K6R4004V1D
写周期时序波形（ 1 ）
（ OE =时钟）
t
WC
地址
t
AW
OE
t
CW(3)
CS
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
OHZ(6)
数据输出
High-Z(8)
有效数据
t
WP(2)
初步
CMOS SRAM
t
WR(5)
t
DH
写周期时序波形（ 2 ）
（ OE =低固定）
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
WHZ(6)
数据输出
High-Z(8)
有效数据
t
OW
(10)
(9)
t
CW(3)
t
WP1(2)
t
WR(5)
t
DH
写周期时序波形（ 3 ）
（ CS =控制）
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
t
DH
t
CW(3)
t
WP(2)
t
WR(5)
高-Z
t
LZ
t
WHZ(6)
有效数据
高-Z
数据输出
高-Z
High-Z(8)
-7-
修订版2.0
2004年7月
