功率晶体管
2SB1638 ， 2SB1638A
PNP硅外延平面型
单位：mm
用于低压开关
7.0±0.3
3.0±0.2
3.5±0.2
s
特点
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
I型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
–40
–50
–20
–40
–5
–12
–7
15
1.3
150
-55到+150
单位
V
7.2±0.3
0.8±0.2
1.1±0.1
1.0±0.2
10.0
–0.
+0.3
0.85±0.1
0.4±0.1
0.75±0.1
2.3±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB1638
2SB1638A
2SB1638
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
4.6±0.4
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
I型包
3.5±0.2
2.0±0.2
7.0±0.3
单位：mm
0 0.15
发射极电压2SB1638A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
10.2±0.3
7.2±0.3
V
A
A
3.0±0.2
1.0最大。
2.5
0.75±0.1
0.5 MAX 。
0.9±0.1
0 0.15
W
C
C
1.1±0.1
1
2
3
2.3±0.2
4.6±0.4
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB1638
2SB1638A
2SB1638
2SB1638A
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
我型封装（ Y）
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -2A ，我
B1
= -66mA ，我
B2
= 66毫安
条件
V
CB
= -40V ，我
E
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= – 0.1A
V
CE
= -2V ，我
C
= –2A
I
C
= -5A ，我
B
= – 0.16A
I
C
= -5A ，我
B
= – 0.16A
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 10MHz时
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
140
0.1
0.5
0.1
–20
–40
45
90
260
– 0.6
–1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
民
典型值
最大
–50
–50
–50
单位
A
A
V
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
90至180
P
130 260
秩
h
FE2
2.5±0.2
1.0
2.5±0.2
1.0
1
