P10938EJ2V0DS
2SC5336
典型特征(除另有规定外,T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
(W)
安装在陶瓷基片
( 16厘米
2
×
0.7毫米( t))的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
5.0
F = 1 MHz的
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.3
1
3
5
10
20
30
0
50
100
150
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 10 V
10
增益带宽积
与集电极电流
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 10 V
F = 1 GHz的
5
3
2
1
0.5
0.3
1
3
5
10
20
30 50
直流电流增益
FE
100
50
20
10
0.5
1
5
10
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
插入功率增益, MAG
与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
最大可用功率增益MAG (分贝)
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
|S
21e
|
2
20
MAG
15
插入功率增益
与集电极电流
V
CE
= 10 V
F = 1 GHz的
10
10
5
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.4 2.0
0
1
3
5
10
20 30
50
100
频率f( GHz)的
集电极电流I
C
(MA )
数据表P10938EJ2V0DS
3
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