AN4507应用笔记
AN4507
栅极驱动器注意事项对于IGBT的最大效率
应用说明
取代2000年9月版， AN4507-3.0
2002年AN4507-3.1月
本文描述了应该考虑考虑
设计为IGBT栅极驱动电路时占，和
给出了一些典型电路的建议。
当一个应用程序设计的栅极驱动器下面的
项目应考虑： -
1 ）传导损耗
2 ） IGBT开关损耗
3 ）反并联二极管的开关损耗
4 ）设备保护
5 ）驱动电路隔离和控制信号传输
6 ）电路布局
1.2 IGBT开关损耗
当打开或关闭该设备的开关损耗转动的IGBT
受VGE和栅极电阻（ R的电平
g
).
增加Ⅴ的效果
ge
或减少
g
是为了减少延迟
时间，上升时间和下降所述设备的时间，从而减少
开关损耗。还原Ⅴ的水平
ge
或者加大研发
g
结果增加了开关损耗，但可以减少
电磁辐射（ EMI） 。影响的其他因素
开关损耗的反并联二极管（ FWD ） ，电路
电感，缓冲器，器件的结点温度，工作
电压和电流等。
1.1导通损耗
当IGBT的导通的集电极发射极电压Vce是
的栅极发射极间电压VGE的函数。由于V
ge
增加的
传导损失减小。它是理想的，因此，以
加V
ge
。以允许对数据表的最大
最大限度地减少传导损耗，但设备制造商
既保证短路能力与15V或更低的VGE 。
对于IGBT的典型输出特性图1给出。
R
g
V
GE
FWD
1
R
g
V
GE
FWD
2
I
C
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
图。 2
我4倍
C
评级
V
GE
= 12V
1.3反并联二极管的开关损耗
I
C
评级
V
GE
= 8V
V
CE
图。 1典型的输出特性
反向恢复，然后打开FWD的特性
所有在1.2中提到的因素受到影响，并因此
可以通过调整的速度控制到一定程度
IGBT 。在二极管的情况下变得太活泼在一个
应用中， IGBT导通，可以减慢，因此
降低二值/ dt的施加到二极管等还原
二极管的损失。但是，这是在增加的费用
IGBT的损耗。降低的FWD的另一种方法
在桥配置的损失是导通IGBT的用
降低V
ge
。这限制了峰值反向恢复电流，I
rr
中，
1/6
www.dynexsemi.com
