数据表
MOS集成电路
PD4564323
64M位同步DRAM
4银行， LVTTL
对于英文内容
描述
该
PD4564323是一个高速67108864位的同步动态随机存取存储器，组织为
524,288字
×
32位
×
4银行。
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
该同步DRAM与低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
这些产品被包装在86针TSOP （ II ） 。
特点
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
×32
组织
通过DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3字节控制
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
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供应及其他信息。
文档编号
M14376EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1999年12月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1999
