AN4507应用笔记
呼叫转送，在臂的相对侧上，根据IGBT的
正向输出特性（参见图1） 。
V
CE
, I
C
1.4设备方面的考虑
大部分IGBT制造商保证的IGBT会
承受的短路为10μs的额定器件的50％
电压，以15V的VGE和<125C的起始温度。
两种不同类型的短路情况下应
考虑。
ⅰ）当一个设备被切换到一个已经存在的短路
（参照图3为典型的波形）。
ⅱ）当短路出现，而该设备是已
导（参见图4）。
在第二个实例中两个电压和集电极电流
上升速度非常快。迅速崛起的dV / dt加上米勒
电容可以增加看到由IGBT的有效VGE ，
进一步增大了短路电流水平（见方程
[1]） 。由于这个原因，它是很好的做法，连一些回去，用于─
直接穿过门发射器终端回到齐纳二极管
限制Ⅴ的水平
ge
（参见图5）。
V
ge
= C的dv / dt * R
g
+ V
g
[1]
V
CE
I
C
时间
图。我4典型波形
C
和V
CE
IGBT的是
切换到短路
米勒电容
R
g
FWD
V
g
如果该装置被切换到一个已经存在的短路的
dv / dt的问题不存在，而米勒效果不
被认为是作为显著的问题。
如果R的值
g
增加时，短路的上升时间
电流可以增加，减少了能量损失过程中的
短路。在关断增加的RG可以减缓设备的di /
DT从而减少了过电压。
当一个设备经受短路时，电流被限制
图。 5显示的齐纳二极管钳位V
GE
根据该设备的传输特性。假设VGE
15V的短路电流可以达到34倍的值
该器件的额定正向电流。
V
CE
, I
C
V
CE
故障电流可通过减小V降低
ge
。如果用户
降低V
ge
到<15V ，该时间段的量，短路
可以用站在增大。该电路示于图6 。
如果设备正在使用中的应用程序与>15V的VGE
制造商将不能保证该装置将关闭的
所得的故障电流。电流可以增加，以在水平
超过10倍额定电流的装置。用户应
另外要注意，拐弯的时候断故障电流的di / dt的是
比在正常操作下可见显着更大
过冲电压，由于寄生电感的
增加。
I
C
时间
图。 3典型的我
C
和V
CE
IGBT的是波形
切换到短路
2/6
www.dynexsemi.com
