数据表
MOS集成电路
PD4564323
64M位同步DRAM
4银行， LVTTL
对于英文内容
描述
该
PD4564323是一个高速67108864位的同步动态随机存取存储器，组织为
524,288字
×
32位
×
4银行。
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
该同步DRAM与低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
这些产品被包装在86针TSOP （ II ） 。
特点
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
×32
组织
通过DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3字节控制
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
M14376EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1999年12月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1999
PD4564323为英文内容
引脚配置
/ xxx表示低电平有效的信号。
[
PD4564323]
86引脚塑料TSOP （ II ） （10.16毫米（ 400 ） ）
512K字
×
32位
×
4银行
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
CC
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
DQM2
V
CC
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
CC
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
CC
Q
DQ23
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
CC
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
CC
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
CC
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
CC
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
A0到A10
：地址输入
BA0 ， BA1
：银行选择
DQ0到DQ31 ：数据输入/输出
CLK
：时钟输入
CKE
：时钟使能
/ CS
：片选
/ RAS
：行地址选通
/ CAS
：列地址选通
/ WE
：写使能
DQM0到DQM3 ： DQ面膜能
V
CC
：电源电压
V
SS
：地面
V
CC
Q
：电源电压为DQ
V
SS
Q
：接地DQ
NC
：无连接
4
记
记
A0到A10 ：行地址输入
A0到A7 ：列地址输入
数据表M14376EJ2V0DS00
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