
术语表
(续)
这也被定义为
低格
充电使能( LCCE ) 。
这样一来,深深
出院包可即使充电
电池电压太低,使
逻辑操作。还看到, M3节
在“组件选择” 。
充电器被施加到包。
此电流由V-不限
引脚的外部电阻R1 。
I
使能引脚
内部下拉电流
在使能引脚;在终止
V
SS
.
细胞之间的时间周期
电压测量。
细胞之间的时间周期
电压测量1后
过充和测量
前4细胞的正常电压测
surements 。
该时间段的量对电池进行
tery电流必须大于
最大电流限制之前
将所述MOSFET对截止。
开启时间( MOSFET对V
GS
& GT ;
V
t
)的1MΩ和2 nF的负载
GATE引脚。
后启用的延迟时间
引脚重新连接到V +前
MOSFET的一对被允许
开启。这样可防止开关
MOSFET的一对“喋喋不休”
插入到充电器中或
负载。
t
样品
t
SAMPLE-4X
规范的术语表
参数
V
最大
V
SAFE-过充
最大稳态细胞
电压断开模式。
最大电池电压的过
打一枪换导通模式,重新
ferred到V
最大
.
最小稳态细胞
电压导通模式。
最小电池电压为
其导通模式
充有保证。电池电压
低于此值年龄不会
充电,即MOSFET的一对
将保持关闭。此功能恩
祖雷斯贝尔是很深很深的显示
的收费是的细胞将是付款。
的最大拉电压
在导通GATE引脚
模式。
上拉电流可用
由GATE引脚转型
在导通模式。此电流
租金崩溃到零GATE =
V
DD
.
所述门的漏电流
引脚断开模式。
MOSFET两端的电压
是,用于如果检测到对一
充电器或负载连接到
电池组。这个电压是
该V-之间的差
和V
SS
销。电压BE-
补间这些引脚被强制
等于V
恢复
加载后
已经被应用到一个过
充电包,以显示
充电电池组无
MOSFET自行车ON / OFF 。
的最大量值termi-
最终电流充电过程中允许
模式。
的最大量值termi-
最终在目前允许显示
充电模式。
IC供电,不包括电流
租需要供给MOSFET导
FET导通电流。在MOSFET导
FET的导通电流的计算
用V
CELL
/R2
4 μA 。该IC支持
帘布层之间流动的电流
V
DD
和V
SS
销。额外的电流
租金可以从V流
DD
和
V
SS
引脚到引脚V-时,
一对MOSFET关断和一个
11
t
过电流
V
民
V
MIN- CELL- CHARGE(充电)
t
场效应管导通
t
ENABLE恢复
V
GATE沟道FET -ON
组件选择
M1 M2 &
该
功率N - MOSFET的
必须能够从分离的细胞
无效的充电电压,当MOSFET管截止。该
从漏极击穿电压源确定
最大充电或反向充电电压的耐受性。在 -
超过这个击穿电压将使有效充电器
无限充电电流,因此,建议
提供二次保护,被动散热和/或
电流保险丝。
的最大栅极到源极的直流电压的电池电压。
在V
GS
可以MOSFET的回合中暂时见顶
从OFF条件时应用了充电器。这
会导致充电器电压出现在栅极到
源电压。所以,选择比的MOSFET能承受
这个电压。
该LM3641有限GATE引脚驱动电流,因此,
最大V
GS
MOSFET的额定值必须高于
比非法充电器电压。在MOSFET导的选择
FET的“阻抗是一包电源效率考虑 -
通报BULLETIN 。
最大的MOSFET直流电流操作应该EX-
CEED的LM3641的亲过电流的最大额定值
保护。 MOSFET的结点温度条件是
在设计一个可靠的系统至关重要。为前
充足,一个双MOSFET可以有一个我
最大
5A评级。这
然而评级时有效的任一个MOSFET的是
ON 。如果两个MOSFET开启后,等级为我
最大
小于
2.5A ,因为你第r两倍
DSON
,所以两次
功耗。两个单一的MOSFET可能给你一个
更好的解决方案。
短路时所遇到的峰值电流的
主要考虑在指定的MOSFET。高峰
并联连接的电池的电流将更大。不同
电池化学给出不同的峰值电流。接通电阻
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I
GATE沟道FET -ON
I
GATE沟道FET -OFF
V
恢复
I
MAX- CHG
I
MAX- DIS
I
供应