组件选择
（续）
MOSFET的tance最终决定的峰值电流
租在短路和因此是一个有用的参数
确定该MOSFET是用于应用兼容
化。适当的包装设计决定了MOSFET的
能承受过反复短路事件
没有开发包的生命开路或短路BE-
补间的漏极和源极。
M3
该P-MOSFET是必要的，从无效的隔离IC
充电器。它的漏源击穿电压应EX-
CEED的M1和M2 。在电导和g
m
可以
非常差，服务驱动功率的目的MOSFET导
场效应管M1和M2作为稳态驱动器是唯一的V
CELL
/R2.
操作V
GSMAX
≤
V
CELL
。在V
t
的M3有显
着性的，因为它决定电池电压的什么最小值
年龄是允许进行充电。当电池电压低
比V
GSM3
进行V所需
CELL
/ R 2， M1和M2
不能导通，包是不能充电。这是
用于防止短路的电池的充电，而重新有用
viving已在EX-深深出院礼包
往往存储。
R和C'S
对于
电阻器和电容器
在应用程序中使用税务局局长
扣器，
表1
将得到的可接受值范围和EF -
染参数。每个这些康波的功能
堂费是“应用电路”一节中所述。
表1.组件的可接受值范围和影响参数
部件
R1
R2
R3, R4
R5
R6
C1
C2
C3
C4
可接受值范围
100 kΩ的- 1 MΩ
1 M
50–500
100 kΩ的- 1 MΩ
100 kΩ的- 1 MΩ
0.01 F–0.1 F
0.01 F–0.1 F
0.01 F–0.1 F
220 PF- 1 nF的
参数的影响
无效充电器耐受幅度
I
供应
与MOSFET关断延迟
电流限制在极端过压条件与IR压降的我
供应
在包装ESD事件与IR压降我限流
启用
I
OL
与V
OH
完整信号
取决于噪声的频率装入包
依赖于细胞阻抗谱
在包短路取决于MOSFET /细胞行为
在包短路同样有效
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